コレクタ接合の英語

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、コレクタ層の総厚さを変えずに、ベース・コレクタ耐圧を向上させる。例文帳に追加

To provide an epitaxial wafer for a hetero-junction bipolar transistor which is capable of improving a base-collector breakdown voltage without changing a collector layer in overall thickness. - 特許庁

ガス拡散層は膜電極接合体の両側に、電流コレクタはガス拡散層に、密封部材は電流コレクタに、それぞれ結合される。例文帳に追加

The gas diffusion layers are combined with both sides of the membrane electrode assembly, the current collectors, with the gas diffusion layers, and the sealing members, with the current collectors, respectively. - 特許庁

本発明の方法は、以下の素子領域、すなわちコレクタ領域、サブコレクタ領域、外部ベース領域、およびコレクタ−ベース接合領域の１つへの、炭素、Ｃのイオン打込みを含む。例文帳に追加

The present method includes ion implantation of carbon C into one of the following element regions i.e. a collector region, subcollector region, external base region, and collector-base junction region. - 特許庁

第１コレクタ層１４とベース層２２の間、又は第１コレクタ層１４とベース引き出し層２５の間に、絶縁膜層２０が形成されていることにより、ベース・コレクタ間の接合容量を低減させる。例文帳に追加

The insulation film layer 20 is formed between the first collector layer 14 and the base layer 22 or between the first collector layer 14 and the base extraction layer 25, whereby junction capacitance between the base and the collector is reduced. - 特許庁

この裏面のコレクタ領域部２１をｐ^+ コレクタ領域１９とショットキー接合２０で構成されたＭＰＳ構造とし、裏面のｐ^+ コレクタ領域１９の厚さを１μｍ程度とする。例文帳に追加

A collector region 21 on the rear surface has an MPS structure of the p^+ collector region 19 and the Schottky junction 20 and the p^+ collector region 19 on the rear surface has a thickness of about 1 μm. - 特許庁

ＨＢＴのコレクタ領域を構成するコレクタ層とサブコレクタ層との接合部近辺における高電界を抑制することによって、オン耐圧を向上させる。例文帳に追加

A high electric field near a junction between a collector layer and a sub-collector layer constituting a collector region of the HBT is inhibited to improve the ON-withstand voltage. - 特許庁

埋込みコレクタ層２０、前記埋込みコレクタ層に隣接したカウンタードープしたコレクタ領域８０、前記カウンタードープしたコレクタ領域に隣接するベース領域４０、及び前記ベース領域に隣接するエミッタ領域５０、を具えた二極接合トランジスタ。例文帳に追加

This bipolar junction transistor is provided with a buried collector layer 20, a collector region 80 which is counter-doped and arranged adjacently to the buried collector layer, a base region 40 arranged adjacently to the counter-doped collector region 80 and an emitter region 50 arranged adjacently to the base region 40. - 特許庁

気相エピタキシャル法により、基板上６に、少なくともコレクタコンタクト層５と、コレクタ層４と、ベース層３と、エミッタ層２とが順次積層されるヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、上記コレクタ層４及びコレクタコンタクト層５にドーパントとしてＳｅを添加する。例文帳に追加

By a vapor-phase epitomical method, at least a collector contact layer 5, a collector layer 4, a base layer 3 and an emitter layer 2 are to the collector layer 4 and the collector contact layer 5. - 特許庁