collector junctionとは 意味・読み方・使い方

By this manufacturing method, occurrence of junction leak current between a collector and a base is suppressed.例文帳に追加

この製造方法により、コレクタ−ベース間の接合リーク電流の発生を抑制することができる。 - 特許庁

The electron transit layer 29 has a structure where the potential on the junction surface to the second barrier layer 28 is lower than the potential of the collector layer 30, approaches the potential of the collector layer 30 as the distance to the collector layer 30 becomes shorter, and the potential on the junction surface to the collector layer 30 is equal to the potential of the collector layer 30.例文帳に追加

電子走行層２９は、第２の障壁層２８との接合面でのポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルよりも低く、コレクタ層３０との距離が近づくに従ってポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルに近づき、コレクタ層３０との接合面でのポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルと同じになるような構造をしている。 - 特許庁

The insulation film layer 20 is formed between the first collector layer 14 and the base layer 22 or between the first collector layer 14 and the base extraction layer 25, whereby junction capacitance between the base and the collector is reduced.例文帳に追加

第１コレクタ層１４とベース層２２の間、又は第１コレクタ層１４とベース引き出し層２５の間に、絶縁膜層２０が形成されていることにより、ベース・コレクタ間の接合容量を低減させる。 - 特許庁

A collector region 21 on the rear surface has an MPS structure of the p^+ collector region 19 and the Schottky junction 20 and the p^+ collector region 19 on the rear surface has a thickness of about 1 μm.例文帳に追加

この裏面のコレクタ領域部２１をｐ^+ コレクタ領域１９とショットキー接合２０で構成されたＭＰＳ構造とし、裏面のｐ^+ コレクタ領域１９の厚さを１μｍ程度とする。 - 特許庁

A high electric field near a junction between a collector layer and a sub-collector layer constituting a collector region of the HBT is inhibited to improve the ON-withstand voltage.例文帳に追加

ＨＢＴのコレクタ領域を構成するコレクタ層とサブコレクタ層との接合部近辺における高電界を抑制することによって、オン耐圧を向上させる。 - 特許庁

The electrostatic protective circuit has a first junction type bipolar transistor and a second junction type bipolar transistor which are formed in a thyristor structure; and an MOS transistor intervened between a collector terminal of the first junction type bipolar transistor and a base terminal of the second junction type bipolar transistor.例文帳に追加

サイリスタ構造に形成された第１接合型のバイポーラトランジスタ及び第２接合型のバイポーラトランジスタと、第１接合型のバイポーラトランジスタのコレクタ端子と第２接合型のバイポーラトランジスタのベース端子との間に介挿されたＭＯＳトランジスタと、を設ける。 - 特許庁

This bipolar junction transistor is provided with a buried collector layer 20, a collector region 80 which is counter-doped and arranged adjacently to the buried collector layer, a base region 40 arranged adjacently to the counter-doped collector region 80 and an emitter region 50 arranged adjacently to the base region 40.例文帳に追加

埋込みコレクタ層２０、前記埋込みコレクタ層に隣接したカウンタードープしたコレクタ領域８０、前記カウンタードープしたコレクタ領域に隣接するベース領域４０、及び前記ベース領域に隣接するエミッタ領域５０、を具えた二極接合トランジスタ。 - 特許庁

After the backside polishing, a collector electrode 31 made of e.g. aluminum forms an ohmic junction with the p^- lightly-doped collector layer 11, and the n^+ collector short-circuited region 13, dispensing with the ion implantation and heat treatment for separately forming a collector contacting high-concentration layer.例文帳に追加

裏面研削後、例えばアルミニウム等から成るコレクタ電極３１によって、ｐ^−低濃度コレクタ層１１及びｎ^＋コレクタ短絡領域１３とオーミック接合が形成されるので、コレクタコンタクト用の高濃度層を別途形成するためのイオン注入及び熱処理が不要となる。 - 特許庁