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えきすぱんだーげーとの英語
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「えきすぱんだーげーと」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17327件
（Ｆｅ_1-a Ｑ _a）_b Ｂ_x Ｍ_y Ｚｎ_z 但しＱはＣｏ、Ｎｉのいずれかまたは両方、ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの中から選ばれた１種又は２種以上の元素であり、a≦０.０５、８０原子％≦b、５原子％≦ｘ≦１２.５原子％、５原子％≦ｙ≦７.５原子％、０.０２５原子％≦ｚ≦０.２原子％である。例文帳に追加
The fine crystal particles in bccFe are deposited by heating the amorphous phase up to crystallization temperature or more and then cooling it, after quenching alloy melt with above mentioned composition into substantially amorphous single-phase structure. - 特許庁
勇敢にもパスパルトゥーはこう答え、客車からすたこら逃げだした。例文帳に追加
replied Passepartout courageously, in his turn retiring from the car,発音を聞く - JULES VERNE『80日間世界一周』
大面積スパッタリングターゲットのエラストマー接着例文帳に追加
ELASTOMER BONDING OF LARGE AREA SPUTTERING TARGET - 特許庁
レパートリーの中から戯曲を上演する劇団例文帳に追加
a theatrical company that performs plays from a repertoire発音を聞く - 日本語WordNet
このダミーパターンは、ＮＭＯＳトランジスタ１６のゲート絶縁膜２１およびゲート電極３１のそれぞれと同一層に形成されたゲート絶縁膜ダミーパターン２１ａおよびゲート電極ダミーパターン３１ａである。例文帳に追加
The dummy patterns are gate insulating film dummy patterns 21a and gate electrode dummy patterns 31a, which are formed on the same layers of the gate insulating films 21 and the gate electrodes 31 in NMOS transistors 16. - 特許庁
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「えきすぱんだーげーと」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17327件
選択ゲート線ＳＧＳＬは、第１ゲート電極、ゲート間絶縁膜、第２ゲート電極の順序で積層され、ゲート間絶縁膜は第１ゲート電極と第２ゲート電極とを接触させるためのＥＩパターンを有する。例文帳に追加
The selective gate line SGSL is formed by laminating a first gate electrode, an inter-gate insulating film, and a second gate electrode in this order, and the inter-gate insulating film has an EI pattern for bringing the first gate electrode into contact with the second gate electrode. - 特許庁
セカンダリに設定されているゲートキーパー１０３Ｂはゲートキーパー１０３Ａの状態を死活監視しており、ゲートキーパー１０３Ａに障害が発生するとゲートキーパー１０３Ｂはこれを検出する。例文帳に追加
The gatekeeper 103B set as a secondary apparatus monitors the live/dead state of the gatekeeper 103A and detects a fault which takes place in the gatekeeper 103A. - 特許庁
ダミーゲートパターン２２０は、複数の第１のダミーゲート電極２２２と、第２のダミーゲート電極２２４を備えている。例文帳に追加
A dummy gate pattern 220 comprises a plurality of first dummy gate electrodes 222 and a second dummy gate electrode 224. - 特許庁
Ｌａを４原子％以上１５原子％以下含み、Ｓｉを３原子％以上２５原子％以下含み、Ｃｏを１.５原子％以上１０原子％以下含み、Ｆｅを５０原子％以上９１.５原子％以下含んだＮａＺｎ_13型の結晶構造を主相に有する合金であって、前記合金に対してＣを０．２９原子％以上２．８原子％以下含有する磁気冷凍材料であることを特徴とする。例文帳に追加
The magnetic refrigeration material is an alloy having a NaZn_13 type crystal structure as a main phase which contains 4-15 atom% of La, 3-25 atom% of Si, 1.5-10 atom% of Co and 50-91.5 atom% of Fe, and further contains 0.29-2.8 atom% of C with respect to the alloy. - 特許庁
パンチスルー現象の発生を抑制する、二段式ゲート電極を有するＭＯＳＦＥＴ例文帳に追加
MOSFET HAVING TWO-STAGE GATE ELECTRODE INHIBITING OCCURRENCE OF PUNCH-THROUGH PHENOMENON - 特許庁
回転数演算部６０は現在ＳＷパターンでの角速度を、前期ＳＷパターンから現在ＳＷパターンに切り替わるまでの時間と前記ＳＷパターンでの指令値Δθ^*とから推定する。例文帳に追加
A number of revolutions calculating portion 60 estimates the angular speed with the current SW pattern from the time before the previous SW pattern is switched to the current SW pattern and the command value Δθ* with the previous pattern. - 特許庁
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