エピタキシャル生成の英語

高濃度ジボランガスを水素ガスで希釈してエピタキシャル装置へ供給する混合ガス生成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a mixed gas generating device for diluting high density diborane gas with hydrogen gas, and supplying it to an epitaxial device. - 特許庁

トレンチをエピタキシャル成長によって埋め込む工程で、多結晶が生成しないようにして、トレンチ開口部を塞がないようにする。例文帳に追加

To prevent a trench aperture part from being closed, by preventing polycrystal from growing in a process for embedding trenches by epitaxial growth. - 特許庁

エピタキシャルウェーハの生産性を低下させることなくノズルの端部に堆積した材料ガスの成分からなる生成物を除去する。例文帳に追加

To remove a product consisting of the component of material gas deposited at the end of a nozzle, with no degradation in productivity of an epitaxial wafer. - 特許庁

非平面フタロシアニンの弱エピタキシャル膜の調製用である固溶体誘起層、および固溶体誘起層上での弱エピタキシャル成長から生成される非平面フタロシアニンの薄膜、非平面フタロシアニンの弱エピタキシー成長薄膜に基づく有機薄膜トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a solid solution induction layer for preparing a weak epitaxial film of nonplanar phthalocyanine, a thin film of nonplanar phthalocyanine formed by weak epitaxial growth on the solid solution induction layer, and an organic thin film transistor based on a weak epitaxial growth thin film of nonplanar phthalocyanine. - 特許庁

エピタキシャル成長層の厚さが厚くなった場合であっても、平坦度、エピ厚の面内バラツキの低減を一定レベル以下にし、しかもエピタキシャル成長の段階で生成される異物を、製造の工数、コストを増大させることなく完全に除去する。例文帳に追加

To reduce the scattering of flatness or the in-plane dispersion of epitaxial thickness to a specified level or lower when the epitaxially grown layer turns out to be thick, and to completely remove foreign matters produced during the epitaxial growth step without an increase in man-hours or costs. - 特許庁

エピタキシャル層を成長する際に面取り部においてノジュールが生成するのを抑制するために、エピタキシャルウエーハ用シリコン単結晶基板裏面のブロッキング膜の形状にむらが生じないように該基板の面取り部のブロッキング膜を選択的に除去する。例文帳に追加

To selectively remove a blocking film of the chamfered part of a substrate, without causing unevenness in the form of the blocking film on the back of an epitaxial wafer silicon single-crystal substrate for restricting a production of a nodule in the chamfered part when an epitaxial layer is growth, and further to efficiently and accurately remove the blocking film of this chamfered part with high productivity. - 特許庁

薄膜原料５１であるハロゲン化鉄を気化させたハロゲン化鉄ガスと窒素を含有した窒素源ガス７とを反応させて窒化鉄ガスを生成するステップと、この窒化鉄ガスを大気圧中で基板６１上に吸着させてエピタキシャル成長させることによって、窒化鉄のエピタキシャル膜６３を基板６１上に生成するステップとを含んでなる方法である。例文帳に追加

The method includes the following steps: a step where an iron nitrogen gas is produced by reacting an iron halide gas vaporized from an iron halide, a thin film raw material 51, and a nitrogen source gas 7 containing nitrogen; and a step where an epitaxial film 63 of iron nitride is formed on a substrate 61 by epitaxially growing the above iron nitride gas adsorbed under the atmospheric pressure on the substrate 61. - 特許庁

反応炉内に分解付着物が生成しないような構造とすることにより基板上への異物の付着を抑制し、分解付着物の再蒸発によるエピタキシャル薄膜の劣化を抑制でき、かつ反応炉内の分解付着物を取り除くためのメンテナンス回数を削減可能な構造の化合物半導体エピタキシャル成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor epitaxial growth device having a structure capable of suppressing deterioration of an epitaxial thin film by re-evaporation of decomposition extraneous matter by suppressing adhesion of foreign matter onto a substrate by allowing the structure to prevent generation of the decomposition extraneous matter in a reactor, and reducing the number of times of maintenance for removing the decomposition extraneous matter in the reactor. - 特許庁