みそのくじょう３ちょうめの英語

容易な磁区壁の拡張と異常ホール効果とに基づく磁気メモリデバイスが面に垂直な磁性かつ導電性の要素（２）を含み、その要素がメモリノード（３）を含んでいる。例文帳に追加

A magnetic memory device based on easy domain wall propagation and the extraordinary Hall effect includes a perpendicular-to-plane magnetic and electrically conductive element (2) that includes a memory node (3). - 特許庁

営巣撤去具１は、所定の差込操作によって巣２に差込可能な長尺状の差込部３を備え、この差込部３には、巣２から抜け外れないようにすべく、抜け止め手段７ａ〜７ｄ，２１が設けられる。例文帳に追加

The instrument 1 for removing nests has a long-length insertion part 3 insertable into a nest 2 by a predetermined inserting operation, wherein the insertion part 3 is provided with anti-slipping-off means 7a to 7d, 21 so as not to slip off the nest 2. - 特許庁

恒温恒湿装置１は、第１空間３と、この第１空間３から気体を吸い込み、その温度及び湿度を調整しつつ第１空間３へ気体を還流させる第２空間４と、第１空間３と第２空間４を仕切る仕切壁５を備えた装置本体２と、送風機２０と、第２空間４内に配置された冷却除湿器３０とを備える。例文帳に追加

This thermo-hygrostat 1 includes a first space 3, a second space 4 for sucking a gas from the first space 3 and refluxing the gas to the first space 3 while adjusting its temperature and humidity, a device body 2 comprising a partitioning wall 5 to partition the first space 3 and the second space 4, a blower 20, and a cooling dehumidifier 30 disposed in the second space 4. - 特許庁

オーバーレイ表示機能を有する拡張ユニット４が装着されると、未装着時の経路、すなわち、本体ユニット３から表示ユニット２への経路に代えて、拡張ユニット４を介する経路が形成され、表示ユニット２には、パーソナルコンピュータからの画面がオーバーレイ表示される。例文帳に追加

When the extending unit 4 having an overlay display function is attached, a route via the unit 4 is formed as a substitute for a route obtained before attaching the unit 4, i.e., a route from the unit 3 to a display unit 2 and a picture obtained from a personal computer is displayed on the unit 2 in an overlaid state. - 特許庁

さらに、そのガードリング４の内側で埋込層６上のエピタキシャル成長層２の表面側に凹部７が形成され、凹部７に露出するエピタキシャル成長層２の表面上に、モリブデン（Ｍｏ）やチタン（Ｔｉ）などの半導体層２とショットキーバリア（ショットキー接合）を形成する金属層３が前述のガードリング４にかかるように設けられている。例文帳に追加

A recessed part 7 is formed on the surface side of the epitaxial growth layer 2 on the embedded layer 6, inside the guard ring 4, and on the surface of the epitaxial growth layer 2 exposed to the recessed part 7, a metal layer 3 which forms a Schottky barrier (Schottky junction) with the semiconductor layer 2, such as molybdenum (Mo) and titanium (Ti), is provided so as to overlap the guard ring 4. - 特許庁