「エピタキシャル育成」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

エピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを製造する方法において、チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工した後、該シリコン単結晶ウエーハの表層部にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを製造する方法。例文帳に追加

This epitaxial silicon single crystal wafer is obtained according to the following procedure: a nitrogen-doped silicon single crystal rod is grown by Czochralski method and then sliced into silicon single crystal wafers, and an epitaxial layer is formed on the surface layer of each of the above silicon single crystal wafers. - 特許庁

(1) ＣＺ法によって窒素ドープで育成したシリコン単結晶から切り出されたウェーハをフッ酸（ＨＦ）を含む水溶液を用いて洗浄した後、当該ウェーハの表面上にエピタキシャル層を成長させることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法である。例文帳に追加

The method of producing the itaxial silicon wafer comprises cutting a silicon single crystal grown by a Czochralski method while doping nitrogen to obtain a wafer, then cleaning the wafer with an aqueous solution containing hydrogen fluoride(HF) and growing an epitaxial layer on the surface of the wafer. - 特許庁

シリコン単結晶を育成した段階で、エピタキシャルウエーハを作製した後のＢＭＤ密度を予測して所望のウエーハ品質を有するエピタキシャルウエーハを製造できる単結晶を判別することのできるシリコン単結晶の検査方法を提供する。例文帳に追加

To provide the inspecting method of silicon single crystal, which is capable of discriminating a single crystal which permits the manufacture of an epitaxial wafer having a required wafer quality by estimating a BMD density after manufacturing the epitaxial wafer in a stage when the silicon single crystal is raised. - 特許庁

(4) 窒素が１×10^12atoms/cm^3以上、１×10^14atoms/cm^3未満の濃度でドープされて育成されたシリコン単結晶ウェーハに1200℃〜1300℃の温度範囲で１分間以上の熱処理を施した後、エピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法。例文帳に追加

(4) A method for producing an epitaxial wafer comprises growing an epitaxial layer after heat treating a silicon single crystal wafer at 1,200 to 1,300°C for at least 1 min, which wafer is grown while doping nitrogen in a concentration of ≥1×1012 and ≤1×1014 atom/cm3. - 特許庁

エピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法により、同位体^２８Ｓｉの含有率が９２．３％以上のシリコン多結晶原料を用いてシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工し、該シリコン単結晶ウェーハの表層部にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハ。例文帳に追加

In the method of manufacturing the epitaxial silicon single crystal wafer, a silicon single crystal rod is grown using a silicon polycrystalline material which contains isotope^28Si by 92.3% or above at least by the Czochralski pulled method, and the silicon single crystal rod is sliced into silicon single crystal wafers and then an epitaxial layer is formed on the silicon single crystal wafers. - 特許庁

液相エピタキシャル法により育成する磁性ガーネット単結晶膜を用いたマイクロ波素子の製造方法は、ガーネット単結晶基板をチップ状に切断した後、ガーネット単結晶基板チップ表面に液相エピタキシャル法により磁性ガーネット単結晶膜を育成することを特徴とする。例文帳に追加

In the method of producing the microwave element, the magnetic garnet single crystal film grown by a liquid phase epitaxial method is used, and the method of producing the microwave element comprises cutting a garnet single crystal substrate into chips and then growing the magnetic garnet single crystal film on the surface of the chip of the garnet single crystal substrate by a liquid phase epitaxial method. - 特許庁

エピタキシャルウェーハの製造方法において、チョクラルスキー法によって、抵抗制御用ドーパントを除いては炭素のみをドープしてシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工した後、急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）装置を用いて熱処理を行い、その後、該単結晶ウェーハ表面にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。例文帳に追加

In the manufacturing method of the epitaxial wafer, a silicon single crystal rod is grown by doping only carbon except a resistance-controlling dopant by a Czochralski method, after the silicon single crystal rod is sliced and processed into a silicon single crystal wafer, the silicon single crystal wafer is heat treated by using a rapid heating/rapid cooling (RTA) device, and then the epitaxial layer is formed on the single crystal wafer surface. - 特許庁

