「diffraction pattern」を含む例文一覧(669)
＜前へ 1 2 .... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 次へ＞- A dispersion liquid composed of oxide particles, and a dispersion medium comprising water as a principal constituent is treated by heating under a hydrothermal condition to obtain oxide particles having maximum peak intensity of not less than 1.2 times by the heat treatment when the diffraction pattern of the oxide particles is measured with an X-ray diffractometer.
酸化物粒子と主成分が水である分散媒とからなる分散液に、水熱条件下で加熱処理を施し、Ｘ線回折装置で酸化物粒子の回折パターンを測定したときに、最強ピークの強度が、加熱処理により１．２倍以上大きい酸化物粒子を得る。 - 特許庁 - To provide a display which is so fully secure as to make forgery difficult and allows more reliable validity judgement, with respect to a display in which a substrate surface is divided in a matrix shape and a diffraction grating pattern is formed in a cell within each element of the matrix to constitute a display image.
基材表面をマトリクス状に分割し、マトリクスの各要素の内部のセルに回折格子パターンを形成して表示画像を構成するディスプレイにおいて、よりセキュリティ性が高く偽造が困難で、真偽判定がより一層確実に行えるディスプレイを実現する。 - 特許庁 - In the optical pickup device, the recording and the reproducing of information are performed by converging light beams emitted from a first and a second light sources 111 and 112 on an information recording plane 22 through the transparent base plate 21 of the first or the second optical disk 20 with an objective lens 16 on which a diffraction pattern is provided.
この光ピックアップ装置は、第１及び第２光源１１１，１１２からの光束を回折パターンを設けた対物レンズ１６により第１または第２の光ディスク２０の透明基板２１を介して情報記録面２２上に集光して情報の記録／再生を行う。 - 特許庁 - To obtain an alignment mark used for alignment of a mask pattern in a semiconductor device manufacturing process, in which high diffraction efficiency and alignment of high accuracy can be obtained, even if a conductive film is as thick as a gate electrode film whose thickness is determined by the process conditions of a MOS semiconductor device.
半導体装置の製造工程におけるマスクパターンの位置合わせに使用するアライメントマークにおいて、ＭＯＳ半導体装置のプロセス条件より決定されるゲート電極膜と同一の導電膜の膜厚でも、高い回折効率を得、高精度のアライメントを可能にする。 - 特許庁 - The invention relates to an ε-type crystal of N-benzyl-N-ethyl-2-(7-methyl-8-oxo-2-phenyl-7, 8-dihydro-9H-purin-9-yl) acetamide identified by powder X-ray diffraction pattern and/or differential scan calorimetric analysis thermogram, and having an excellent heat stability, etc.
粉末Ｘ線回折パターンおよび／または示差走査熱量分析サーモグラムで特定され、優れた熱安定性などの性質を有する、Ｎ−ベンジル−Ｎ−エチル−２−（７−メチル−８−オキソ−２−フェニル−７,８−ジヒドロ−９Ｈ−プリン−９−イル）アセトアミドのε型結晶。 - 特許庁 - To improve, when a pattern is drawn on a substrate by scanning the substrate with plural light beams from plural light beam irradiation devices, the drawing quality by correcting variation in intensity distribution of diffraction light of the light beams due to variation in operation angle of a mirror of a spatial optical modulator.
複数の光ビーム照射装置からの複数の光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する際、空間的光変調器のミラーの動作角度のばらつきによる光ビームの回折光の強度分布のばらつきを補正して、描画品質を向上させる。 - 特許庁 - To reduce warpages and curls of an optical wiring layer by relaxing stresses exerting on the optical wiring layer and to form optical elements such as a waveguide pattern, a mirror and a diffraction grating by using dry etching, a dicing saw and an electron beam exposure of the like to a minimum.
