σ emissionとは 意味・読み方・使い方

To provide a novel π-σ conjugate polymer especially having a high degree of color purity of blue light emission suppressed in reduction of the degree of color purity of EL caused by formation of an excimer in spite of a π-σ conjugate fluoren-based polymer.例文帳に追加

π−σ共役系のフルオレン系ポリマーであるにも拘わらず、エキシマー形成によるＥＬの色純度悪化が抑制され、特に、青色発光の色純度の非常に高い新規なπ−σ共役ポリマーを提供する。 - 特許庁

To reduce the wavelength distribution σ of the emission wavelength, in a semiconductor light-emitting element having a substrate made of a different material from that of the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層と異なる材料の基板を有する半導体発光素子において、発光波長の波長分布σを小さくする。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer which includes a substrate made of a material different from a compound semiconductor forming a semiconductor layer and a group III compound semiconductor layer formed thereupon, and has an emission light wavelength distribution σ of ≤5 nm.例文帳に追加

半導体層を構成する化合物半導体と異なる材料からなる基板とこの上に成膜されたＩＩＩ族化合物半導体層を有し、発光波長の波長分布σが５ｎｍ以下の化合物半導体ウェーハを提供する。 - 特許庁

Sound emission efficiency σ can be maintained nearly equal, the vibration velocity amplitude v of the constituting member 1 is reduced by about 10 dB, and emission sound power P can be reduced.例文帳に追加

これによってコインシデンス周波数ｆｃを本発明が実施されない構成とほぼ同一に維持することができ、これによって音響放射効率σをほぼ同じに維持することができるとともに、構成部材１の振動速度振幅ｖを約１０ｄＢ低下して、放射音パワーＰを減少することができる。 - 特許庁

The carbon fiber material has 0.83-0.94 ratio A1/A2 of the measured value A1 of π*/σ* on the outermost surface and the maximum value A2 in a single fiber obtained by measurement of the cross section of the single fiber according to an electron energy loss spectroscopy using a field emission type electron microscope.例文帳に追加

本発明の炭素繊維材料の単繊維断面を電界放出型電子顕微鏡を用いて、電子エネルギー損失分光法で測定して得られるπ＊／σ＊の最表面測定値Ａ１と単繊維内部最高値Ａ２との比Ａ１／Ａ２が０．８３〜０．９４である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting element, the method including steps of using a substrate made of a material different from the material constituting a semiconductor layer and filming the substrate with a group-III compound semiconductor layer, wherein the method can make small a light emission wavelength distribution σ of the obtained semiconductor light-emitting layer.例文帳に追加

半導体層を構成する材料と異なる材料からなる基板を用い、この上にＩＩＩ族化合物半導体層を成膜する工程を有し、得られる半導体発光層の発光波長分布σを小さくすることが可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