てぬあぞんさんの英語

例えば３Ｃ−ＳｉＣに、Ｍｎ，Ｎをそれぞれ２５％添加する構成にする。例文帳に追加

For example, each of Mn and N is added to 3C-SiC by 25%. - 特許庁

またＮ，Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′，Ｎ′−ヘキサエチル−１，６−ジアゾニアヘキサンジヒドロキシド又はその塩を有機テンプレートとしてゼオライトを合成する。例文帳に追加

Furthermore, the N,N,N,N',N',N'-hexaethyl-1,6-diazoniahexane dihydroxide or its salt is used as the organic template to synthesize the zeolite. - 特許庁

ブロックの画像信号をｘ_ｉ（ｎ_０，ｎ_１）にＰＮ系列Ｓ_ＰＮｉ（ｎ_０，ｎ_１）を乗じてスペクトル拡散する（Ｓ１）。例文帳に追加

X_i (n_0, n_1) of the image signal of a block is multiplied with PN series S_PNi(n_0, n_1) for spread spectrum (S1). - 特許庁

ナノ粒子酸化物は、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２またはＮｂ_２Ｏ_５であることが望ましい。例文帳に追加

The nano-particle oxide is preferably, TiO_2, SnO_2 or Nb_2O_5. - 特許庁

そして、入力端子ＩＮ，ＱＮにスイッチ回路３０が接続されている。例文帳に追加

A switching circuit 30 is connected to input terminals IN and QN. - 特許庁

ｐ-ｎ接合ＧａＮナノロッドのｐ-ｎ接合面にＩｎＧａＮ量子井戸(quantum well)を差し込んで、ｎ型ＧａＮナノロッド３１、ＩｎＧａＮ量子井戸３３、およびｐ型ＧａＮナノロッド３５がこの順に長手方向に連続してなるＧａＮナノロッド３０を用いる。例文帳に追加

This LED uses a GaN nano rod 30 in which an n-type GaN nanorod 31, an InGaN quantum well 33, and a p-type GaN nano rod 35 are arranged continuously in the longitudinal direction, by inserting the InGaN quantum well 33 between the junction surfaces of the p-n junction GaN nanorods 31 and 35. - 特許庁

Ｉｎ−Ｓｎ酸化物粉末及びＩＴＯターゲット材の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING In-Sn OXIDE POWDER AND ITO TARGET MATERIAL - 特許庁

ここで、下部Ｔｉ層３の厚さＡは、１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であり、中間金属層４の厚さＢは、３５ｎｍ以上、６５ｎｍ以下であり、上部Ｔｉ層５の厚さＣは、１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下である。例文帳に追加

In such a case, the thickness A of the lower part Ti layer is ≥10 and ≤30 nm, the thickness B of the intermediate metal layer 4 is ≥35 and ≤65 nm, and the thickness C of the upper part Ti layer 5 is ≥10 and ≤30 nm. - 特許庁