光配線層にかかる応力を緩和し、光配線層のそりやまるまりを抑えることを第１の課題とし、ドライエッチングや、ダイシングソー、電子線露光などをなるべく用いずに導波路パターンや、ミラーや回折格子といった光学素子を形成することを第２の課題とする。 - 特許庁 - This solar cell substrate includes a transparent substrate 411, and a transparent conductive film 412 formed over the transparent substrate, and including a zinc oxide (ZnO) thin-film layer 412a doped with a dopant, where both a growth plane (0002) and a growth plane (α) are present based on X-Ray Diffraction (XRD) pattern data.
太陽電池基板は、透明基板４１１と、透明基板に形成され、Ｘ線回折（ＸＲＤ）パターンのデータを基準に、（０００２）成長面と成長面がともに存在する、ドーパントがドーピングされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層４１２ａを含む透明導電膜４１２とを含む。 - 特許庁 - The grating pattern 2 of the diffraction type condensing film 1 includes a first surface forming an angle α with respect to a normal, a second surface forming an angle β with respect to the normal, and a third surface forming an angle δ with respect to the second surface to form a second apex and resulting from inclining the second surface by an angle γ.
回折型集光フィルム１の備える格子パターン２は、法線と角αをなす第一の面と、法線と角βをなす第二の面と、前記第二の面と角δをなして第二の頂部を形成する、前記第二の面が角γだけ傾いた第三の面と、を備えている。 - 特許庁 - Since the liquid 25, degassed at the degassing section 40, is arranged and bubbles contained in the liquid 25 or produced during exposure can be removed, abnormal exposures such as abnormal diffraction can be prevented, resulting in a resist pattern having a proper profile.
これにより、レジスト膜の上には、脱気部４０により脱気された液体２５が配されるため、液体２５に含まれる泡や、露光時に生じる泡を除去することができるので、回折異常等の露光異常を防止することができ、その結果、良好な形状を有するレジストパターンを得ることができる。 - 特許庁 - In the diffraction optical device having a relief pattern 3 on the interface of two optical members 1, 2 consisting of different kinds of optical materials, a thin film layer 4 consisting of at least one kind of silicon dioxide, zinc sulfide and aluminum oxide is formed on the interface.
互いに異なる種類の光学材料からなる２つの光学部材１、２の境界面に、レリーフパターン３を有する回折光学素子において、前記境界面に、二酸化珪素、硫化亜鉛および酸化アルミニウムのうち少なくとも一種からなる薄膜層４を形成して構成した。 - 特許庁 - A position relation between an external shape and the crystal orientation of a specimen is clarified by comparative measurement using a reference sample having a clear position relation between the external shape and the crystal orientation on the same sample coordinate, by using a back-scattered electron beam diffraction pattern method (EBSP method).
後方散乱電子線回折パターン法（ＥＢＳＰ法）を用いて、同じ試料座標上で外形形状と結晶方位の位置関係が明確な基準試料を用いて比較測定する事で、被検体の外形形状と結晶方位の位置関係を明確にする。 - 特許庁 - Thus, only the pattern information is visually recognized in an ordinary viewing state and, when irradiated with two types of light sources having the irradiation angle suitable for the two types of diffraction gratings, a concealed image is decrypted and becomes readable since two encrypted images are visually recognized simultaneously.
これにより、通常の観察状態では絵柄情報のみが視認されるが、前記２種の回折格子に適合した照射角を持つ２種の光源が照射された際には、２つの暗号画像が同時に視認されるため隠蔽された画像が復号され判読可能となる。 - 特許庁 - Surface shape precision is also enhanced in macroscopic view of the lens OL, by bringing the injection rate into 30 cm^3/sec or less, while filling an inside of the cavity CV moderately to prevent a transfer rate of the diffraction pattern FP from getting low ununiformly.
