底のりばり部の英語

注入部１０５がバリア構造部を介して複数の量子ドットの基底準位に、エネルギー準位を変化させて電子をトンネル注入あるいは注入を阻止する。例文帳に追加

An injection part 105 performs tunnel injection of electrons or interrupts the injection by changing the energy level to the ground level of a plurality of the quantum dots via the barrier structure part. - 特許庁

凹所３５に、保持する基板Ｗ１と同寸・同形状の孔５１ａが形成された目張り部材５１ａを嵌合して底面に密着させ、基板Ｗ１の非載置領域３３ａに存在する通気部材３６を塞ぐ。例文帳に追加

A weather-strip member 51a formed with a hole 51a whose dimension and shape is the same as that of a held substrate W1 is engaged with the concavity 35, and adhered to the bottom face, and a ventilation member 36 existing in the non-placement region 33a of the substrate W1 is closed. - 特許庁

バリ取り工具２０は、人手又はマニピュレータの手に把持される柄部２１と、該柄部の先端から延び、縦断面において連続した波形刃が形成されている刃部２３とから構成され、前記波形刃の刃頂部及び刃底部は部分円形の輪郭線を形成している。例文帳に追加

This deburring tool 20 is constituted of a handle part 21 clamped by a hand of a man or a manipulator and a blade part 23 extended from the tip end of this handle part to be formed with a wavy blade continued in a longitudinal section, and the blade top/bottom part of the wavy blade is formed of a partially circular contour line. - 特許庁

本発明は、特別な器具を使用することなく、稲、野菜、花卉などの育苗に際して、手軽に底部施肥を実現し、根張りの良好な健全な苗作りを実現しようとするものである。例文帳に追加

To readily actualize a bottom fertilizing and to achieve a sound seedling preparation of excellent root swelling without using a specific tool in raising of seedling of rice plants, vegetables, ornamental flowering plants, etc. - 特許庁

被加工材の表面に圧痕を成形し、その裏面側をエッチングにより溶解除去して貫通させることで、圧痕底部の断面と同形状の微細な穴をバリや破断等を生じることなく被加工材に与える。例文帳に追加

In the method, an impression is formed on the surface of a workpiece, and a fine hole having the same shape as the cross section of the bottom of the impression is given to the workpiece without generating burr, breakage, and the like by dissolving and removing the backside of the impression so that the impression penetrates through the workpiece. - 特許庁

プラグ部１１ｂの底部のバリア導体膜８は、ｎ^−型半導体領域２とｐ^＋型半導体領域５の両者に接し、ｐ^＋型半導体領域５とオーミック接続するが、ｎ^−型半導体領域２との間にショットキ接合が形成されている。例文帳に追加

The barrier conductor 8 on the bottom of a plug 11b is in contact with the n^--type semiconductor region 2 and the p^+-type semiconductor region 5 for connection with the p^+-type semiconductor region 5 in ohmic manner, and then Schottky junction is formed between the barrier conductor film and the n^--type semiconductor region 2. - 特許庁