アングル族の英語

英国を征服し、アングロサクソン人になるようにアングル族とジュート人と融合させたドイツ人のメンバー例文帳に追加

a member of a Germanic people who conquered England and merged with the Angles and Jutes to become Anglo-Saxons発音を聞く  - 日本語WordNet

ゲルマン民族の一員で、英国を征服し、アングル人とサクソン人を併合してアングロサクソン人になった例文帳に追加

a member of a Germanic people who conquered England and merged with the Angles and Saxons to become Anglo-Saxons発音を聞く  - 日本語WordNet

オフアングルのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウェーハを製造する際に、単結晶インゴットの切断に伴なう単結晶の損失部分を低減し、効率良くウェーハを製造できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method by which the loss part of a single crystal caused by cutting of a single crystal ingot can be reduced and wafers can be manufactured efficiently when group III-V compound semiconductor wafers of off-angle are manufactured. - 特許庁

単結晶基板上１に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成した発光素子１００において、単結晶基板１としてオフアングルを有するものを使用する。例文帳に追加

In the light-emitting element 100 in which a light-emitting layer 24 and the current diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductors are formed on a single-crystal substrate as the substrate 1, a substrate having an off-angle is used. - 特許庁

そして、該オフアングルを有する単結晶基板１上に、２種以上のＩＩＩ族元素を含む混晶化合物半導体よりなる発光層部２４を有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。例文帳に追加

The layer 24 made of a mixed crystal compound semiconductor containing two or more types of group III elements is formed by an organic metal vapor phase growing process, and the diffusion layer 7 is formed on the layer 24 by a hydride vapor growing process. - 特許庁

１または２種類以上の希土類元素を含む希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結晶を基板としてＧａＮ系化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結晶基板の（０１１）面から１°から４°だけオフアングルさせた面を成長面とするようにした。例文帳に追加

In the method of growing the GaN semiconductor crystal by using a rare earth 13 (3B) group perovskite crystal containing one or more kinds of rare earth elements as the substrate, a plane in an off-angle state by 1° to 4° from the (011) plane of the rare earth 13 (3B) perovskite crystal substrate is used as the growing plane. - 特許庁