「エピタキシャル絶縁体」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

エピタキシャル基板は、基板１と、基板１上にエピタキシャル成長された第一の窒化物半導体からなる下地層２と、下地層２上にエピタキシャル成長された第二の窒化物半導体からなる半絶縁層３とを備えている。例文帳に追加

The epitaxial substrate includes a substrate 1, a base layer 2 comprising a first nitride semiconductor epitaxially grown on the substrate 1, and a semi-insulating layer 3 comprising a second nitride semiconductor epitaxially grown on the base layer 2. - 特許庁

エピタキシャル基板は、基板１と、基板１上にエピタキシャル成長された第一の窒化物半導体からなる下地層２と、下地層２上にエピタキシャル成長された第二の窒化物半導体からなる半絶縁層３とを備えている。例文帳に追加

The epitaxial layer is provided with a substrate 1, a base layer 2 that is epitaxially grown on the substrate 1 and is made of a first nitride semiconductor, and a semi-insulation layer 3 that is epitaxially grown on the base layer 2 and is made of a second nitride semiconductor. - 特許庁

本発明の半導体装置は、炭化珪素を含む第１エピタキシャル成長層２０と、第１エピタキシャル成長層２０の表層部に設けられた終端構造３０と、終端構造３０の上に設けられ、炭化珪素を含む第２エピタキシャル成長層４０と、第２エピタキシャル成長層４０の上に設けられた絶縁層５０とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device includes: a first epitaxially-grown layer 20 with a silicon carbide; the termination structure 30, which is provided on a surface part of the first epitaxially-grown layer 20; a second epitaxially-grown layer 40, which is provided on the termination structure 30 and has the silicon carbide; and an insulating layer 50, which is provided on the second epitaxially-grown layer 40. - 特許庁

開口５の側壁に絶縁体からなるサイドウォール６を形成し、その後、選択エピタキシャル成長法を用いて開口５内にエピタキシャル成長膜である単結晶シリコン膜８を形成する。例文帳に追加

A sidewall 6 constituted of an insulator is formed on the sidewall of the opening 5, and then a single crystal silicon film 8 which is an epitaxial growth film is formed in the opening 5 by using a selective epitaxial growing method. - 特許庁

積層体３４は、半絶縁性III族窒化物エピタキシャル層３５、３６と基板３２との間に設けられた窒化ガリウム系半導体層３７を含む。例文帳に追加

The laminate 34 includes a gallium nitride-based semiconductor layer 37 provided between the semiinsulating group III nitride epitaxial layers 35 and 36, and the substrate 32. - 特許庁

半絶縁性窒化物半導体基板とその製造方法並びに窒化物半導体エピタキシャル基板及び電界効果トランジスタ例文帳に追加

SEMI-INSULATING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE AND FIELD-EFFECT TRANSISTOR - 特許庁

半導体装置１は、ｎ型エピタキシャル層８と、エピタキシャル層８の表層部に形成されたｐ型ボディ領域１２と、ボディ領域１２の表層部に形成されたｎ型ソース領域１５と、エピタキシャル層８上に形成されたゲート絶縁膜１９と、ゲート絶縁膜１９上に形成されたゲート電極２０とを含む。例文帳に追加

A semiconductor device 1 comprises: an n-type epitaxial layer 8, p-type body regions 12 formed in a surface portion of the epitaxial layer 8; n-type source regions 15 formed in surface portions of the body regions 12; a gate insulating film 19 formed on the epitaxial layer 8; and gate electrodes 20 formed on the gate insulating film 19. - 特許庁

半導体素子１は、ｎ型エピタキシャル層８と、ｎ型エピタキシャル層８の表層部に形成されたボディ領域１２と、ボディ領域１２の表層部に形成されたｎ型ソース領域１６と、ｎ型エピタキシャル層８上に形成されたゲート絶縁膜１９と、ゲート絶縁膜１９上に形成されたゲート電極２０およびゲート保護ダイオード３０とを含む。例文帳に追加

A semiconductor device 1 includes: an n-type epitaxial layer 8; body regions 12 formed in a surface portion of the n-type epitaxial layer 8; n-type source regions 16 formed in a surface portion of the body regions 12; a gate insulating film 19 formed on the n-type epitaxial layer 8; and gate electrodes 20 and a gate protection diode 30 formed on the gate insulating film 19. - 特許庁