また、射出率を３０ｃｍ^３／ｓｅｃ以下とすることで、キャビティＣＶ内を緩やかに充填して回折パターンＦＰの転写率が不均一に低下することを防止しつつ、レンズＯＬを巨視的に見た場合の表面形状精度を向上させることができる。 - 特許庁 - The scattered beam from the foreign substance AP attached to the glass plane RG can be separately detected from diffraction beam depending on a reticle pattern, by mutually comparing and analyzing a plurality of intensity distributions obtained, thereby enabling the foreign substance AP to be detected precisely.
求められた複数の強度分布を相互に比較して解析することにより、レチクルパターンによる回折光からガラス面ＲＧ上に付着した異物ＡＰによる散乱光を分離して検出することができるので、精度良く異物ＡＰを検出することが可能となる。 - 特許庁 - A size of the pixels in the array and the predetermined pattern are selected such that the liquid crystal polymer film forms a phase hologram for diffracting light polarized parallel to the common plane and a zeroth order diffraction grating for light polarized perpendicular to the common plane.
アレイ内のピクセルのサイズおよび予め決められたパターンは、液晶重合体膜が、前記共通面に平行に偏光された回折光に対しては位相ホログラムを形成し、また、前記共通面に直角に偏光された光に対しては第ゼロ次数回折格子を形成するように選択される。 - 特許庁 - A plurality of recessed and projected parts are alternately formed at a fixed cycle in an area different from an area where user information is recorded, and a clock generation pattern is formed to generate ±m-th order diffraction lights (m=0, 1, 2, etc.), when a vertically incident light is reflected.
ユーザ情報が記録される領域とは異なる領域に、複数個の凹部及び凸部が一定周期で交互に形成され、かつ垂直入射した光を反射した場合に±ｍ次回折光（ｍ＝０，１，２，…）を生成するクロック生成パターンが形成されていることを特徴とする。 - 特許庁 - To precisely detect the relative position of an object surface to the focal point position of an objective lens substantially without any influence of diffraction light from the object surface even when a fine wiring pattern is formed on the surface of the object such as a semiconductor element or a liquid crystal display element.
半導体素子や液晶表示素子のように微細な配線パターンが形成された物体面の場合にも、物体面からの回折光の影響を実質的に受けることなく、対物レンズの焦点位置に対する物体面の相対位置を高精度に検出する。 - 特許庁 - As for particularly a dihydrochloride hydrate of the compound, a pharmaceutical comprising the crystal exhibiting main peaks at spacings of 17, 7.1, 4.9, 4.3, 3.9 and 3.5 Å in a powder X-ray diffraction pattern obtained by exposure to Kα radiation of copper as the active ingredient is preferable.
特に、該化合物の二塩酸塩水和物では、銅のＫα線の照射で得られる粉末Ｘ線回折図において、面間隔が１７、７．１、４．９、４．３、３．９、および、３．５オングストロームに主要なピークを示す結晶を有効成分として含有する医薬が好ましい。 - 特許庁 - This biodegradable forgery preventive paper 1a is obtained by watermarking threads 20 formed by slitting a forgery preventive raw paper 2 obtained by laminating a diffraction grating pattern-forming layer 22 mixed with a fluorescent light developing layer 24 on a transparent support film 21 comprising a lactic acid resin having biodegradable and hydrolyzable properties in a small breadth into pulp base paper 10.
生分解可能な透明支持体２１上に、回折格子パターンが形成されている回折格子パターン形成層２２、反射層２４を積層して成る偽造防止原反を細巾にスリットし、このスリットされたスレッド２０をパルプ基紙１０に抄き込んだ生分解可能な偽造防止用紙。 - 特許庁 - In regard to a plastic card prepared by sticking the seal of the hologram, the diffraction grating pattern or the like to a prescribed area of the surface of the card, the seal 15 of the hologram or the like is provided between an overlay 11 and a center core 12 in the plastic card to which the alteration preventive measure is applied.