(1)窒素を１×10^１３atoms/cm^３以上ドープして育成したシリコン単結晶インゴットから切り出したシリコンウェーハに７００℃以上９００℃未満の温度で１５分から４時間の処理時間で熱処理を施した後、ウェーハ表面にエピタキシャル成長処理するエピタキシャルウェーハの製造方法である。例文帳に追加

This production method for the epitaxial wafer comprises subjecting a silicon wafer sliced from a single crystal ingot grown by doping with not less than 1×10^13 atoms/cm^3 of nitrogen to a heat treatment at a temperature of not lower than 700°C but lower than 900°C for 15 min. to 4 hrs. and then to an epitaxial growth treatment on a wafer surface. - 特許庁

炭化珪素単結晶育成用種結晶として、結晶成長面１５に溝部１２を有する構造とし、溝部１２以外の結晶成長面１５に炭化珪素エピタキシャル薄膜１３を有することを特徴とする。例文帳に追加

The seed crystal for growing the silicon carbide single crystal has grooves 12 on the crystal growth surface 15 and has characteristically a silicon carbide epitaxial thin film 13 on the surface 15 other than the grooves 12. - 特許庁

GaNなどの窒化物半導体結晶の(0001)又は(000-1)面との間の格子整合性を高めて、低欠陥の窒化物半導体結晶をエピタキシャル育成可能な岩塩型遷移金属炭化物単結晶基板を提供する。例文帳に追加

To provide a sodium-chloride type transition metal carbide single crystal substrate that increases lattice matching property with a (0001) or (000-1) plane of a nitride semiconductor crystal such as GaN and that allows epitaxial growth of a nitride semiconductor crystal with little defect. - 特許庁

(2) 窒素がドープされ、ＯＳＦリング領域の内径がウェーハ径の85％以上の位置に存在するように育成されたシリコン単結晶ウェーハを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法。例文帳に追加

(2) A method for producing an epitaxial wafer comprises using a silicon single crystal wafer which is doped with nitrogen and is grown so that the inner diameter of an OSF ring area is ≥85% of the diameter of the wafer. - 特許庁

液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）において、Ｎａを含む溶媒を用いて育成しても回転子の光損失を再現良く低減できる磁性ガーネット単結晶及びそれを用いたファラデー回転子を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetic garnet single crystal capable of reproductively reducing an optical loss of a rotor even when the crystal is grown by using a Na-containing solvent in a liquid phase epitaxial method (LPE method), and provide a Faraday rotor using the same. - 特許庁

(3) 窒素が１×10^12atoms/cm^3以上、１×10^14atoms/cm^3以下の濃度でドープされ、引き上げ速度が1.2mm/min以上の条件で育成されたシリコン単結晶ウェーハを用いたエピタキシャルウェハの製造方法である。例文帳に追加

(3) A method for producing an epitaxial wafer comprises using a silicon single crystal wafer which is doped with nitrogen in a concentration of ≥1×1012 and ≤1×1014 atom/cm3 and is grown with a pulling-up velocity of ≥1.2 mm/min. - 特許庁

本発明は、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法により単結晶を育成する際に使用する単結晶育成用ルツボに関し、ガーネット単結晶を育成する際に変形しない金製の単結晶育成用ルツボを提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a golden crucible for single crystal growing which is not deformed even when it is used for growing a garnet single crystal by a liquid phase epitaxial (LPE) method. - 特許庁

本発明は、液相エピタキシャル法により育成した磁性ガーネット単結晶膜を用いたファラデー回転子の製造方法に関し、育成時及び加工時の単結晶の割れの発生を抑制できるファラデー回転子の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a Faraday rotor by using a magnetic garnet single crystal film grown by a liquid-phase epitaxial method, wherein the occurrence of cracks in the single crystal during growing and processing can be prevented. - 特許庁