ＣＭＯＳ集積回路の製造に用いるゲルマニウム・エピタキシャル膜を絶縁体上で成長させる方法例文帳に追加

METHOD OF GROWING GERMANIUM EPITAXIAL FILM ON INSULATOR FOR USE IN FABRICATION OF CMOS INTEGRATED CIRCUIT - 特許庁

半導体エピタキシャル結晶ウエハを破壊することなく、基板とバッファ層との界面の絶縁性を評価する方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for evaluating insulation in an interface between a substrate and a buffer layer without destroying a semiconductor epitaxial crystal wafer. - 特許庁

エピタキシャル層６１０の主面６１Ｓ上に、中央領域５５１内に開口を有する第１絶縁体７１０を形成する。例文帳に追加

A first insulator 710 having an opening in a center region 551 is formed on a main face 61S of an epitaxial layer 610. - 特許庁

絶縁膜１３をマスクとしてトレンチ２を形成し、ｐ型半導体層１４をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

With the insulation film 13 as the mask, the trench 2 is formed, and a p-type semiconductor layer 14 is grown epitaxially. - 特許庁

半絶縁層の抵抗率が低く、半導体素子として有効に利用できるエピタキシャル基板を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial substrate whose resistivity of a semi-insulation layer is low and that can be effectively used as a semiconductor device. - 特許庁

埋め込み絶縁膜４の周囲のｐ型エピタキシャル層３の部位に、ｎ^＋半導体層２に達するｎ^＋拡散層５が形成されている。例文帳に追加

An n^+-type diffusion layer 5 which reaches the n^+-type semiconductor layer 2 is formed at the part of the p-type epitaxial layer 3 around the embedded insulating film 4. - 特許庁

また、エピタキシャル層５には、ＬＯＣＯＳ酸化膜８の厚さよりも大きな厚さを有する第１絶縁体１３を埋設する。例文帳に追加

Further, a first insulator 13 which is thicker than the LOCOS oxide film 8 is buried in the epitaxial layer 5. - 特許庁

ｎ型半導体基板１の表面領域にエピタキシャル成長のマスクとなる絶縁性マスクを形成する。例文帳に追加

An insulation mask, turning into a mask for epitaxial growth, is formed in the surface region of an n-type semiconductor substrate 1. - 特許庁

半絶縁層の抵抗率が低く、半導体素子として有効に利用できるエピタキシャル基板を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial substrate which has a low resistivity in a semi-insulating layer and is effectively used as a semiconductor element. - 特許庁

絶縁膜１３をマスクとしてトレンチ２を形成し、ｐ型半導体層１４をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

By using the insulation film 13 as a mask, a trench 2 is formed, and a p-type semiconductor layer 14 is grown epitaxially. - 特許庁

歪みシリコン層は、絶縁体上に結果として生じる緩和したＳｉＧｅの構造上に、エピタキシャルに堆積され得る。例文帳に追加

A strained silicon layer may be epitaxially deposited on the relaxed SiGe structure which has been finally produced on the insulator. - 特許庁

表面に絶縁層１０を持つ支持基板１６に半導体基板１４を貼り合わせ、貼り合わされた半導体基板１４の表面にエピタキシャル層４を成長させ、成長したエピタキシャル層４内に半導体素子２を形成する各工程を経て半導体装置を製造する。例文帳に追加

A semiconductor substrate 14 is bonded on a support substrate 16 which has an insulating layer 10 on its surface, an epitaxial growth layer 4 is grown on the surface of the bonded semiconductor substrate 14, and a semiconductor element 2 is formed inside the grown epitaxial layer; and via respective processes, the semiconductor device is manufactured. - 特許庁

半導体基板の製造方法は、支持基板とは格子定数の異なるヘテロエピタキシャル層、絶縁層、Ｓｉ層が順に積層された構造を少なくとも含む支持基板に、前記Ｓｉ層の歪みを変化させるために、前記ヘテロエピタキシャル層の応力を変化させる工程を行なう。例文帳に追加

In a manufacturing method of a semiconductor substrate, a process for changing stress of a hetero-epitaxial layer is performed on a support substrate comprising a structure where the hetero-epitaxial layer whose lattice constant differs from the support substrate, an insulating layer, and an Si layer are sequentially laminated for changing distortion of the Si layer. - 特許庁

