みそのくじょう７ちょうめの英語

変態率推定手段４、表面温度推定手段５、厚み測定手段６、超音波測定手段７により、それぞれ、被検体１の変態率、表面温度、厚み、超音波の往復時間を求め、中心温度演算手段８に入力する。例文帳に追加

A transformation rate estimation means 4, a surface temperature estimation means 5, a thickness measurement means 6 and an ultrasonic wave measurement means 7 are used to obtain a transformation rate, a surface temperature, a thickness and reciprocation time of ultrasonic waves of a specimen 1, respectively, and inputted to the center temperature calculation means 8. - 特許庁

さらに、そのガードリング４の内側で埋込層６上のエピタキシャル成長層２の表面側に凹部７が形成され、凹部７に露出するエピタキシャル成長層２の表面上に、モリブデン（Ｍｏ）やチタン（Ｔｉ）などの半導体層２とショットキーバリア（ショットキー接合）を形成する金属層３が前述のガードリング４にかかるように設けられている。例文帳に追加

A recessed part 7 is formed on the surface side of the epitaxial growth layer 2 on the embedded layer 6, inside the guard ring 4, and on the surface of the epitaxial growth layer 2 exposed to the recessed part 7, a metal layer 3 which forms a Schottky barrier (Schottky junction) with the semiconductor layer 2, such as molybdenum (Mo) and titanium (Ti), is provided so as to overlap the guard ring 4. - 特許庁

窒化物半導体基板１は、下地層４上に成長し、厚み方向に沿った断面が略三角形状であって、かつ周期的なストライプ状をなし、ストライプの斜面６１上に凹凸面６２を設けられたＧａＮ系半導体層６と、ＧａＮ系半導体層６上に形成されたＡｌＧａＮ又はＩｎＡｌＧａＮからなる埋め込み層７とを備える。例文帳に追加

The nitride semiconductor substrate 1 comprises: a GaN-based semiconductor layer 6 which is grown on a base layer 4, whose cross section along the thickness direction is roughly triangular and forms a cyclic stripe shape, and for which recessed and projected surfaces 62 are provided on striped slopes 61; and an embedded layer 7 formed on the GaN-based semiconductor layer 6 and composed of AlGaN or InAlGaN. - 特許庁