金合金鍍金の英語

ショットピーニング時に錫鍍金層が圧縮され、錫鍍金層がほぼ均一な厚さに形成され、同時に、前記ショットピーニングにより前記錫鍍金を圧縮して該錫鍍金により焼結合金本体の外面に開口する気孔が塞がれる。例文帳に追加

Then, the plated tin layer is compressed during the shot peening and is made to have approximately uniform thickness, and at the same time, the pores of the alloy body of the sintered alloy opening to the outside are closed with plated tin by compression onto the plated tin layer due to the shot peening. - 特許庁

気孔部分を錫鍍金層により封孔することにより耐食性に優れ焼結合金を提供する。例文帳に追加

To provide a sintered alloy superior in corrosion resistance by sealing porous parts with a plated tin layer. - 特許庁

合金化溶融亜鉛鍍金鋼板のプレス洗浄時における極圧潤滑能の管理方法例文帳に追加

METHOD FOR CONTROLLING EXTREME-PRESSURE LUBRICATION CAPABILITY IN PRESS CLEANING OF GALVANNEALED STEEL SHEET - 特許庁

原料粉末を成形すると共に焼結して焼結合金を形成し、この焼結合金に鍍金層を設けた後、この鍍金層の外面からサイジングにより加圧して焼結合金を高密度化する。例文帳に追加

This manufacturing method comprises forming and sintering a raw material powder to mold a sintered alloy, providing a plating layer on the sintered alloy, and then pressurizing the outer surface of the plated layer by sizing to densify the sintered alloy. - 特許庁

銅を含有する原料粉末を成形すると共に焼結（Ｓ２）して焼結合金本体を形成し、この焼結合金本体に錫鍍金の鍍金（Ｓ４）処理を施した後サイジング（Ｓ５）する。例文帳に追加

This manufacturing method comprises compacting and sintering (S2) a base powder containing copper into a main body of the sintered alloy, plating (S4) the main body with tin, and sizing it (S5). - 特許庁

また、好ましくは、合金の組織を室温においてα相単相であるようにすると共に、合金表面に鍍金処理を施す。例文帳に追加

Preferably, the alloy shows a single-phase α structure at a room temperature, and its surface is plated. - 特許庁

単結晶又は準単結晶配向性を有する金属表面に電気鍍金により二軸集合組織を有する純金属又は合金鍍金層及びその製造方法例文帳に追加

PURE-METAL OR ALLOY PLATING LAYER HAVING BIAXIAL TEXTURE AND FORMED BY ELECTROPLATING ON SURFACE OF METAL HAVING SINGLE CRYSTAL OR QUASI-SINGLE CRYSTAL ORIENTATION, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

単結晶又は準単結晶配向性を有する金属基板の表面に電気鍍金により形成された二軸集合組織を有する純金属又は合金鍍金層及びその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a pure-metal or alloy plating layer having a biaxial texture and formed by electroplating on the surface of a metal substrate having single crystal or quasi-single crystal orientation and provide its manufacturing method. - 特許庁