せいばいあすの英語

集束電極は数keVに正バイアスされて、陰極の像を無限遠に集束させる。例文帳に追加

The focusing electrode is positively biased to several keV to focus the image of the cathode at infinity. - 特許庁

そして、ゲート電極７に正バイアス印加し、浮遊電極８に電子を蓄積される。例文帳に追加

A positive bias is applied to the gate electrode 7, and electrons are accumulated in the floating electrode 8. - 特許庁

第１の反強磁性層４２０は、第１の強磁性バイアス層４１０の磁化４１６の方向を設定する。例文帳に追加

The layer 420 sets the direction of the magnetization 416 in the layer 410. - 特許庁

硬磁性バイアス層３３８，３４０は、硬磁性バイアス層中に磁気異方性を引き起こすように、低電力イオンミル処理されたシード層３４２，３４４の上に形成される。例文帳に追加

Hard magnetic bias layers 338 and 340 are formed on seed layers 342 and 344 subjected to low-voltage ion milling, to cause magnetic anisotropy in the hard magnetic bias layer. - 特許庁

第１の強磁性バイアス層と向かい合ったフリー層４０６の一部分４１４の磁化４１８は、第１の強磁性バイアス層の磁化４１６とは反対の方向を向いている。例文帳に追加

Magnetization 418 in the portion 414 of the free layer 406 facing the first ferromagnetic bias layer faces a direction opposite to the magnetization 416 of the first ferromagnetic bias layer. - 特許庁

軟磁性バイアスギャップ層５と、軟磁性バイアス層６と、分離層７と、磁気抵抗効果層８と、磁気抵抗効果ギャップ層９とに、ＭＲ素子１のトラック幅方向に形成された段差部１ｂを設ける。例文帳に追加

A soft magnetic bias gap layer 5, a soft magnetic bias layer 6, a separation layer 7, magneto-resistance effect layer 8 and a magneto- resistance effect gap layer are provided with a step part 1b formed in the track width direction of a MR element 1. - 特許庁

スイッチング電源７２は，高湿環境下で選択され，規制部材４に対して，規制バイアスＶＢＬの最小値ＶＢＬｍｉｎが現像バイアスＶｂよりも小さく，規制バイアスＶＢＬの最大値ＶＢＬｍａｘが現像バイアスＶｂよりも大きくなる振動バイアスを印加する。例文帳に追加

The switching power supply 72 is selected under the high-humidity environment, and applies to the regulation member 4 the oscillation bias in which the minimum value VBLmin of a regulation bias VBL is smaller than a developing bias Vb and the maximum value VBLmax of the regulation bias VBL is larger than the developing bias Vb. - 特許庁

調整バイアス発生部１２１は、トナーが感光体１１から分散状態調整ローラ５８に移動する向きのバイアス電圧を印加する。例文帳に追加

The adjustment bias generating part 121 applies a bias voltage to the direction that toner is moved from the photoreceptor 11 to the dispersed state adjustment roller 58. - 特許庁