オキシ窒化物の英語

ＣＶＤ法によるシリコン窒化物膜、シリコンオキシ窒化物膜、またはシリコン酸化物膜の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE FILM, SILICON OXYNITRIDE FILM, OR SILICON OXIDE FILM BY CVD METHOD - 特許庁

校正用ガス調製装置、オゾン分析計、オキシダント計、及び窒素酸化物分析計例文帳に追加

CALIBRATION GAS ADJUSTING DEVICE, OZONE ANALYZER, OXIDANT METER, AND NITROGEN OXIDE ANALYZER - 特許庁

ダイオキシンおよび／または窒素酸化物を除去するための触媒装置の乾燥方法例文帳に追加

METHOD FOR DRYING CATALYST DEVICE FOR REMOVING DIOXIN AND/OR NITROGEN OXIDE - 特許庁

オキシ窒化物蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いた発光装置例文帳に追加

OXYNITRIDE FLUOROPHOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND LIGHT-EMITTING DEVICE USING THE SAME - 特許庁

排気ガス中の窒素酸化物、硫黄酸化物、ダイオキシン等の有害物質を光触媒の作用により分解する。例文帳に追加

Injurious substances such as nitrogen oxides, sulfur oxides and dioxins contained in an exhaust gas are decomposed by the action of a photocatalyst. - 特許庁

排ガス中からダイオキシン、有機塩素化合物、窒素酸化物および硫黄酸化物を経済的かつ高度に除去する除去剤を提供する。例文帳に追加

To obtain a remover which economically and highly removes dioxins, organic chlorine compounds, nitrogen oxides, and sulfur oxides from exhaust gas. - 特許庁

シリコン基板２００をアンモニアガスの存在下で短時間加熱することによって基板上に窒化物層を形成する工程と、窒化物層を酸化窒素ガスの存在下で短時間加熱することによって窒化物層を再酸化させ、オキシ窒化物層２０４を形成する工程とを含む。例文帳に追加

This method comprises steps of forming a nitride layer on a substrate by heating a silicon substrate 200 for a short time in the presence of an ammonia gas and reoxidizing the nitride layer to form an oxynitride layer 204 by heating the nitride layer for a short time in the presence of an nitrogen oxide gas. - 特許庁

ダイオキシンを含む芳香族ハロゲン化合物、一酸化炭素及び窒素酸化物を除去する触媒及びその用途例文帳に追加

CATALYST FOR REMOVING AROMATIC HALOGEN COMPOUND INCLUDING DIOXIN, CARBON MONOXIDE, AND NITROGEN OXIDE AND USE THEREOF - 特許庁