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をエピタキシャル成長させた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの基板１に、酸素濃度が３．０×１０^１６／ｃｍ^３以下の基板を用いる。例文帳に追加

A substrate having an oxygen concentration not larger than 3.0 × 10^16/cm^3 is used as a substrate 1 of an epitaxial wafer for field effect transistors wherein a III-V group compound semiconductor is grown on the semi-insulating GaAs substrate 1. - 特許庁

半導体装置は、半導体基板１上に形成され、導電性不純物を含み、エクステンションとなる２つの第１エピタキシャル成長層６と、第１エピタキシャル成長層６上に形成され、ソースあるいはドレインとなる２つの第２エピタキシャル成長層８と、２つの第１エピタキシャル成長層６の間における半導体基板１のチャネル領域上に、ゲート絶縁膜４を介して形成されたゲート電極５とを有する。例文帳に追加

The semiconductor device comprises two first epitaxial growth layers 6 to be extended, which are formed on a semiconductor substrate 1 and contain conductive impurities; two second epitaxial growth layers 8 to be a source or a drain, which are formed on the first epitaxial growth layers 6; and a gate electrode 5 formed on the channel region of the semiconductor substrate 1 between the two first epitaxial growth layers 6 through a gate insulation film 4. - 特許庁

炭化珪素単結晶基板の表面に溝部を有するエピタキシャル薄膜を形成し、該溝部の内側面に絶縁膜、及び金属膜を順次形成してなる金属-絶縁膜-半導体構造である。例文帳に追加

The metal-insulating film-semiconductor structure is manufactured by forming an epitaxial thin film having a groove part on the surface of the silicon carbide single crystal substrate, and by sequentially forming the insulating film and the metal film on the internal surface of the groove part. - 特許庁

半導体デバイスが、第１導電型の基板、基板の少なくとも一部分上に形成された絶縁層、および絶縁層の少なくとも一部分上に形成された第２導電型のエピタキシャル層を備える。例文帳に追加

A semiconductor device includes a substrate of a first conductivity type, an insulating layer formed on at least a portion of the substrate, and an epitaxial layer of a second conductivity type formed on at least a portion of the insulating layer. - 特許庁

トレンチ４を形成するためのマスクとなるマスク絶縁膜３が少なくとも前記トレンチ形成用開口部６ｄ周辺で、他の部分より薄い膜厚部分を有し、前記トレンチ４にｐ型エピタキシャル半導体層５を埋め込む前に、前記マスク絶縁膜３の膜厚の薄い部分をエッチングして除去した後に、前記トレンチ４にｐ型エピタキシャル半導体層５を埋め込む。例文帳に追加

A mask insulating film 3 serving as a mask for forming the trench 4 has a thinner film thickness portion at least at a periphery of an opening portion 6d for trench formation than at other parts, and the p-type epitaxial semiconductor layer 5 is buried in the trench 4 after the thinner film thickness portion of the mask insulating film 3 is etched away. - 特許庁

このための本発明の半導体素子の素子分離膜の形成方法は、シリコン基板1上に分離酸化膜2とマスキング絶縁膜3とを順に形成する段階と、マスキング絶縁膜3と分離酸化膜2との所定部分を順に蝕刻してトレンチを形成する段階と、前記結果物上にエピタキシャルシリコン膜を成長させてエピタキシャルシリコンアクティブ領域5を完成する段階を含む。例文帳に追加

The method for forming the isolation film of a semiconductor element comprises a step for forming the isolation film 2 and the masking insulation film 3 sequentially on the silicon substrate 1, a step for forming a trench by etching the specified parts of the masking insulation film 3 and the isolation film 2 sequentially, and a step for completing an epitaxial silicon active region 5 by growing an epitaxial silicon film on the resulting object. - 特許庁

一実施の形態による半導体装置は、基板上に形成された素子分離絶縁膜と、前記素子分離絶縁膜により前記基板上に区画された素子領域およびダミーパターン領域と、前記素子領域内の前記基板上に形成された第１のエピタキシャル結晶層と、前記ダミーパターン領域内の前記基板上に形成された第２のエピタキシャル結晶層と、を有する。例文帳に追加

