「collector junction」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide an epitaxial wafer for a hetero-junction bipolar transistor which is capable of improving a base-collector breakdown voltage without changing a collector layer in overall thickness.例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、コレクタ層の総厚さを変えずに、ベース・コレクタ耐圧を向上させる。 - 特許庁

The hetero junction bipolar transistor comprises an emitter layer 4, a base layer 5, and a collector layer 6.例文帳に追加

エミッタ層4、べース層5、コレクタ層6を具備するヘテロ接合バイポーラトランジスタである。 - 特許庁

By this manufacturing method, occurrence of junction leak current between a collector and a base is suppressed.例文帳に追加

この製造方法により、コレクタ−ベース間の接合リーク電流の発生を抑制することができる。 - 特許庁

The electron transit layer 29 has a structure where the potential on the junction surface to the second barrier layer 28 is lower than the potential of the collector layer 30, approaches the potential of the collector layer 30 as the distance to the collector layer 30 becomes shorter, and the potential on the junction surface to the collector layer 30 is equal to the potential of the collector layer 30.例文帳に追加

電子走行層２９は、第２の障壁層２８との接合面でのポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルよりも低く、コレクタ層３０との距離が近づくに従ってポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルに近づき、コレクタ層３０との接合面でのポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルと同じになるような構造をしている。 - 特許庁

The insulation film layer 20 is formed between the first collector layer 14 and the base layer 22 or between the first collector layer 14 and the base extraction layer 25, whereby junction capacitance between the base and the collector is reduced.例文帳に追加

第１コレクタ層１４とベース層２２の間、又は第１コレクタ層１４とベース引き出し層２５の間に、絶縁膜層２０が形成されていることにより、ベース・コレクタ間の接合容量を低減させる。 - 特許庁

A collector region 21 on the rear surface has an MPS structure of the p^+ collector region 19 and the Schottky junction 20 and the p^+ collector region 19 on the rear surface has a thickness of about 1 μm.例文帳に追加

この裏面のコレクタ領域部２１をｐ^+ コレクタ領域１９とショットキー接合２０で構成されたＭＰＳ構造とし、裏面のｐ^+ コレクタ領域１９の厚さを１μｍ程度とする。 - 特許庁

A high electric field near a junction between a collector layer and a sub-collector layer constituting a collector region of the HBT is inhibited to improve the ON-withstand voltage.例文帳に追加

ＨＢＴのコレクタ領域を構成するコレクタ層とサブコレクタ層との接合部近辺における高電界を抑制することによって、オン耐圧を向上させる。 - 特許庁

The electrostatic protective circuit has a first junction type bipolar transistor and a second junction type bipolar transistor which are formed in a thyristor structure; and an MOS transistor intervened between a collector terminal of the first junction type bipolar transistor and a base terminal of the second junction type bipolar transistor.例文帳に追加

サイリスタ構造に形成された第１接合型のバイポーラトランジスタ及び第２接合型のバイポーラトランジスタと、第１接合型のバイポーラトランジスタのコレクタ端子と第２接合型のバイポーラトランジスタのベース端子との間に介挿されたＭＯＳトランジスタと、を設ける。 - 特許庁

This bipolar junction transistor is provided with a buried collector layer 20, a collector region 80 which is counter-doped and arranged adjacently to the buried collector layer, a base region 40 arranged adjacently to the counter-doped collector region 80 and an emitter region 50 arranged adjacently to the base region 40.例文帳に追加

埋込みコレクタ層２０、前記埋込みコレクタ層に隣接したカウンタードープしたコレクタ領域８０、前記カウンタードープしたコレクタ領域に隣接するベース領域４０、及び前記ベース領域に隣接するエミッタ領域５０、を具えた二極接合トランジスタ。 - 特許庁

After the backside polishing, a collector electrode 31 made of e.g. aluminum forms an ohmic junction with the p^- lightly-doped collector layer 11, and the n^+ collector short-circuited region 13, dispensing with the ion implantation and heat treatment for separately forming a collector contacting high-concentration layer.例文帳に追加