ホログラムや回折格子パターン等のシールをカード表面の所定領域に貼着してなるプスチックカードにおいて、前記ホログラム等のシール（１５）を、オーバーレイ（１１）とセンターコア（１２）との間に設けたことを特徴とする改ざん防止策が施されたプラスチックカードである。 - 特許庁 - The active substance for a nonaqueous electrolyte battery is a dioxide metal oxide M1 selected from among Ti, Mo, and W, added by M2 selected from among Cr, Fe, Ni, Cu, Zr, Ge, Sn, and Zn, and half-value width at the peak of maximum strength in an X-ray diffraction pattern is 1 degree or larger and 4 degrees or smaller.
本発明の非水電解質電池用活物質は、Cr, Fe, Ni, Cu, Zr, Ge, Sn, Znから選ばれるM2が添加された、Ti, Mo, Wから選ばれるM1の二酸化金属酸化物であり、Ｘ線回折パターンにおいて最も強度の大きいピークの半値幅が１°以上４°未満であることを特徴とする。 - 特許庁 - The high purity boehmite produced by hydrothermally treating ammonium dawsonite obtained by the reaction of an aluminum ammonium sulfate solution or an aluminum sulfate solution with an ammonium bicarbonate solution, firing and after firing, hydrothermally treating has 100-270 m2/g BET specific surface area and 20-90 Å crystallite diameter determined by peak (020) of X-ray diffraction pattern.
硫酸アルミニウムアンモニウム溶液、又は、硫酸アルミニウム溶液と重炭酸アンモニウム溶液の反応で得られるアンモニウムドーソナイトを水熱処理、焼成、焼成後水熱処理することによって製造される高純度のＢＥＴ比表面積、結晶子径の制御されたベーマイト。 - 特許庁 - The crystal grain consisting mainly of barium titanate is characterized in that the average particle diameter is ≤150 nm and the volume V per unit cell which is expressed by the product of lattice constants (a, b, c) determined by an X-ray diffraction pattern of the crystal grain, is ≤0.0643 nm^3.
チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子の平均径が１５０ｎｍ以下であり、かつ前記結晶粒子のＸ線回折パターンから求められる格子定数（ａ、ｂ、ｃ）の積で表されるユニットセル当りの体積Ｖが０．０６４３ｎｍ^３以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - As for the CuKα-ray diffraction pattern of a negative electrode material, the peak intensity ratio of a peak A corresponding to a tin element existing in a region of 31.5-32.5 degree, to a peak B corresponding to Cu_6Sn_5 existing in a region of 29.5-30.5 degree (A/B) is 0.2 or less.
ＣｕＫα線によるＸ線回折パターンにおいて、３１．５〜３２．５度の領域内に表れる錫単体に対応するピークＡと、２９．５〜３０．５度の領域内に表れるＣｕ_６Ｓｎ_５に対応するピークＢとのピーク強度比（Ａ／Ｂ）が０．２以下であることを特徴としている。 - 特許庁 - In the case of applying doping to a semiconductor substrate by emitting a neutron beam to the semiconductor substrate including at least one stable isotope as a constituent element to cause nuclear reaction of the stable isotope, employing a diffraction pattern obtained by emitting the neutron beam 15 to a diffraction grating 12 provides spatial contrast to the emission dose of the neutron so as to carry out spatially selectable doping.
少なくとも一つの安定同位体を構成元素として含む半導体基体に中性子線を照射して安定同位体の核反応を起こすことにより半導体基体にドーピングを行う場合に、中性子線１５を回折格子１２に照射することにより得られる回折パターンを用いて半導体基体１１に対する中性子の照射量に空間的な濃淡を持たせ、空間的に選択的なドーピングを行う。 - 特許庁 - In a measuring method of an X-ray diffraction pattern of the translin crystal, the translin crystal obtained using sodium formate as a precipitant is frozen in crystallizing solution containing polyalcohol, and X-ray diffraction data is collected in a frozen state.