A semiconductor device comprises: an element isolation insulating film formed on a substrate; an element region and a dummy pattern region on the substrate that are partitioned by the element isolation insulating film; a first epitaxial crystal layer formed on the substrate in the element region; and a second epitaxial crystal layer formed on the substrate in the dummy pattern region. - 特許庁

横方向エピタキシャル拡散（ＬＥＯ）プロセスにより、絶縁体に覆い被さる化合物半導体層を形成するために、化合物半導体がコーティングされたＳｉナノワイヤの先端から、化合物半導体が成長する。例文帳に追加

The compound semiconductor is grown from the tip end of each Si nanowire coated with the compound semiconductor so that the compound semiconductor covering the insulator is formed by lateral epitaxial overgrowth (LEO) process. - 特許庁

Ｓｉを主成分とする半導体基板（１）と、前記半導体基板上に直接接合してエピタキシャル成長されたペロブスカイト誘電体を含むゲート絶縁膜（３）とを具備するＭＯＳ電界効果トランジスタである。例文帳に追加

An MOS field effect transistor comprises a semiconductor substrate (1), whose main component is Si and a gate insulating film (3) comprising a perovskite dielectrics, which is jointed directly on the semiconductor substrate for epitaxial growth. - 特許庁

さらにマスクパターンを除去し、半導体基板表面から突出する素子分離絶縁膜の周囲に、半導体基板表面から半導体層をエピタキシャルに再成長させる。例文帳に追加

In addition, the mask pattern is removed, and a semiconductor layer is epitaxially regrown from the surface of the semiconductor substrate around the element isolation dielectric that projects from the surface of the semiconductor substrate. - 特許庁

この発明に係る炭化珪素半導体装置１ａの製造方法は、炭化珪素エピタキシャル層６を有する炭化珪素基板２の炭化珪素エピタキシャル層６上に、リンをドープした多結晶珪素膜１８を形成する工程と、多結晶珪素膜１８を熱酸化してゲート絶縁膜１２を形成する工程と、を備えた。例文帳に追加

The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device 1a includes a step for forming a polycrystalline silicon film 18 doped with phosphorus on a silicon carbide epitaxial layer 6 of a silicon carbide substrate 2 having the silicon carbide epitaxial layer 6, and a step for forming a gate insulating film 12 by thermally oxidizing the polycrystalline silicon film 18. - 特許庁

この半導体装置では、エピタキシャル層４Ａを覆う表面保護膜１１が高抵抗ＧａＡｓ層(素子間絶縁層)５の外周側の外周エピタキシャル層４Ａ−１の一部を覆って上記一部に接しているので、表面保護膜１１の端部の密着性が向上して外部からの水分侵入を防止できる。例文帳に追加

In this semiconductor device, the surface protective film 11 covering an epitaxial layer 4A covers a part of an outer peripheral epitaxial layer 4A-1 on the outer peripheral side of a high-resistance GaAs layer (inter-element insulation layer) 5 and contacts the part, and thereby adhesiveness of the end of the surface protective film 11 is improved, and moisture intrusion from the outside can be prevented. - 特許庁

ＧａＮ系ＦＥＴ用エピタキシャル結晶基板において、下地基板１０１の上に設けられるエピタキシャル結晶が、ゲート層１０８の下地基板側界面に接するチャネル層を含む高純度な第１の緩衝層１０７と、第２の緩衝層１０６と、開口部１０４Ａを有する絶縁層１０４と、ｐ伝導型半導体結晶層１０３とを有している。例文帳に追加

In an epitaxial crystal substrate for a gallium nitride field effect transistor, the epitaxial crystal formed on the substrate 101 comprises a highly pure first buffer layer 107, including a channel layer which is in contact with a side interface of the substrate between a gate layer 108, a second buffer layer 106, an insulating layer 104 having an opening 104A, and a p-type semiconductor crystal layer 103. - 特許庁

単結晶の絶縁性基板１上に、Ｓｉ濃度が４×１０^１９ｃｍ^−３以上である高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層２をエピタキシャル成長し、このＳｉドープＧａＮバッファ層２上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層３を形成する。例文帳に追加

A high density Si-doped GaN buffer layer 2 having an Si concentration of 4×10^19cm^-3 or higher is epitaxially grown on a single crystal insulating substrate 1, and the nitride semiconductor layer 3, having a crystal structure of a single crystal is formed by an epitaxially growing method. - 特許庁

