じぴりだもーるの英語

共用メモリーを使用するＭＰＥＧデコーダー例文帳に追加

MPEG DECODER USING COMMON USE MEMORY - 特許庁

部品Ｐ１〜Ｐ３（Ｐ１_1 〜Ｐ１_3 ，Ｐ２_1 〜Ｐ２_3 ，Ｐ３_1 〜Ｐ３_6 ）の配置順が与えられると、その順序に従って素材Ｗに対する部品Ｐ１〜Ｐ３の配置順を定める部品配置位置決定手段７を設ける。例文帳に追加

This sheet metal nesting device is provided with a component arrangement position determination means 7 determining arrangement order of components P1-P3 to a material W according to the order when the arrangement order of the components P1-P3 is given. - 特許庁

グルーブ部にマークを書き込むことが可能で、かつプレピット領域を持つ光記録媒体において、グルーブ幅（Ｗｇ）とランド幅（Ｗｌ）とプレピットの幅（Ｗｐ）が、Ｗｌ＜ＷｇかつＷｐ＜Ｗｇ、もしくは、Ｗｌ＞ＷｇかつＷｐ＞Ｗｇを満たすように構成した。例文帳に追加

This optical recording medium is capable of being written a mark M in the group G part, is provided with a prepit PP area, and is constituted so that the group width Wg, land width Wl and prepit width Wp satisfy the condition of Wl<Wg and Wp<Wg or the condition of Wl>Wg and Wp>Wg. - 特許庁

（１）複数のフラッシュメモリ・モジュールＰＤＥＶ（Ｐ００〜Ｐ３５）をまとめたウエアレベリング・グループＷＤＥＶ（Ｗ００〜Ｗ３０）を定義する。例文帳に追加

(1) Wear leveling groups WDEVs (W00-W30) collecting the plurality of flash memory modules PDEVs (P00-P35) are defined. - 特許庁

二次転写ローラに対して、第１のピーク・ツー・ピーク電圧Ｖｐｐ（１）を印加する第１の期間と、第１のピーク・ツー・ピーク電圧よりも低い第２のピーク・ツー・ピーク電圧Ｖｐｐ（２）を印加する第２の期間とを交互に繰り返すように交番電圧を印加する。例文帳に追加

An alternating voltage is applied to a secondary transfer roller so that a first period in which a first peak-to-peak voltage Vpp(1) is applied and a second period in which a second peak-to-peak voltage Vpp(2), lower than the first peak-to-peak voltage, is applied are alternately repeated. - 特許庁

コードリーダ2Aは、ＰＣ3からＢＯＯＴＰリプライを受信すると、元のＩＰアドレス「192.168.100.1」を不揮発メモリ5に保存すると共にＢＯＯＴＰリプライに含まれている仮ＩＰアドレス「10.10.14.1」がコードリーダ2AのＩＰアドレスとして設定される。例文帳に追加

When a code reader 2A receives a BOOTP reply from PC3, it stores an original IP address "192.168.100.1" in a non-volatile memory 5 and sets a temporary IP address "10.10.14.1" included in the BOOTP reply as an IP address of the code reader 2A. - 特許庁

樹脂フィルムの幅Ｗ１は、螺旋のピッチＰよりも小さい。例文帳に追加

The width W1 of the resin film is smaller than a spiral pitch P. - 特許庁

ｎ^+埋め込み領域ＮＢとｐ^-エピタキシャル領域ＥＰ２との間には、ｐ^-エピタキシャル領域ＥＰ２よりも高いｐ型不純物濃度を有するｐ^+埋め込み領域ＰＢが形成されている。例文帳に追加

Between the n^+ buried region NB and the p^- epitaxial region EP2, a p^+ buried region PB having a p-type impurity concentration higher than that of the p^- epitaxial region EP2 is formed. - 特許庁