エピタキシャル技術の英語

Ｎ−エピタキシャル層にバイアスをかけることを含む高電圧技術のための、完全集積化フローティング電源例文帳に追加

FULLY INTEGRATED FLOATING POWER SUPPLY FOR HIGH VOLTAGE TECHNOLOGY INCLUDING BIASING ON N-EPITAXIAL LAYER - 特許庁

エピタキシャル結晶成長技術でｐ層、ｎ層を形成しているので高不純物濃度のｐｎ接合が精度よく形成される。例文帳に追加

Since the p-layer and the n-layer are formed by epitaxial growth technology, a heavily doped pn junction is formed with high accuracy. - 特許庁

また、エピタキシャル成長技術を用いることによって、金属マーク部２０２の線幅を、原子層オーダで制御して形成することが可能である。例文帳に追加

The epitaxial growth technology is capable of controlling and forming the line width of the metal mark section 202 to an order of atomic layer. - 特許庁

エピタキシャルウェーハの外周部の厚さを容易且つ適切に制御することのできる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique that can easily and suitably control a thickness of an outer peripheral part of an epitaxial wafer. - 特許庁

そして、ＳＩＭＯＸ技術により、エピタキシャル成長層形成部にも埋め込み酸化膜を設け、各部をＳＯＩ構造とする。例文帳に追加

And, a buried oxide film is provided also in the epitaxial growth layer forming part by an SIMOX technology, and each part is made into an SOI structure. - 特許庁

ＰＸＬＥＤは、パターン化されたマスク層上で使用されるエピタキシャル横方向過度成長技術のような新しい製作技術で形成され、欠陥密度の低い半導体層が得られる。例文帳に追加

The PXLEDs are formed with novel fabrication techniques, such as the epitaxial lateral overgrowth technique over a patterned masking layer, yielding semiconductor layers with low defect density. - 特許庁

本発明は、半導体基板に形成されたソース領域とドレイン領域をそれぞれ選択エピタキシャル成長技術を用い成長させて形成したソース部とドレイン部とそれらの間に設けられたチャネル領域を備えたＭＯＳトランジスタを備え、前記選択エピタキシャル成長によって形成されたソース部とドレイン部の前記チャネル領域からの高さが異なることを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor comprises a source part and a drain part formed by using a selective epitaxial growth technique in a source region and a drain region, respectively, formed on a semiconductor substrate and a MOS transistor equipped with a channel region provided therebetween, wherein the height of the source part formed by the selective epitaxial growth from the channel region is different from that of the drain part. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体をエピタキシャル成長させるための基板等として使用可能な、大型のＺｒＢ_２で代表される二ホウ化物単結晶の成長技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology for growing a diboride single crystal represented by a large-sized ZrB_2 usable as a substrate or the like for epitaxially growing a gallium nitride-based compound semiconductor. - 特許庁