| 意味 | 例文 (122件) |
げるまにうむとらんじすたの英語
追加できません
(登録数上限)
単語を追加
「げるまにうむとらんじすた」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 122件
シリコン−ゲルマニウム・トランジスタおよび関連方法例文帳に追加
SILICON-GERMANIUM TRANSISTOR AND RELATED METHOD - 特許庁
トランジスタのベースはシリコンゲルマニウムより成ることができる。例文帳に追加
The base of the transistor is made of silicon germanium. - 特許庁
ゲルマニウムフォトトランジスタのフローティングボディ効果を高める。例文帳に追加
To improve floating body effect of a germanium photo transistor. - 特許庁
ゲルマニウムを含むチャネルを有するトランジスタを作る方法例文帳に追加
MANUFACTURING METHOD FOR TRANSISTOR WITH GERMANIUM-CONTAINING CHANNEL - 特許庁
半導体層はシリコンゲルマニウム層とし、特に、半導体装置に横型バイポーラトランジスタとともに形成するシリコンゲルマニウムヘテロ接合バイポーラトランジスタの形成に用いるシリコンゲルマニウム層を利用する。例文帳に追加
The semiconductor layer is made into a silicon-germanium layer, and especially the silicon-germanium layer is utilized to form a silicon-germanium heterojunction bipolar transistor, formed along with a horizontal-type bipolar transistor for the semiconductor device. - 特許庁
シリコン・ゲルマニウム・バイポーラ・トランジスタの製造方法例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING SILICON GERMANIUM BIPOLAR TRANSISTOR - 特許庁
多結晶シリコントランジスタのソースおよびドレイン領域にゲルマニウムイオンを注入することにより、シリコンゲルマニウム領域を形成する。例文帳に追加
A silicon/germanium region is formed by implanting germanium ions into the source and drain regions of a polycrystalline silicon transistor. - 特許庁
-
履歴機能
過去に調べた
単語を確認! -
語彙力診断
診断回数が
増える! -
マイ単語帳
便利な
学習機能付き! -
マイ例文帳
文章で
単語を理解! -
「げるまにうむとらんじすた」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 122件
ＭＯＳトランジスタのゲルマニウムがドーピングされたポリシリコンゲートの形成方法及びこれを利用したＣＭＯＳトランジスタの形成方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING GERMANIUM DOPED POLYSILICON GATE OF MOS TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING CMOS TRANSISTOR USING THE SAME - 特許庁
基板上に、非単結晶ゲルマニウム膜からなる活性層と、酸化ジルコニウム又は酸化ハフニウムからなるゲート酸化膜とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。例文帳に追加
In the thin film transistor, the active layer formed of a non-single crystal germanium film and a gate oxide film formed of a zirconium oxide or a hafnium oxide are formed on a substrate. - 特許庁
アルミニウムドープゲートを有するプログラマブルIII−窒化物トランジスタを提供する。例文帳に追加
To provide a programmable III-nitride transistor with an aluminum-doped gate. - 特許庁
薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う絶縁層にボロン元素またはアルミニウム元素を含ませる。例文帳に追加
Boron elements or aluminum elements are contained in an insulating layer covering an oxide semiconductor layer of a thin-film transistor. - 特許庁
薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う絶縁層にボロン元素またはアルミニウム元素を含ませる。例文帳に追加
An insulating layer which covers an oxide semiconductor layer of the thin film transistor contains a boron element or an aluminum element. - 特許庁
ゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a field effect transistor having a germanium nano-rod and a method of manufacturing the field effect transistor. - 特許庁
ゲルマニウムチャンネル領域を有する非平面トランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a non-planar transistor having a germanium channel region and a method for manufacturing the same. - 特許庁
光吸収しきい値バイアス領域を有するフローティングボディゲルマニウムフォトトランジスタ例文帳に追加
FLOATING BODY GERMANIUM PHOTO TRANSISTOR WITH PHOTO ABSORPTION THRESHOLD BIAS REGION - 特許庁
|
| 意味 | 例文 (122件) |
|
|
げるまにうむとらんじすたのページの著作権
英和・和英辞典
情報提供元は
参加元一覧
にて確認できます。
|
Copyright(c)2024 総務省 統計局 All rights reserved 政府統計の総合窓口（e-Stat） |
|
| Copyright © 2024 CJKI. All Rights Reserved |
ピン留めアイコンをクリックすると単語とその意味を画面の右側に残しておくことができます。 |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！
みんなの検索ランキング
閲覧履歴
 | 「げるまにうむとらんじすた」のお隣キーワード |
weblioのその他のサービス
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
