せみこんだくたの英語

異なるパターンを有するセミコンダクターオンインシュレータタイプの微細電子構造体の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING MICROSCOPIC ELECTRONIC STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR TYPE HAVING DIFFERENT PATTERN - 特許庁

拡散技術で、セミコンダクターウェハーの両端面に、ｐ+型コンダクター１１及びｎ+型のセミコンダクター１２を形成し、それぞれ複数のダイオードを作る。例文帳に追加

By a diffusion technology a p+ type semiconductor 11 and an n+ type semiconductor 12 are formed on both end surfaces of a semiconductor wafer to make a plurality of diodes, respectively. - 特許庁

端面のセミコンダクターを相互絶縁の二部分へ区画する絶縁層３０を焼結する。例文帳に追加

An insulating layer 30 partitioning the semiconductor on the end surface to two sections of mutual insulation is sintered. - 特許庁

本発明は、セミコンダクタ・オン・インシュレータ基板を製造する方法に関する。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a semiconductor on insulator substrate. - 特許庁

放熱効果が高く、サイズが小さいセミコンダクターチップ用のパケージ構造を提供する。例文帳に追加

To provide a package structure for a small-sized semiconductor chip having high heat dissipation. - 特許庁

ダイオードの同一端に、二つの独立の半田付け導電端を形成し、半田付け導電端がｐ+型セミコンダクター及びｎ+型セミコンダクターと導電する。例文帳に追加

Two independent soldering conductive edges are formed at the same end of the diode, and conduct a current with the p+ type semiconductor 11 and the n+ type semiconductor 12. - 特許庁

セミコンダクタ・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板上に形成されたボディ接触ハイブリッド・サーフェス・セミコンダクタ・オン・インシュレータ（ＨＳＳＯＩ）デバイスおよびこれを製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a body contact hybrid surface semiconductor-on-insulator (HSSOI) device formed on a semiconductor-on-insulator (SOI) substrate, and a manufacturing method thereof. - 特許庁

パターン形成された埋込み絶縁体層を異なる深さに含む、改善されたセミコンダクタ・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor-on-insulator (SOI) substrate which has a patterned buried insulator layer included in differing depths. - 特許庁