こうはつせいへんたいの英語

可変抵抗素子を備えた不揮発性半導体記憶装置の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE COMPRISING VARIABLE RESISTIVE ELEMENT - 特許庁

可変抵抗素子とその製造方法及び不揮発性半導体記憶装置例文帳に追加

VARIABLE RESISTIVE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE - 特許庁

負荷変動に対する応答性及び発電効率を向上させる。例文帳に追加

To improve response properties and power generation efficiencies in load changes. - 特許庁

太陽光発電システム、及び、当該システムを構成する電力変換装置例文帳に追加

PHOTOVOLTAIC POWER GENERATION SYSTEM AND POWER CONVERSION DEVICE COMPRISING SYSTEM - 特許庁

この発明は、偏光変換素子に与えられる温度の分布を考慮し、耐熱性、耐久性のある偏光変換素子を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a polarization converting element which has heat resistance and durability while taking a distribution of temperature imparted to the polarization converting element into consideration. - 特許庁

抵抗変化型不揮発性メモリ、抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法、記録方法、再生方法、消去方法、抵抗変化材料微細構造体および抵抗変化材料微細構造体の製造方法例文帳に追加

RESISTANCE-VARIABLE NONVOLATILE MEMORY, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, METHOD FOR RECORDING, METHOD FOR REPRODUCTION, METHOD FOR ERASURE, FINE STRUCTURE MADE OF RESISTANCE-VARIABLE MATERIAL, AND METHOD OF MANUFACTURING FINE STRUCTURE MADE OF RESISTANCE-VARIABLE MATERIAL - 特許庁

抵抗変化型不揮発性メモリ素子とその作製方法及び不揮発性半導体記憶装置例文帳に追加

VARIABLE-RESISTANCE NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, CREATING METHOD THEREOF, AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY - 特許庁

局部的な発熱や発電負荷の変化による発熱域の変化に良好に対応できるとともに、制御の信頼性を向上できるようにする。例文帳に追加

To achieve good response to the change of a heat generation region due to local heat generation and the change of power generation load, and to improve reliability of control. - 特許庁