シリコン結晶育成時にリンのような電気抵抗率降下用ドーパントとゲルマニウムが一緒に高濃度にドープされた低電気抵抗率のシリコン結晶基板をベースにしたエピタキシャルシリコンウェーハにおいて、ミスフィット転位とスタッキングフォルト（ＳＦ）の双方を抑制する。例文帳に追加

To suppress both misfit dislocation and a stacking fault (SF) of an epitaxial silicon wafer based on a silicon crystal substrate with low electric resistivity doped with an electric-resistivity decreasing dopant, such as phosphorus, and germanium together during growth of silicon crystal. - 特許庁

本発明は、磁性ガーネット単結晶膜を液相エピタキシャル成長させる際に使用する融液を攪拌させるための攪拌冶具と基板を融液中で固定させるための基板固定用冶具に関し、磁性ガーネット単結晶膜を育成するときに使用する攪拌用冶具や基板固定用冶具の長寿命化を実現する。例文帳に追加

To enhance the service life of an agitation tool and a substrate-fixing tool, which are used for agitating a melt and for fixing a substrate in the melt respectively, when a magnetic garnet single crystal film is grown by a liquid phase epitaxial growth method. - 特許庁

この基板２は、ベース基板１０と、ベース基板１０の少なくとも結晶育成面に形成され、液相エピタキシャル成長により成長される磁性ガーネット単結晶膜１２と同じ組成のバッファ層１１と、を有する。例文帳に追加

The substrate 2 has a base substrate 10 and a buffer layer 11 which is formed at least on the crystal growth surface of the base substrate 10 and has the same composition as that of the magnetic garnet single crystal film 12 to be formed by the liquid phase epitaxial growth. - 特許庁

シリコン結晶育成時に例えばリンとゲルマニウムが一緒に高濃度ドープされたシリコン結晶基板上に、シリコンエピタキシャル層をＣＶＤ法で成長させるプロセスにおいて、そのプロセス温度を１０００〜１０９０℃の範囲内（より望ましくは、１０５０〜１０８０℃）の範囲内にする。例文帳に追加

The process temperature of a process of growing a silicon epitaxial layer by a CVD method on the silicon crystal substrate doped with, for example, phosphorus and germanium together during the growth of silicon crystal is set within a range of 1,000 to 1,090°C (preferably, 1,050 to 1,080°C). - 特許庁

本発明は、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法により育成した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子に関し、鉛の含有量を削減した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a magnetic garnet single crystal grown by a liquid phase epitaxial (LPE) method and an optical element using the same and particularly to provide a magnetic garnet single crystal of a reduced lead content and to provide an optical element using the same. - 特許庁

ビスマス置換希土類鉄系ガーネットからなる磁気光学ガーネット厚膜単結晶の製造方法であって、単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法によって酸素濃度０〜１６％（０は含まず）で結晶育成させる結晶育成工程と、育成された磁気光学ガーネット厚膜単結晶を、Ｈ_２を含有する、Ｎ_２もしくはＡｒガス雰囲気において熱処理する熱処理工程とを備えている。例文帳に追加

This method comprises: a bismuth-substituted rare earth iron garnet includes a crystal growth step of growing a crystal on a single crystal substrate by a liquid phase epitaxial growth method in an oxygen concentration of 0 to 16% (excluding 0); and a heat treatment step of heat treating the grown magneto-optical garnet thick film single crystal in a N_2 or Ar gas atmosphere containing H_2. - 特許庁

ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を液相エピタキシャル成長によって育成するために必要不可欠な高い品質を有しており、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の格子定数と近似した値で、かつ熱膨張係数も近似した値を持ち、さらに工業的に有利なＣＺ法で育成できる組成式の単結晶基板を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal substrate that has high quality essential to growing a bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal by liquid-phase epitaxial growth, has lattice constant and thermal expansion coefficient values close to those of a bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal film and has a composition formula that can be grown by the industrially advantageous CZ method. - 特許庁