トランスリン結晶のＸ線回折像の測定方法、該結晶のＸ線回折像より得られる３次元構造座標、該構造座標を含むデータベース若しくは記録媒体、該構造座標を用いるトランスリンの機能を調節する能力を有する化合物の同定方法、該３次元構造座標を用いるトランスリンに潜在的に結合しうる化合物からなる化合物群の調製方法、及び、該３次元構造座標を用いるトランスリンの変異体の作製方法。 - 特許庁 - In the method of manufacturing a diffraction optical device having at least two optical materials 1, 3 which are substantially transparent in the wavelength region to be used and having a relief pattern 2 on at least one interface of the two different optical materials, the second material 3 having ≤5,000 mPa.s viscosity is laminated on the first optical material 1 having the relief pattern 2 on at least one surface.
使用する波長帯域で実質的に透明である少なくとも２つの光学材料１，３と、その少なくとも１つの互いに異なる光学材料１，３の境界面にレリーフパターン３を有する回折光学素子の製造方法において、少なくとも一方の面の上記レリーフパターン２を有した第１の光学材料１の上に、粘度が５０００ｍＰａ・ｓ以下の第２の光学材料３を積層する。 - 特許庁 - The diffraction optical element 201 has a relief pattern formed on a surface of thereof, wherein a fine periodic structure 203 having a pitch shorter than the minimum wavelength of working wavelengths is formed on the relief pattern 202, and by changing parameters such as pitch, width and height (or depth) of the fine periodic structure 203, the wavelength dependency of effective refractive index in the fine periodic structure 203 is adjusted.
本発明は、表面にレリーフパターンが形成されている回折光学素子２０１において、前記レリーフパターン２０２上に、使用する波長の最小波長よりも短いピッチを有する微細周期構造２０３を形成し、該微細周期構造２０３のピッチ、幅、高さ（または深さ）などのパラメータを変えることにより微細周期構造２０３における有効屈折率の波長依存性を調整する。 - 特許庁 - This method for producing the oxidized compound comprises a process of oxidizing an organic compound by reacting the organic compound with an oxidizing agent in the presence of a titanosilicate (I) obtained by making contact of a titanosilicate (II) having the following X-ray diffraction pattern with a structure-regulating agent, or its silylated compound.
下記Ｘ線回折パターンを有するチタノシリケート（ＩＩ）と構造規定剤とを接触させることにより得られるチタノシリケート（Ｉ）又はそのシリル化物の存在下に、有機化合物と酸化剤とを反応させることにより、前記有機化合物を酸化させる工程を含む酸化化合物の製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide a mask pattern imaging apparatus capable of continuously carrying out alignment between a substrate and a mask on a substrate plane and alignment of a mask mark and an image plane position on the basis of light diffraction by an alignment mark provided on the substrate and an alignment mark provided on the mask arranged to be separated from the substrate.
基板上に設けたアライメントマークと上記基板から離間して配置したマスク上に設けたアライメントマークによる光回折に基き、基板平面における基板とマスク間の位置合わせと、上記マスクマークの像面位置合わせとを連続的に履行可能とする、マスクパターン画像形成装置を提供すること。 - 特許庁 - In the patterning method, the pattern of a photomask is transferred to an underlying material by exposure processing thus forming a first guide where the surface energy of the underlying material is changed, and a second guide where the surface energy of the underlying material is changed is formed between the first guides by diffraction of exposure light resulting from exposure processing.
実施の形態のパターン形成方法は、露光処理により、フォトマスクのパターンを下地材に転写して下地材の表面エネルギーを変化させた第１のガイドを形成すると共に、露光処理により生じる露光光の回折により、第１のガイド間に下地材の表面エネルギーを変化させた第２のガイドを形成する。 - 特許庁 - The diffraction grating pattern 5 is provided with: a first cell 10 in which a blazed grating 11 of diffracting incident light Li in the specified direction is formed on substrate surface; and a second cell 20 in which a blazed grating 21 having the grating line direction different from that of the blazed grating 11 of the first cell 10 by about 180° is formed.