ＨＢＴ２０は、（１００）面を主面とする半絶縁性Ｇa Ａs 基板１上に、エピタキシャル成長法により、順次、エピタキシャル成長させた、ｎ^+−ＧａＡｓサブコレクタ層２、ｎ^- −ＧａＡｓコレクタ層３、傾斜型ＧａＡｓ_1-___X Ｎ_X ベース層４、及びｎ−ＩｎＧａＰエミッタ層５からなるヘテロ接合の半導体積層構造を備えている。例文帳に追加

An HBT(heterojunction bipolar transistor) 20 is equipped with a heterojunction of semiconductor stack structure consisting of an n+-GaAs sub collector layer 2, an n-GaAs collector layer 3, a tilting type GaAs1-XNX base layer 4, and an n-InGaP emitter layer 5, epitaxially grown in order by epitaxial growth layer on an semiinsulating GaAs substrate 1 whose main face is (i00) face. - 特許庁

半導体または絶縁体基板上に、アンドープＡｌＮ層、ｎ型ＡｌＮ層、ｐ型ＡｌＮ層をエピタキシャル成長し、ＡｌＮのｐｎ接合を形成する。例文帳に追加

An undoped AlN layer, an n-type AlN layer and a p-type AlN layer are epitaxially grown on a semiconductor or insulator substrate, thereby forming an AlN pn joint. - 特許庁

本発明のLDMOSトランジスタはまた、当該トランジスタの活性領域を囲むフィールド酸化物層と、非対称導体スペーサをｎ型エピタキシャル層から絶縁する薄い誘電体層とを備える。例文帳に追加

This LDMOS transistor also includes a field oxide layer surrounding an active region of the transistor, and a thin dielectric layer isolating the asymmetric conductive spacer from the n-type epitaxial layer. - 特許庁

工程Ｓ１０５では、絶縁膜マスクを用いてエピタキシャル基板のプラズマエッチングを行って、複数のIII−Ｖ化合物半導体膜を加工する。例文帳に追加

In a process S105, an insulation film mask is used for performing plasma etching to the epitaxial substrate to process a plurality of III-V compound semiconductor films. - 特許庁

発光ダイオードは、絶縁基板４０２、半導体エピタキシャル構造、第１の導電型電極４１６および第２の導電型電極４１２を備える。例文帳に追加

The light emitting diode comprises an insulating board 402, a semiconductor epitaxial structure, a first conductive electrode 416, and a second conductive electrode 412. - 特許庁

本発明の半導体装置では、トレンチ７内壁に形成される絶縁膜６が、トレンチ開口部１６と連続するエピタキシャル層２表面にも形成されている。例文帳に追加

In the semiconductor device, the insulating film 6 formed at the internal wall of the trench 7 is also formed on the surface of an epitaxial layer 2 continued to an opening of trench 16. - 特許庁

素子分離絶縁膜１１の膜厚より薄い膜厚で半導体基板１０の素子領域上に第１のエピタキシャル結晶層１２が形成されている。例文帳に追加

On an element region of a semiconductor substrate 10, a first epitaxial crystal layer 12 is formed thinner than an element isolation insulating film 11. - 特許庁

第１及び第２不純物領域は、少なくとも部分的に各々第１及び第２エピタキシャル層内に含まれ、ゲート絶縁層は、ゲート電極と半導体基板との間に位置する。例文帳に追加

First and second impurity regions are included, at least partially, in the first and second epitaxial layers and a gate insulation layer is located between the gate electrode and the semiconductor substrate. - 特許庁

コバルトドープ二酸化チタン膜の格子定数が近接し、互いのエピタキシャル成長を阻害しない半導体層又は絶縁層として機能する新規な化合物を提供する。例文帳に追加

To provide a new compound that functions as a semiconductor layer or an insulated layer the grid constant of which is close to that of a cobalt doped titanium dioxide membrane and that does not inhibit each epitaxial growth. - 特許庁

本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＳＯＩ層３上にゲート絶縁膜４を介してゲート電極を形成し、ゲート電極両側のＳＯＩ層３上にエピタキシャル層９を形成する。例文帳に追加

In the method of manufacturing a semiconductor device, the gate electrode is formed on an SOI layer 3 via a gate insulating film 4, and an epitaxial layer 9 is formed on the SOI layer 3 on both sides of the gate electrode. - 特許庁