ORGANIC METAL COMPLEX, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, SOLUTION COMPOSITION COMPRISING THE ORGANIC METAL COMPLEX, LIQUID CRYSTAL RAW MATERIAL, AND LIQUID CRYSTAL ELEMENT, AND NON-DESTRUCTIVE READABLE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

有機金属錯体、その製造方法、該有機金属錯体溶液組成物、液晶素材、および、液晶素子、ならびに、非破壊読み出し可能メモリー素子 - 特許庁

To obtain a magnetic memory element and a recording and reproducing method employing the same capable of performing readout in a non- destructive manner and reducing an operating current at writing and readout.例文帳に追加

非破壊の読み出しが可能で、かつ書き込み及び読み出しの際の動作電流を低減することができる磁気メモリ素子及びこれを用いた記録再生方法を得る。 - 特許庁

To provide a memory element in which a manufacturing cost can be reduced markedly, without the need for using expensive materials, read-out of data is non-destructive, and a cell area can be made small, and which can cope to future scalings over a long period.例文帳に追加

高価な材料を用いる必要がなく製造コストを格段に引き下げることができ、データの読み出しが非破壊で、セル面積を小さくでき、将来のスケーリングに永く対応できる記憶素子を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory which has a completely new cell structure capable of almost completely solving the problems which ferroelectric memories of types of 1T1C, 2T2C, simple matrix and 1T have, and capable of enabling non-destructive reading.例文帳に追加

本発明の目的は、１Ｔ１Ｃ型、２Ｔ２Ｃ型、単純マトリクス型、及び１Ｔ型強誘電体メモリの持つ課題をほぼ完全に解決する全く新しいセル構造を有し、且つ非破壊読み出しを可能とした強誘電体メモリを提供することにある。 - 特許庁

The voltages applied to the capacitors 51, 52 are in a range where their polarization returns to original displacements, and hence the connection information of the ferroelectric memory cells is never lost but the non-destructive read is enabled.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ５１，５２に印加される電圧は、これを除去したあとに強誘電体キャパシタ５１，５２の分極がもとの偏位に戻る範囲であるので、強誘電体メモリセルの結線情報が出力により損なわれることがなく、非破壊読み出しが可能である。 - 特許庁