非磁性ガーネット単結晶基板にビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成する液相エピタキシャル法において、Ｃａを添加した融液から育成したビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を窒素と水素３〜２０ｖｏｌ％の混合ガス雰囲気下で短時間熱処理することで、所望の光損失特性を有するビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を得ることができる例文帳に追加

In a liquid phase epitaxial method of growing a bismuth-substituted iron garnet single crystal on a nonmagnetic garnet single crystal substrate, a bismuth-substituted iron garnet single crystal grown from a melt containing Ca added therein is thermally treated in a short time period in an atmosphere of a mixture of a nitrogen gas and 3-20 vol% of hydrogen gas. - 特許庁

本発明は、ファラデー回転子等に用いられるＢｉ置換希土類鉄ガーネット材料を液相エピタキシャル法により製造するための優れた品質を備えた大型のネオジウムガリウムガーネット単結晶基板及びそれを得るためのネオジウムガリウムガーネット単結晶育成方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a large size neodymium-gallium garnet single crystal substrate having high quality sufficient for producing a Bi-substituted rare earth-iron garnet material for a Faraday rotator by a liquid phase epitaxial method and to provide a method for growing a neodymium-gallium garnet single crystal for the substrate. - 特許庁

磁気光学素子は、ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶によって構成されたものであって、フラックスとして鉛化合物を用いない液相エピタキシャル法によって育成された厚さが３５０μｍ以上有するものであり、かつ白金を含み、白金の式量ｘが０．０２≦ｘ＜０．０４の関係を満たすものである。例文帳に追加

The magneto-optical element is constituted of a bismuth-substituted rare earth garnet crystal, has 350 μm or more thickness grown by a liquid epitaxial method not using a lead compound as a flux, contains platinum, and satisfies the relation that the formula amount x of platinum is 0.02≤x<0.04. - 特許庁

デバイス動作不良の原因となるマイクロパイプ、ポリタイプの混在等の結晶欠陥が無く、結晶の電気的特性に大きく影響を与える残留不純物濃度も大幅に低減された高品質でかつ大型のＳｉＣ結晶を育成可能なＳｉＣ結晶の液相エピタキシャル成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide the growth method that enables the growth of a high quality large SiC crystal which has no crystal defects causing defectiveness of device operation, such as micropipe or polytype inclusion within the crystal, and also, contains drastically reduced concentration of residual impurities greatly affecting electric characteristics of the crystal. - 特許庁

液相エピタキシャル成長法でビスマス置換型磁性ガーネット膜を育成するために用いる非磁性ガーネット基板を製造する際に、単結晶ウエハのベべル面に発生するマイクロクラックを除去し、かつポリッシュ面に転移を有しない非磁性ガーネット基板を製造する方法とその製造方法により得られる基板を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a non-magnetic garnet substrate which method eliminates microcracks occurring on the bevel face of a single crystal wafer and yields a non-magnetic garnet substrate free from transition to the polish face, in producing a non-magnetic garnet substrate which is used for growing a bismuth-substituted magnetic garnet film by a liquid phase epitaxial growth method. - 特許庁

Ｌｉ_２Ｏ、Ｂ_２Ｏ_３およびＢｉ_２Ｏ_３により構成されたフラックスから融液を生成し、該融液を用いて非磁性ガーネット単結晶上に液相エピタキシャル法によりビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成することを特徴とする、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the bismuth-substituted rare-earth iron garnet single crystal is characterized by generating the melt from a flux consisting of Li_2O, B_2O_3 and Bi_2O_3 and growing the bismuth-substituted rare-earth iron garnet single crystal by the liquid phase epitaxial method on a nonmagnetic garnet single crystal using the melt. - 特許庁

