たかすずちょう３ちょうめの英語

ガラス板１上の所定領域に形成された成長起点３のみから薄膜が成長を開始するように成分を調整した原料ガスを用いた化学蒸着（ＣＶＤ）法により、薄膜（例えば酸化錫膜等の透明導電膜）を上記所定領域に選択的に成長させる。例文帳に追加

By a chemical vapor deposition (CVD) process using a gaseous starting material in which components are regulated in such a manner that thin films start to grow only from growth starting points 3 formed at prescribed regions on a glass plate 1, thin films (e.g., transparent electrically conductive films such as tin oxide films) are selectively grown on the above prescribed regions. - 特許庁

錫ドープ酸化インジウムナノ粒子は、透過型電子顕微鏡による観察で測定された一次粒子の平均粒径が５〜１００ｎｍであり、ピクノメーター法で測定された真密度が６．８〜７．２ｇ／ｃｍ^3であることを特徴とする。例文帳に追加

The tin-doped indium oxide nanoparticle has an average primary particle size of 5-100 nm as determined by transmission electron microscopic observation, true density of 6.8-7.2 g/cm^3 as determined by pycnometry. - 特許庁

少なくとも、液晶ポリマー絶縁層１ａを具備する配線基板において、液晶ポリマー絶縁層１ａに設けられた貫通孔３の内壁に、錫並びにインジウムを含まない金属めっき５がほどこされたことを特徴とする。例文帳に追加

This wiring board comprises at least the liquid crystal polymer insulating layer 1a, and the metal plating 5 containing neither tin nor indium is applied to the inner wall of the through hole 3 formed in the liquid crystal polymer insulating layer 1a. - 特許庁

電気導体品３に電気メッキにより錫メッキを施す方法であって、２つの陰極を用意し、一方の陰極に錫メッキを施す電気導体品３を接続し、他方の陰極にダミー用の金属導体９を接続し、他方の陰極への印加電圧（Ｖ２）を、一方の陰極への印加電圧（Ｖ１）より高くすることを特徴とする。例文帳に追加

In the method of tinning the electrically conductive part 3 by electroplating, two cathodes are prepared, the electrically conductive part 3 to be tinned is connected to one cathode, a metal conductor 9 for a dummy is connected to the other cathode, and applied voltage (V2) to the other cathode is made higher than the applied voltage (V1) to the one cathode. - 特許庁