みそのごじょう３ちょうめの英語

圧電基板１上に櫛歯状電極２を設けて成る弾性表面波素子において、櫛歯状電極２の保護膜３をシリコンにボロンをドープして形成したことを特徴とする。例文帳に追加

In an elastic surface wave element formed by providing a comb- like electrode 2 on a piezoelectric substrate 1, a protection film 3 of the comb- like electrode 2 is formed by doping silicon with boron. - 特許庁

恒温恒湿装置１は、第１空間３と、この第１空間３から気体を吸い込み、その温度及び湿度を調整しつつ第１空間３へ気体を還流させる第２空間４と、第１空間３と第２空間４を仕切る仕切壁５を備えた装置本体２と、送風機２０と、第２空間４内に配置された冷却除湿器３０とを備える。例文帳に追加

This thermo-hygrostat 1 includes a first space 3, a second space 4 for sucking a gas from the first space 3 and refluxing the gas to the first space 3 while adjusting its temperature and humidity, a device body 2 comprising a partitioning wall 5 to partition the first space 3 and the second space 4, a blower 20, and a cooling dehumidifier 30 disposed in the second space 4. - 特許庁

移動局３の操作者は、表示回路２５による表示によって基地局１における交差偏波測定が行われていないことを確認し、交差偏波調整のための測定信号を基地局へ送信するために測定オンを入力する。例文帳に追加

An operator of a mobile station 3 confirms that cross polarization measurement at a base station 1 is not performed, from an indication due to a display circuit 25 and inputs measurement-on for transmitting to the base station a measuring signal for cross polarization adjustment. - 特許庁

Ｙ、Ｌａを含む希土類元素の1種以上を１５％以下含有してもよく、延性に富み、塑性加工により厚さを０．０５〜３ｍｍにできることが特徴である。例文帳に追加

The alloy may comprise ≤15% of at least one of rare earth elements including Y and La, so as to be enough in ductility, and its thickness can be controlled to 0.05 to 3 mm by plastic working. - 特許庁

発泡層４と紙層５を少なくとも有する発泡ラベル３がプラスチック成形容器２の外面に設けられていることを特徴とする発泡ラベル付プラスチック成形容器１を提供することにより上記目的を達成した。例文帳に追加

The plastic molded container 1 with a foam label is provided with the foam label 3 having at least a foam layer 4 and a paper layer 5 on the outer surface of the plastic molded container 2. - 特許庁

埋め込み層１５は、ノンドープの半導体材料、ｐ型半導体層５よりもｐ型不純物濃度の低いｐ型半導体材料、又は、ｎ型不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下のｎ型半導体材料からなることを特徴とする。例文帳に追加

The embedded layer 15 is made of a non-doped semiconductor material, a p-type semiconductor material with lower p-type impurity concentration than the p-type semiconductor layer 5 or an n-type semiconductor material with n-type impurity concentration of 1×10^17 cm^-3 or less. - 特許庁

六面長方形の収納箱を形作る厚紙素材３の一端に、その収納箱の上板部４２に覆い被さる蓋板部５を、切れ目線ｘを介して一体に連接させるとともに、その蓋板部５の自由端側に係止舌片５３を設ける。例文帳に追加

A lid plate part 5 covering an upper plate part 42 of a storage box is integrally connected to one end of a cardboard stock material 3 forming the six-sided parallelepiped storage box via a cutting line x, and a locking tongue piece 53 is provided on a free end side of the lid plate part 5. - 特許庁

ＢＩＯＳ３は、起動された際にＲＯＭ５に記憶されている特性ばらつき情報を読み込み、その特性ばらつき情報に基づいて、各半導体メモリのバッファ能力の最適値を求め、各半導体メモリのバッファ能力を適度に調整するための設定処理をローカルバスを通じてメモリコントローラ４に対して行う。例文帳に追加

A BIOS 3 reads the characteristic dispersion information stored on the ROM 5 when it is started, finds the optimal value of the buffer capability of each of semiconductor memories on the basis of that characteristic dispersion information and performs setting processing for suitably controlling the buffer capability of each of semiconductor memories via a local bus to a memory controller 4. - 特許庁