回折格子パターン５は、基材表面に、入射光Ｌｉを特定方向に回折するブレーズド格子１１が形成された第１セル１０と、第１セル１０のブレーズド格子１１とは、格子線方向が略１８０度異なるブレーズド格子２１が形成された第２セル２０とを備えている。 - 特許庁 - Two or more layers of amplitude type CGHs (9) in which transmissivity of light is varied in a pattern shape are stacked in the glass material of the glass bottle 20 by using a femtosecond laser of ultra short pulses to increase differences in the transmissivity of light of the CGHs (9), and a diffraction image of high contract can be formed.
光の透過率がパターン状に変化する振幅型ＣＧＨ（９）を、超短パルスのフェムト秒レーザーを用いてガラス瓶２０のガラス材料の内部に複数層積層して形成することにより、ＣＧＨ（９）における光の透過率の違いを高めて、高いコントラストの回折像を生成可能とする。 - 特許庁 - With this constitution, a blast angle and a rotary angle can be respectively optimized independently, and the crystal azimuth 12 is accurately and easily adjusted, with respect to the respective directions of incident X rays 2A and diffracted X rays 3A and enables measurement of the X-ray diffraction pattern of the lattice surface 11 of the single-crystal substrate 10 with high accuracy.
これにより、あおり角と回転角とをそれぞれ独立して最適化することができ、入射Ｘ線２Ａおよび回折Ｘ線３Ａの各方向に対して結晶方位１２を正確かつ容易に調整し、単結晶基板１０の格子面１１におけるＸ線回折パターンを高精度に測定することができる。 - 特許庁 - The lithium secondary battery is characterised in that in an X-ray diffraction pattern for CuK α rays in a charged state of the negative electrode, charging and discharging are carried out in a charging depth, not recognizing a peak of compound of lithium and silicon (for example, intermetallics compound such as Li_13Si_4) in the range from 18 to 28°, for example.
負極の充電状態におけるＣｕＫα線のＸ線回折パターンにおいて、例えば１８〜２８度の範囲内でリチウムとシリコンの化合物（例えば、Ｌｉ_１３Ｓｉ_４などの金属間化合物）のピークが認められない範囲の充電深度で充放電することを特徴としている。 - 特許庁 - This invention relates to: novel salt forms of [R-(R^*,R^*)]-2-(4-fluorophenyl)-β,δ-dihydroxy-5-(1-methylethyl)-3-phenyl-4-[(phenylamino)carbonyl]-1H-pyrrole-1-heptanoic acid characterized by their X-ray powder diffraction pattern and solid-state NMR spectra; and methods for the preparation and pharmaceutical composition of the same.
Ｘ線粉末回析パターンおよび固体ＮＭＲスペクトルにより特徴付けられる［Ｒ−（Ｒ^*，Ｒ^*）］−２−（４−フルオロフェニル）−β，δ−ジヒドロキシ−５−（１−メチルエチル）−３−フェニル−４−［（フェニルアミノ）カルボニル］−１Ｈ−ピロール−１−ヘプタン酸の新規な塩形態、ならびに、それらの製造方法および医薬組成物。 - 特許庁 - The calcining temperature and the sintering temperature are determined to form the silicon nitride porous body in which the ratio (X_ON/X_SiN) of the peak intensity X_ON of oxynitride to the peak intensity X_SiN of β-type silicon nitride in X-ray diffraction pattern is 20-40 and the three point bending strength (25°C) is ≥70 MPa.
このときの仮焼温度及び反応焼結温度は、Ｘ線回折パターンにおける酸窒化物のピーク強度Ｘ_ONとβ型窒化ケイ素のピーク強度Ｘ_SiNとの強度比（Ｘ_ON／Ｘ_SiN）が２０〜４０であり、且つ、３点曲げ強度（２５℃）が７０ＭＰａ以上である窒化ケイ素多孔質体が形成されるように決定される。 - 特許庁 - A measuring surface S1 is scanned by an electron beam B2 and the detection of an electron beam back scattering diffraction pattern by a detection part 6 and the analysis of data D1 by a data processing part 9 are performed in relation to the respective pixels in the measuring surface S1 to obtain the two-dimensional distribution data K1 of a crystal orientation related to the measuring surface S1.
