障壁接合の英語

本発明に係る金属積層板は、金属材質の障壁層と、障壁層の一面に形成され、障壁層とメッキにより結合される金属膜と、金属膜に接合される絶縁体と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

This metal laminate plate includes: a barrier wall layer of metal material; a metal film formed on one surface of the barrier wall layer and coupled to the barrier wall layer by plating; and an insulator joined to the metal layer. - 特許庁

トンネル障壁層の酸化物あるいは窒化物がトンネル障壁層全体にわたって均一かつ均質になるように、トンネル接合素子内のトンネル障壁層のための材料を処理する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method by which a material used for forming the tunnel barrier layer of a tunnel junction element can be treated so that the oxide or nitride of the barrier layer may be distributed uniformly and homogeneously throughout the layer. - 特許庁

トンネル障壁層の酸化および窒化がトンネル障壁層全体を通して均一かつ均質になるように、トンネル接合素子内の上層を通して非導電性トンネル障壁層を処理する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method by which a nonconductive tunnel barrier layer of a tunnel junction element can be treated through layers overlying the barrier layer so that the oxide and nitride of the barrier layer may be distributed uniformly and homogeneously throughout the barrier layer. - 特許庁

半導体と金属との接合時に自然に形成されるショットキートンネル障壁をトンネル障壁として用いたショットキー障壁トンネルトランジスタのゲート側壁の損傷によるリーク電流を最小化するショットキー障壁トンネルトランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a schottky tunnel barrier transistor, capable of minimizing leakage current due to the damage of the gate sidewall of a Schottky tunnel barrier transistor that uses a Schottky tunnel barrier formed naturally in joining of a semiconductor and a metal, as a tunnel barrier. - 特許庁

トンネル接合素子の非導電性トンネル障壁層を、トンネル障壁層を覆う少なくとも１つの上層を通して、トンネル障壁層に照射される紫外光に暴露することにより、均一なトンネル障壁層への上記の要求に対処する。例文帳に追加

When the nonconductive tunnel barrier layer of the tunnel junction element is exposed to ultraviolet rays projected upon the barrier layer through at least one upper layer covering the barrier layer, the oxide and nitride of the barrier layer can be distributed uniformly and homogeneously throughout the barrier layer. - 特許庁

少数キャリアの注入が抑制される炭化シリコン接合障壁ショットキーダイオード例文帳に追加

SILICON CARBIDE JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE WITH SUPPRESSED MINORITY CARRIER INJECTION - 特許庁

チャネル層１４と電子障壁層１６とはヘテロ接合２８を形成している。例文帳に追加

The channel layer 14 and the electron barrier layer 16 form a hetero junction 28. - 特許庁

また、表面負電極７を障壁層６とはショットキー接合されている。例文帳に追加

The surface negative electrode 7 and the barrier layer 6 are subjected to Schottky junction. - 特許庁