エピタキシャル育成の英語

シリコン単結晶を育成した段階で、エピタキシャルウエーハを作製した後のＢＭＤ密度を予測して所望のウエーハ品質を有するエピタキシャルウエーハを製造できる単結晶を判別することのできるシリコン単結晶の検査方法を提供する。例文帳に追加

To provide the inspecting method of silicon single crystal, which is capable of discriminating a single crystal which permits the manufacture of an epitaxial wafer having a required wafer quality by estimating a BMD density after manufacturing the epitaxial wafer in a stage when the silicon single crystal is raised. - 特許庁

(4) 窒素が１×10^12atoms/cm^3以上、１×10^14atoms/cm^3未満の濃度でドープされて育成されたシリコン単結晶ウェーハに1200℃〜1300℃の温度範囲で１分間以上の熱処理を施した後、エピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法。例文帳に追加

(4) A method for producing an epitaxial wafer comprises growing an epitaxial layer after heat treating a silicon single crystal wafer at 1,200 to 1,300°C for at least 1 min, which wafer is grown while doping nitrogen in a concentration of ≥1×1012 and ≤1×1014 atom/cm3. - 特許庁

エピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法により、同位体^２８Ｓｉの含有率が９２．３％以上のシリコン多結晶原料を用いてシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工し、該シリコン単結晶ウェーハの表層部にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハ。例文帳に追加

In the method of manufacturing the epitaxial silicon single crystal wafer, a silicon single crystal rod is grown using a silicon polycrystalline material which contains isotope^28Si by 92.3% or above at least by the Czochralski pulled method, and the silicon single crystal rod is sliced into silicon single crystal wafers and then an epitaxial layer is formed on the silicon single crystal wafers. - 特許庁

液相エピタキシャル法により育成する磁性ガーネット単結晶膜を用いたマイクロ波素子の製造方法は、ガーネット単結晶基板をチップ状に切断した後、ガーネット単結晶基板チップ表面に液相エピタキシャル法により磁性ガーネット単結晶膜を育成することを特徴とする。例文帳に追加

In the method of producing the microwave element, the magnetic garnet single crystal film grown by a liquid phase epitaxial method is used, and the method of producing the microwave element comprises cutting a garnet single crystal substrate into chips and then growing the magnetic garnet single crystal film on the surface of the chip of the garnet single crystal substrate by a liquid phase epitaxial method. - 特許庁

エピタキシャルウェーハの製造方法において、チョクラルスキー法によって、抵抗制御用ドーパントを除いては炭素のみをドープしてシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工した後、急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）装置を用いて熱処理を行い、その後、該単結晶ウェーハ表面にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。例文帳に追加

In the manufacturing method of the epitaxial wafer, a silicon single crystal rod is grown by doping only carbon except a resistance-controlling dopant by a Czochralski method, after the silicon single crystal rod is sliced and processed into a silicon single crystal wafer, the silicon single crystal wafer is heat treated by using a rapid heating/rapid cooling (RTA) device, and then the epitaxial layer is formed on the single crystal wafer surface. - 特許庁

(1)窒素を１×10^１３atoms/cm^３以上ドープして育成したシリコン単結晶インゴットから切り出したシリコンウェーハに７００℃以上９００℃未満の温度で１５分から４時間の処理時間で熱処理を施した後、ウェーハ表面にエピタキシャル成長処理するエピタキシャルウェーハの製造方法である。例文帳に追加

This production method for the epitaxial wafer comprises subjecting a silicon wafer sliced from a single crystal ingot grown by doping with not less than 1×10^13 atoms/cm^3 of nitrogen to a heat treatment at a temperature of not lower than 700°C but lower than 900°C for 15 min. to 4 hrs. and then to an epitaxial growth treatment on a wafer surface. - 特許庁

炭化珪素単結晶育成用種結晶として、結晶成長面１５に溝部１２を有する構造とし、溝部１２以外の結晶成長面１５に炭化珪素エピタキシャル薄膜１３を有することを特徴とする。例文帳に追加

The seed crystal for growing the silicon carbide single crystal has grooves 12 on the crystal growth surface 15 and has characteristically a silicon carbide epitaxial thin film 13 on the surface 15 other than the grooves 12. - 特許庁

GaNなどの窒化物半導体結晶の(0001)又は(000-1)面との間の格子整合性を高めて、低欠陥の窒化物半導体結晶をエピタキシャル育成可能な岩塩型遷移金属炭化物単結晶基板を提供する。例文帳に追加

To provide a sodium-chloride type transition metal carbide single crystal substrate that increases lattice matching property with a (0001) or (000-1) plane of a nitride semiconductor crystal such as GaN and that allows epitaxial growth of a nitride semiconductor crystal with little defect. - 特許庁