モストランジスタの英語

半導体基板の上に形成されソース／ドレイン領域を有するバルクモストランジスタを備える。例文帳に追加

The present invention comprises a bulk MOS transistor having source/drain regions formed on a semiconductor substrate. - 特許庁

モストランジスタ及びその製造方法に関し、本発明では、シリコンウエハーとゲート電極間にエピタキシャル層を配設し、ソース及びドレーンを含む不純物領域を、エピタキシャル層に形成する極低濃度不純物領域、シリコンウエハーに形成する低濃度不純物領域、及び高濃度不純物領域（ソース及びドレーン領域）の３領域から形成するモストランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

An impurity region containing a source and a drain is formed of an ultra-low concentration impurity region formed on the epitaxial layer, a low concentration impurity region formed on the silicon wafer, and a high concentration impurity region (source and drain region). - 特許庁

該バルクモストランジスタのソース／ドレイン領域上に半導体プラグが形成され、該半導体プラグは該層間絶縁膜の少なくとも一部を介して延長される。例文帳に追加

A semiconductor plug is formed on the source/drain regions in the bulk MOS transistor and is extended via at least one portion of the interlayer insulating film. - 特許庁

高集積化された半導体素子に適合し、ラッチ−アップが発生しない効果的にウェルバイアスを印加できる自己整列されたウェルバイアス領域を有するモストランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a self aligned MOS transistor having a well bias region and its manufacturing method which complies with a highly integrated semiconductor element and can effectively impress a well bias without generating latch-up. - 特許庁

前記モストランジスタは、ソース領域２０Ａ、ドレイン領域２０Ｂ及びソース領域２０Ａとドレイン領域２０Ｂとの間に配置されたゲート領域を有する。例文帳に追加

The MOS transistor comprises a source region 20A, a drain region 20B, and a gate region arranged between the source region 20A and the drain region 20B. - 特許庁

該バルクモストランジスタ上に層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜上にソース／ドレイン領域を有する薄膜トランジスタが形成される。例文帳に追加

An interlayer insulating film is formed on the bulk MOS transistor, and a thin-film transistor having the source/drain regions is formed on the interlayer insulating film. - 特許庁

ＳＳＲエピチャネルとシリコン・エピ層そしてリバース・スペーサを形成することで寄生抵抗及び接合漏洩電流が減少されたナノメートルスケールのモストランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a MOS transistor of nanometer scale that has reduced parasitic capacitance and junction leakage current by forming an SSR epi-channel, a silicon epi-layer, and a reverse spacer. - 特許庁

該バルクモストランジスタのソース／ドレイン領域上に半導体プラグが形成され、該半導体プラグは該層間絶縁膜の少なくとも一部を介して延長される。例文帳に追加

A semiconductor plug is formed on the source/drain regions in the bulk MOS transistor and is extended via at least one portion of the interlayer insulating film. - 特許庁