コレクタ接合の英語

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、コレクタ層の総厚さを変えずに、ベース・コレクタ耐圧を向上させる。例文帳に追加

To provide an epitaxial wafer for a hetero-junction bipolar transistor which is capable of improving a base-collector breakdown voltage without changing a collector layer in overall thickness. - 特許庁

エミッタ層4、べース層5、コレクタ層6を具備するヘテロ接合バイポーラトランジスタである。例文帳に追加

The hetero junction bipolar transistor comprises an emitter layer 4, a base layer 5, and a collector layer 6. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、そのサブ−コレクタ層（２０）中においてリン（２４）でドープされている。例文帳に追加

A heterojunction bipolar transistor is doped with phosphor (24) within its sub collector layer (20). - 特許庁

短縮により、順バイアスされたベース／エミッタ接合から逆バイアスされたベース／コレクタ接合への担体の注入が大きくなる。例文帳に追加

Thus, the injection of a carrier from successively biased base/emitter junction to reversely biased base/collector junction can be made large. - 特許庁

エミッタ層４をベース層５の窒素極性面に接合し、コレクタ層６をベース層５のガリウム極性面に接合する。例文帳に追加

The emitter layer 4 is jointed to a nitrogen polarity surface of the base layer 5, and the collector layer 6 is jointed to the gallium polarity surface of the base layer 5. - 特許庁

この裏面のコレクタ領域部２１をｐ^+ コレクタ領域１９とショットキー接合２０で構成されたＭＰＳ構造とし、裏面のｐ^+ コレクタ領域１９の厚さを１μｍ程度とする。例文帳に追加

A collector region 21 on the rear surface has an MPS structure of the p^+ collector region 19 and the Schottky junction 20 and the p^+ collector region 19 on the rear surface has a thickness of about 1 μm. - 特許庁

ガス拡散層は膜電極接合体の両側に、電流コレクタはガス拡散層に、密封部材は電流コレクタに、それぞれ結合される。例文帳に追加

The gas diffusion layers are combined with both sides of the membrane electrode assembly, the current collectors, with the gas diffusion layers, and the sealing members, with the current collectors, respectively. - 特許庁

基板１の表面に、Ｐ側コレクタ電極板４、中継電極板１４およびＮ側コレクタ電極板９が接合形成されている。例文帳に追加

A P side collector electrode board 4, a relay electrode board 14 and an N side collector electrode board 9 are bonded on the surface of a substrate 1. - 特許庁