エピタキシャル成長法で窒化物系化合物半導体を育成するために用いるサファイア基板を製造する方法において、サファイア単結晶インゴットを研削加工した後、ウエハーにスライスする前に、該インゴットの外周部に化学研磨処理を施すことを特徴とするサファイア基板の製造方法などによって提供する。例文帳に追加

In the method for producing the sapphire substrate which is used for growing a nitride-based compound semiconductor by an epitaxial growth method, after subjecting a sapphire single crystal ingot to grinding processing, the outer peripheral part of the sapphire single crystal ingot is subjected to chemical polishing treatment before the sapphire single crystal ingot is sliced into wafers. - 特許庁

ドープされた炭素によってデバイス製造工程等における熱処理時にドナーが発生しても、所望の抵抗率を有するシリコン単結晶ウェーハとすることのできるシリコン単結晶の育成方法及び該シリコン単結晶から作製されたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a silicon single crystal, by which a silicon single crystal wafer having desired resistivity can be obtained even when a donor is generated by the carbon as a dopant during heat treatment such as in a process of manufacturing a device, and to provide a production method of a silicon epitaxial wafer produced from the silicon single crystal. - 特許庁

ＰｂＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、Ｙｂ_２Ｏ_３、Ｔｂ_２Ｏ_３及びＦｅ_２Ｏ_３を含む融液を用いて、ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法によって磁性ガーネット膜を育成する方法であって、前記ガーネット基板の格子定数は、１．２４９０〜１．２５１５ｎｍであり、かつ、融液中のモル比は、下記の４つの要件を満たすことを特徴とするＹｂＴｂＢｉＦｅ系磁性ガーネット膜の製造方法などによって提供。例文帳に追加

In the method of forming the YbTbBiFe-based magnetic garnet film, the garnet film can be grown on a garnet substrate by a liquid phase epitaxial growth method by using a solution containing PbO, Bi_2O_3, B_2O_3, Yb_2O_3, Tb_2O_3, and Fe_2O_3. - 特許庁

本発明は、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法により育成した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法に関し、鉛の含有量を削減した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a magnetic garnet single crystal with less lead content, an optical device using such a magnetic garnet single crystal and a method for producing a single crystal with regard to a magnetic garnet single crystal grown by a liquid-phase epitaxial (LPE) method, an optical device using the same, and a method for producing a magnetic garnet single crystal. - 特許庁

この研磨方法によれば、シリカの含有量が３５〜５０重量％に調整されたコロイダルシリカを研磨液として適用するため、チョクラルスキー法で育成された結晶から得られたサファイアウェハー表面にピットのない鏡面研磨が可能となり、この結果、上記サファイアウェハーを基板として用いることにより良好なエピタキシャル膜が得られる。例文帳に追加

The surface of the sapphire wafer is specular-polished which is acquired from crystal reared under the Czochralski method with no pit since the colloidal silica the content of the silica of which is adjusted to be 35 to 50 wt.% is applied as the polishing liquid under this polishing method, and consequently, a favorable epitaxial film is provided by using the sapphire wafer as a substrate. - 特許庁

本発明は、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法により育成した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法に関し、鉛の含有量を削減した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a magnetic garnett single crystal wherein a lead content is reduced, an optical element using the crystal and a method for manufacturing the magnetic garnett single crystal in respect of the magnetic garnett single crystal grown by a liquid-phase epitaxial (LPE) method, the optical element using the crystal and the method for manufacturing the magnetic garnett single crystal. - 特許庁

希土類酸化物と酸化鉛を含んだフラックス成分からなる融液を用いた液相エピタキシャル法において、融液中の酸化鉛モル濃度が５％以上かつ１３%以下にて育成したテルビウムを主成分としたビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶にて鉛の混入が抑制できる。例文帳に追加

The liquid epitaxial method using a melt comprising a flux component including a rare-earth oxide and a lead oxide can suppress the lead incorporation of the bismuth substituted rare earth iron garnet single crystal having a terbium as a main component grown in the melt of the lead oxide mol concentration of not less than 5% nor more than 13%. - 特許庁