The fluoran compound represented by formula (1), such as 3-di(n-amyl)amino-6-methyl-7-(N-p-tolylsulfonylaminocarbonyl)anilinofluoran, is obtained by the reaction of a fluoran compound, e.g. 3-di(n-amyl)amino-6- methyl-7-anilinofluoran, with an isocyanate compound such as p-tolylisocyanate and p-tolylsulfonyl isocyanate.例文帳に追加

３−ジ（ｎ−アミル）アミノ−６−メチル−７−（Ｎ−ｐ−トリルスルホニルアミノカルボニル）アニリノフルオランなどの一般式（１）で示されるフルオラン化合物は、例えば３−ジ（ｎ−アミル）アミノ−６−メチル−７−アニリノフルオランなどのフルオラン化合物とｐ−トリルイソシアネート、ｐ−トリルスルホニルイソシアネートなどのイソシアネート化合物との反応により得られる。 - 特許庁

The resist composition is prepared by dissolving a base resin component (A) and an oxime sulfonate acid generator (B) in an organic solvent (C) containing methyl n-amyl ketone.例文帳に追加

ベース樹脂成分（Ａ）と、オキシムスルホネート系酸発生剤（Ｂ）を、メチルｎ−アミルケトンを含有する有機溶剤（Ｃ）に溶解してなることを特徴とするレジスト組成物。 - 特許庁

An insect-proof agent having repellent performances for the coming flying insect pests comparable to DEET (N,N-diethyl-toluamide) without exerting the adverse effects on the human bodies can be provided by using cinnamyl acetate, amyl cinnamate, and isoamyl cinnamate which are one kind each of cinnamic acid derivatives.例文帳に追加

桂皮酸誘導体の一種である、酢酸シンナミル、アミルシンナメート、イソアミルシンナメートを用いることで、人体に対して悪影響を与えることが無く、ＤＥＥＴに匹敵する飛来害虫忌避性能を有する防虫剤を提供することができる。 - 特許庁

The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes an alcohol solvent A, and a solvent B made of n-amyl acetate or ethyl acetate or the admixture thereof.例文帳に追加

α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるアルコール溶媒Ａと、酢酸−ｎ−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Ｂとを含むレジスト現像剤。 - 特許庁

This solution material is prepared by adding 1,500-5,000 ppm Hdpm to a mixture comprising at least one organometallic compound material and at least one organic solvent selected from among tetrahydrofuran, methyltetrahydrofuran, n-octane, isooctane, hexane, cyclohexane, pyridine, lutidine, butyl acetate, and amyl acetate.例文帳に追加

１種又は２種以上の有機金属化合物原料と、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ｎ-オクタン、イソオクタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ピリジン、ルチジン、酢酸ブチル及び酢酸アミルからなる群より選ばれた１種又は２種以上の有機溶媒とを混合してなる原料液に添加剤としてＨｄｐｍを１５００〜５０００ｐｐｍを含む。 - 特許庁

A method for forming a resist pattern includes steps of: forming a resist layer containing a polymer of α-chloromethacrylate and α-methylstyrene on a substrate; performing rendering or exposure of a predetermined pattern by irradiating the resist layer with an energy beam; and developing the rendered or exposed resist layer with a developer containing n-amyl acetate at ≤5°C.例文帳に追加

基板上に、α−クロロメタクリレートとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層にエネルギービームを照射することにより、所定のパターンの描画又は露光を行う工程と、酢酸−ｎ−アミルを含む５℃以下の現像剤によって、前記描画又は露光されたレジスト層を現像する工程と、を含む。 - 特許庁

The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes a solvent A containing fluorocarbon, and a solvent B higher in solubility for the resist layer than the solvent A and made of n-amyl acetate, or ethyl acetate or the admixture thereof.例文帳に追加

α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高い酢酸−ｎ−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Ｂとを含む。 - 特許庁

The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes a solvent A containing fluorocarbon, an alcohol solvent B higher in solubility for the resist layer than the solvent A, and a solvent C made of n-amyl acetate or ethyl acetate or the admixture thereof.例文帳に追加

α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いアルコール溶媒Ｂと、酢酸−ｎ−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Ｃとを含む。 - 特許庁

The raw solution material includes a raw material liquid prepared by mixing one or more raw organometallic compounds, and one or more organic solvents selected from the group consisting of tetrahydrofuran, methyltetrahydrofuran, n-octane, iso-octane, hexane, cyclohexane, pyridine, lutidine, butyl acetate and amyl acetate, and alcohol of 0.1-1,000 ppm as an additive.例文帳に追加

１種又は２種以上の有機金属化合物原料と、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ｎ-オクタン、イソオクタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ピリジン、ルチジン、酢酸ブチル及び酢酸アミルからなる群より選ばれた１種又は２種以上の有機溶媒とを混合してなる原料液に添加剤としてアルコールを０．１〜１０００ｐｐｍを含む。 - 特許庁