電子ビームＢ２によって測定面Ｓ１を走査し、測定面Ｓ１内の各ピクセルに関して、検出部６による電子線後方散乱回折パターンの検出、及び、データ処理部９によるデータＤ１の解析を行うことにより、測定面Ｓ１に関する結晶方位の二次元分布データＫ１が得られる。 - 特許庁 - Thermal distribution 11 corresponding to a desirable pattern is given to a raw material substrate 10, which is formed by adding a second material composed of a catalyst metal such as iron (Fe) in a first material formed of a semiconductor of silicon (Si) with radiation of the energy beam 12 using a diffraction grating 13 to melt a surface of the raw material substrate.
シリコン（Ｓｉ）などの半導体からなる第１の物質中に、鉄（Ｆｅ）などの触媒金属からなる第２の物質が添加された素材基板１０に対して、回折格子１３を用いたエネルギービーム１２の照射により所望のパターンに応じた熱分布１１を与え、素材基板１０の表面を溶融させる。 - 特許庁 - In this titanium dioxide, an average secondary particle size is 2-30 μm; an average primary particle size is ≤1.5 μm; and when main peak intensity of bronze type titanium dioxide in a powder X-ray diffraction pattern is assumed to be 100, main peak intensity of each of rutile type titanium dioxide and anatase type titanium dioxide is ≤5.
本発明の二酸化チタンは、平均二次粒子径が２μｍ〜３０μｍ、平均一次粒子径が１．５μｍ以下であり、粉末Ｘ線回折パターンにおけるブロンズ型二酸化チタンの主ピーク強度を１００としたとき、ルチル型二酸化チタン及びアナターゼ型二酸化チタンの主ピーク強度がいずれも５以下である。 - 特許庁 - Concerning the pattern, with which the fine cell composed of the diffraction grating is provided as a constitutive unit, configured by locating these cells on the surface of the substrate, the cells are in plural arbitrary different forms and the specified information is added to an array in the case of combining and locating the plural cells for the machine readable hologram.
回折格子からなる微小なセルを構成単位とし、前記セルが基板表面に配置されて構成されるパターンにおいて、前記セルは、複数の任意の異なる形状をなし、該セルを複数個組み合わせて配置する際の配列に特定の情報を付加したことを特徴とする機械読み取りホログラム。 - 特許庁 - Each correlation between a normalized light quantity distribution acquired by normalizing an output from the line sensor and an approximate expression acquired by approximating a light quantity distribution pattern by Fresnel diffraction is calculated, respectively, by differentiating a reference position in the approximate expression, and a position where a correlation value is peaked is detected as the edge position of a detection object.
ラインセンサの出力を正規化処理した正規化光量分布と、前記フレネル回折による光量分布パターンを近似した近似式との相関を該近似式における基準位置を異ならせてそれぞれ計算し、相関値がピークとなる位置を前記被検出体のエッジ位置として検出する。 - 特許庁 - Thus, diffraction light of the second laser beam from a hologram pattern 29 is entirely made incident on only an area in which a projecting adhesive at the projecting surface 32 does not exist to prevent degrading of the S/N ratio of a signal output from the optical monitor 26 to correctly detect the light quantity of the output of a second light source 22.
こうして、ホログラムパターン２９からの第２レーザ光の回折光を、総て突出面３２のはみ出し接着剤が存在しない領域のみに入射させて、光モニタ２６から出力される信号のＳ/Ｎ比の低下を防止し、第２光源２２の出力光量を正確に検出する。 - 特許庁 - A polarization azimuth angle compensation layer 36 prevents light leakage by making polarization planes of incident beams of respective bearings and respective polar angles be parallel to the absorption axis of an emission side polarizing plate 37 and heightens an extinction ratio even when the diffraction phenomenon is caused by the microlens array 40 and a TFT wiring pattern 46.
