まくはりほんごう３ちょうめの英語

内面または外面、あるいは両面にセラミック薄膜4 がコーティングされたプラスチック容器本体2 の外側に、４００ｎｍ以上５２０ｎｍ以下の波長範囲全域で光線透過率が１％以下であるフィルム3 が巻かれている。例文帳に追加

A film 3 of which the light transmissivity within an entire wavelength range of 400-520 nm is 1% or less is wound around the outer surface of a plastic container main body 2 having a ceramic membrane 4 applied to the inner or outer surface or both surfaces thereof. - 特許庁

本発明の透明導電性積層体１０は、透明なフィルム基材１の一方の面に、凹凸構造層２、第１誘電体薄膜３、第２誘電体薄膜４および透明な導電性薄膜５が順次積層されており、前記フィルム基材１の他方の面に透明な粘着剤層７を介して透明基体８が貼り合わされていることを特徴とする。例文帳に追加

The transparent conductive laminate 10 has a rugged structure layer 2, a first dielectric thin film 3, a second dielectric thin film 4, and a transparent conductive thin film 5 laminated in turn on one of the faces of a transparent film base material, with a transparent base body 8 bonded to the other face of the film base material through a transparent adhesive layer 7. - 特許庁

本発明に係わるエピタキシャルウェーハ１は、リン濃度が１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３オーダーであり、酸素濃度が１．３×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコン基板１０上に、リン濃度が１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３オーダーで、膜厚が０．５〜２０μｍのエピタキシャル層２０を有することを特徴とする。例文帳に追加

An epitaxial wafer 1 has an epitaxial layer 20 having a phosphorus concentration of a 10^16 atoms/cm^3 order and a film thickness of 0.5-20 μm on a silicon substrate 10 having a phosphorus concentration of a 10^19 atoms/cm^3 order and an oxygen concentration of 1.3×10^18 atoms/cm^3 or lower. - 特許庁

本発明に係る微細加工用型１は、微細な構造が形成された薄片型２と、この薄片型２の材料と熱膨張係数が同一または略同等の材料からなり薄片型２より厚みの大きい台座３とが、薄膜４を介して接合されてなる。例文帳に追加

The microprocessing mold is constituted by joining a thin piece mold 2 having a microstructure formed thereto and a pedestal 3, which is composed of a material of which the coefficient of thermal expansion is same to or almost equal to that of the material of the thin piece mold 2 and thicker than the thin piece mold 2, through a thin film 4. - 特許庁