ガリウム砒素半導体の英語

この窒化ガリウム層は、ガリウム砒素半導体のエッチング液に対して不溶あるいは難溶となる。例文帳に追加

This gallium nitride layer becomes insoluble or hardly soluble to the etchant of the gallium arsenic semiconductor. - 特許庁

ガリウム砒素,アルミニウム砒素など異なった化合物半導体の薄層を積み重ねて作った素子例文帳に追加

an element made by overlapping thin strata of a semiconductor chemical compound発音を聞く  - EDR日英対訳辞書

ガリウム砒素,アルミニウム砒素など異なった化合物半導体を積み重ねて作った素子例文帳に追加

an element made by overlapping differing semiconductor compounds発音を聞く  - EDR日英対訳辞書

ガリウム砒素半導体の表面処理方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法例文帳に追加

METHOD OF TREATING SURFACE OF GALLIUM ARSENIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

ガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板上にインジウム砒素（ＩｎＡｓ）層を設け、インジウム砒素層上にガリウム砒素基板より大きくインジウム砒素層より小さい格子定数を有する半導体層設ける。例文帳に追加

An indium arsenide (InAs)layer is placed on a gallium arsenide (GaAs) substrate, and an semiconductor layer is placed on the indium arsenide layer, which is larger than the gallium arsenide substrate and has a lattice constant smaller than the indium arsenide layer. - 特許庁

第１の発明のガリウム砒素半導体の表面処理方法は、ガリウム砒素半導体表面を、窒素あるいはアンモニアプラズマに接触させ、表面に窒化ガリウムの層を形成する。例文帳に追加

In the surface treatment method for a gallium arsenide semiconductor in the first invention, the surface of the gallium arsenic semiconductor is brought into contact with nitric or ammonium plasma, so as to form a gallium nitride layer on the surface. - 特許庁

第２のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層９は、ガリウム、インジウム、窒素、砒素及びアンチモンを含む。例文帳に追加

The second III-V compound semiconductor layer 9 contains gallium, indium, nitrogen, arsenic, and antimony. - 特許庁

第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層７は、ガリウム、砒素及びアンチモンを含む。例文帳に追加

The first III-V compound semiconductor layer 7 contains gallium, arsenic, and antimony. - 特許庁