偏光方位角補償層３６は、マイクロレンズアレイ４０及びＴＦＴ配線パターン４６とによって回折現象が生じても、各方位及び各極角の入射光線の偏光面を出射側偏光板３７の吸収軸と平行にすることで光漏れを防ぎ、消光比を高める。 - 特許庁 - The sheet 1 with the optical code comprises an optical code layer 3 having a structure in which a fluorescent luminescence layer 4, a metal thin film layer 5 having a code pattern-like opening part 6 and preferably an optical diffraction structure layer 7 such as a hologram or the like are sequentially laminated from a lower side, laminated on a base 2.
光学コード付きシート１を、下側から蛍光発色性層４、コードパターン状の開孔部６を有する金属薄膜層５、および好ましくはホログラム等の光回折構造層７とが順に積層した構造からなる光学コード層３が、基材２上に積層された構造として課題を解決した。 - 特許庁 - The invention relates to the new pseudopolymorphic forms of 2-[2-[4-[bis(4- fluorophenyl)methyl]-1-piperazinyl]ethoxy]acetic acid dihydrochloride, defined by the X-ray diffraction pattern, namely, anhydrous 2-[2-[4-[bis(4-fluorophenyl)methyl]-l-piperazinyl]ethoxy]acetic acid dihydrochloride and a monohydrate of the crystal, and relates to the method for preparation of the pseudopolymorphic crystal.
２−〔２−〔４−〔ビス（４−フルオロフェニル）メチル〕−１−ピペラジニル〕エトキシ〕酢酸ジヒドロクロリドの新規偽多形であり、Ｘ線回折パターンで定義される無水２−〔２−〔４−〔ビス（４−フルオロフェニル）メチル〕−１−ピペラジニル〕エトキシ〕酢酸ジヒドロクロリド及び該結晶の一水和物、並びにこれらの偽多形相結晶の製造方法。 - 特許庁 - When digital information corresponding to contents of one page to be recorded is inputted as an electric signal to a SLM (spatial light modulator) 2, the light transmitted (or reflected) by the SLM is converted into a two-dimensional light-and-dark pattern according to the input signal to irradiate a diffraction grating 3 formed as integrated on the surface of a hologram recording medium 4.
ＳＬＭ２に記録されるべき１ページ分のディジタル情報が電気信号として入力されると、ＳＬＭを通過（又は反射）した光は、入力信号に応じた２次元の明暗パターンから成る信号光として変換され、ホログラム記録媒体４の表面に一体に形成された回折格子３に照射される。 - 特許庁 - The system comprises laser light 44 for obtaining diffraction images, an optical diffractor array 23 to be supplied with hologram data, a screen 26 having a photorefractive member 25 for projecting hologram images, reference light 46 to be made incident on the hologram pattern on the photorefractive member 25, and a means 22 for supplying the hologram data and an optical system control signal.
回折像を得るためのレーザ光４４と、ホログラムデータが供給される光回折器アレイ２３と、ホログラム像を映し出すためのフォトリフラクティブ部材２５を有したスクリーン２６と、フォトリフラクティブ部材２５上のホログラムパターンに入射する参照光４６と、ホログラムデータ及び光学系制御信号を供給する手段２２とから成る。 - 特許庁 - To provide a display having a diffraction grating pattern in which a region where recording information for determining truth or falsehood has been recorded is difficult to distinguish, and to which further higher counterfeit prevention effect is imparted and improving of the visibility as a display, and increasing the degree of freedom of design can be realized.
回折格子パターンを有するディスプレイにおいて、真贋判定を行う情報を記録した領域を判別することが困難であり、より一層高度な偽造防止効果を持たせると共に、ディスプレイとしての可視性の向上、ならびにデザインの自由度の増加を実現することができる回折格子パターンを有するディスプレイを提供することを目的とする。 - 特許庁
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