きたあいおいちょうの英語

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体気相エピタキシャル成長方法及び成長装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させる成長速度を向上したＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a group III nitride semiconductor crystal, by which the growth speed of the group III nitride semiconductor crystal is improved, and to provide an apparatus for growing a group III nitride semiconductor crystal. - 特許庁

情報処理装置およびＩＤタグ付き通帳例文帳に追加

INFORMATION PROCESSOR, AND BANKBOOK WITH ID TAG - 特許庁

気相成長装置およびＩＩＩ族窒化物半導体膜の形成方法例文帳に追加

VAPOR PHASE GROWTH APPARATUS AND METHOD FOR FORMING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR FILM - 特許庁

体調が正常な場合の起床直後の体温例文帳に追加

body temperature発音を聞く  - EDR日英対訳辞書

ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板および半導体デバイス例文帳に追加

METHOD FOR GROWING GROUP III NITRIDE CRYSTAL, GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

基板（１２）を次にＩＩＩ−Ｖ半導体成長に適切な温度まで加熱し、結晶質ＩＩＩ−Ｖ半導体バッファ層（１４）を成長させる。例文帳に追加

Next, the substrate (12) is heated up to a temperature suitable for growing III-V semiconductor and crystalline III-V semiconductor buffer layer (14) is grown. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物半導体及びＩＩＩ族窒化物半導体成長用基板例文帳に追加

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND SUBSTRATE FOR GROWING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