oxy-nitrideとは 意味・読み方・使い方

To provide an (oxy)nitride phosphor material, a white-colored light-emitting element containing the same and a method for producing the phosphor material.例文帳に追加

（オキシ）ナイトライド蛍光体、それを含む白色発光素子及び蛍光体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The iron-nitride magnetic powder having an above characteristic is manufactured, by using a solution of hydrogen peroxide as oxidant for oxy-iron hydroxide growth process and fully adding the rare earth elements in a process for synthesizing oxy-iron hydroxide (material powder).例文帳に追加

上記の特性を有する窒化鉄系磁性粉末は、オキシ水酸化鉄（原料粉）を合成する工程で、オキシ水酸化鉄の成長過程に酸化剤として過酸化水素水を用い、かつ希土類元素を十分に添加する製法によって製造される。 - 特許庁

To provide a method by which a silicon nitride film or silicon oxy-nitride film can be manufactured by the CVD method without generating any ammonium chloride nor allowing the intrusion of carbon-based contaminants into the film.例文帳に追加

塩化アンモニウムの生成を伴うことなく、しかも炭素系汚染質を膜内に混入させずに、シリコン窒化物膜もしくはシリコンオキシ窒化物膜をＣＶＤ法により製造するための方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicon (oxy) nitride film by CVD at a sufficient deposition rate even under a low temperature without producing a large quantity of ammonium chloride.例文帳に追加

多量の塩化アンモニウムの生成を伴うことなく、低温化でも十分な成膜速度をもってシリコン（オキシ）窒化物膜をＣＶＤ法により製造し得る方法を提供する。 - 特許庁

The (oxy)nitride fluorescent substance is composed of a compound represented by the chemical formula 1 (wherein M is alkali earth metal, 0<x<1, 1.8<a<2.2, 4.5<b<5.5, 0≤c<8, 0<d≤8, and 0<c+d≤8).例文帳に追加

下記化学式１の化合物で表示されるオキシナイトライド蛍光体である： 前記式で、Ｍは、アルカリ土類金属であり、０＜ｘ＜１、１．８＜ａ＜２．２、４．５＜ｂ＜５．５、０≦ｃ＜８、０＜ｄ≦８及び０＜ｃ＋ｄ≦８である。 - 特許庁

A thin SiO2 film 2 and an amorphous silicon thin film 3 are sequentially formed on a silicon substrate 1, and then subjected to heat treatment in an atmosphere containing NO as a nitriding species to form an oxy nitride film 4A containing nitrogen at an interface between the films 2 and 3 with use of the film 3 forming an interface with the film 2 as a silicon supply source.例文帳に追加

シリコン基板１上に薄いＳｉ０_2膜２、非晶質シリコン薄膜３ａを順次形成し、次に窒化種としてＮＯを含む雰囲気中での熱処理により、ＳｉＯ_2膜２との界面の非晶質シリコン薄膜３ａをシリコン供給源としてＳｉ０_2膜２と非晶質シリコン薄膜３ａとの界面にオキシナイトライド膜４Ａを形成することにより，ゲート絶縁膜として窒素を含むＳｉＯＮ膜４を形成する。 - 特許庁