エピタキシャル絶縁体の英語

本発明の半導体装置は、炭化珪素を含む第１エピタキシャル成長層２０と、第１エピタキシャル成長層２０の表層部に設けられた終端構造３０と、終端構造３０の上に設けられ、炭化珪素を含む第２エピタキシャル成長層４０と、第２エピタキシャル成長層４０の上に設けられた絶縁層５０とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device includes: a first epitaxially-grown layer 20 with a silicon carbide; the termination structure 30, which is provided on a surface part of the first epitaxially-grown layer 20; a second epitaxially-grown layer 40, which is provided on the termination structure 30 and has the silicon carbide; and an insulating layer 50, which is provided on the second epitaxially-grown layer 40. - 特許庁

開口５の側壁に絶縁体からなるサイドウォール６を形成し、その後、選択エピタキシャル成長法を用いて開口５内にエピタキシャル成長膜である単結晶シリコン膜８を形成する。例文帳に追加

A sidewall 6 constituted of an insulator is formed on the sidewall of the opening 5, and then a single crystal silicon film 8 which is an epitaxial growth film is formed in the opening 5 by using a selective epitaxial growing method. - 特許庁

積層体３４は、半絶縁性III族窒化物エピタキシャル層３５、３６と基板３２との間に設けられた窒化ガリウム系半導体層３７を含む。例文帳に追加

The laminate 34 includes a gallium nitride-based semiconductor layer 37 provided between the semiinsulating group III nitride epitaxial layers 35 and 36, and the substrate 32. - 特許庁

半絶縁性窒化物半導体基板とその製造方法並びに窒化物半導体エピタキシャル基板及び電界効果トランジスタ例文帳に追加

SEMI-INSULATING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE AND FIELD-EFFECT TRANSISTOR - 特許庁

半導体装置１は、ｎ型エピタキシャル層８と、エピタキシャル層８の表層部に形成されたｐ型ボディ領域１２と、ボディ領域１２の表層部に形成されたｎ型ソース領域１５と、エピタキシャル層８上に形成されたゲート絶縁膜１９と、ゲート絶縁膜１９上に形成されたゲート電極２０とを含む。例文帳に追加

A semiconductor device 1 comprises: an n-type epitaxial layer 8, p-type body regions 12 formed in a surface portion of the epitaxial layer 8; n-type source regions 15 formed in surface portions of the body regions 12; a gate insulating film 19 formed on the epitaxial layer 8; and gate electrodes 20 formed on the gate insulating film 19. - 特許庁

半導体素子１は、ｎ型エピタキシャル層８と、ｎ型エピタキシャル層８の表層部に形成されたボディ領域１２と、ボディ領域１２の表層部に形成されたｎ型ソース領域１６と、ｎ型エピタキシャル層８上に形成されたゲート絶縁膜１９と、ゲート絶縁膜１９上に形成されたゲート電極２０およびゲート保護ダイオード３０とを含む。例文帳に追加

A semiconductor device 1 includes: an n-type epitaxial layer 8; body regions 12 formed in a surface portion of the n-type epitaxial layer 8; n-type source regions 16 formed in a surface portion of the body regions 12; a gate insulating film 19 formed on the n-type epitaxial layer 8; and gate electrodes 20 and a gate protection diode 30 formed on the gate insulating film 19. - 特許庁

ＣＭＯＳ集積回路の製造に用いるゲルマニウム・エピタキシャル膜を絶縁体上で成長させる方法例文帳に追加

METHOD OF GROWING GERMANIUM EPITAXIAL FILM ON INSULATOR FOR USE IN FABRICATION OF CMOS INTEGRATED CIRCUIT - 特許庁

半導体エピタキシャル結晶ウエハを破壊することなく、基板とバッファ層との界面の絶縁性を評価する方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for evaluating insulation in an interface between a substrate and a buffer layer without destroying a semiconductor epitaxial crystal wafer. - 特許庁