裏面研削後、例えばアルミニウム等から成るコレクタ電極３１によって、ｐ^−低濃度コレクタ層１１及びｎ^＋コレクタ短絡領域１３とオーミック接合が形成されるので、コレクタコンタクト用の高濃度層を別途形成するためのイオン注入及び熱処理が不要となる。 - 特許庁

a junction transistor having an n-type semiconductor between a p-type semiconductor that serves as an emitter and a p-type semiconductor that serves as a collector 例文帳に追加

エミッタとして用いられるP型半導体と集電装置として機能するP型半導体の間のN型半導体を備える接合トランジスタ - 日本語WordNet

To provide a hetero-junction bipolar transistor having a base collector mesa having a stable shape, and to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加

安定した形状のベースコレクタメサを有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A square type lithium secondary battery 20 is provided with a positive electrode external terminal 5 having a junction part 5a of a positive electrode current collector protruding toward the lower part side.例文帳に追加

角型リチウム二次電池２０は、下部側に突出した正極集電体接合部５ａを有する正極外部端子５を備えている。 - 特許庁

In one embodiment, the bipolar junction transistor has a collector, an intrinsic base, an external base, and an emitter in a relationship to lamination.例文帳に追加

一実施形態では、バイポーラ接合型トランジスタは積層関係にあるコレクタ、真性ベース、外部ベースおよびエミッタを備えている。 - 特許庁

To provide a hetero junction bipolar transistor capable of reducing the collector voltage dependency of a gain and an amplifier provided with it.例文帳に追加

利得のコレクタ電圧依存性を低減できるヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびそれを備える増幅器を提供する。 - 特許庁

To provide a hetero-junction bipolar transistor (HBT) having a structure that can be reduced in base-collector capacitance and base resistance.例文帳に追加

ベース−コレクタ容量及びベース抵抗を低減できる構造を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ(ＨＢＴ)を提供する。 - 特許庁

To improve junction between a transparent electrode and collector electrode more than that of a conventional thin film solar cell consisting of single crystal or polycrystal.例文帳に追加

従来の単結晶、多結晶、薄膜太陽電池よりも透明電極と集電極との接合を良好にする。 - 特許庁

A PN junction diode between an emitter electrode (22) and a collector electrode (23) of the insulated gate bipolar transistor is built through a PN junction formed between the peripheral base region (27) and the first base region (16).例文帳に追加

周辺ベース領域(27)と第１のベース領域(16)との間に形成されるＰＮ接合により、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのエミッタ電極(22)とコレクタ電極(23)との間にＰＮ接合ダイオードを形成する。 - 特許庁

In contrast, the metal silicide layer is not formed on a P+ diffusion layer 14 whose junction surface with the N-epitaxial layer 4 is a pn junction surface and which is used as a collector region.例文帳に追加

一方、Ｎ-エピタキシャル層４との接合面がｐｎ接合面となるコレクタ領域としてのＰ+拡散層１４には、金属シリサイド層は形成されていない。 - 特許庁

Hence the diffusion of B from the base layer can be suppressed by making higher the Ge compsns. of the emitter- base junction region and base-collector junction region, which sandwich the base layer than the Ge compsn. of the base layer.例文帳に追加

したがって、ベース層を挟むエミッタ-ベース接合領域とベース−コレクタ接合領域のGe組成を、ベース層のGe組成よりも高くすることにより、ベース層からのBの拡散を抑制できる。 - 特許庁

As shown in Fig. B, concentration distribution of the base region on the side nearer base-to- collector junction face is made deeper than that of a base-to-emitter junction face.例文帳に追加

図１Ｂに示すように、ベース領域の濃度分布が、ベースエミッタ接合面側よりもベースコレクタ接合面側に近づくにつれて濃くなっている。 - 特許庁

The pair differential transistors is biased such that a collector-base junction capacitance of each of the differential transistors becomes a junction capacitance in a quasi-saturation region.例文帳に追加

一対の差動トランジスタは、当該一対の差動トランジスタそれぞれのコレクタ−ベース間の接合容量が準飽和領域の接合容量となるように、バイアスされている。 - 特許庁

Due to such a structure, a base-collector junction capacitance C_BC and a base-emitter junction capacitance C_BE are significantly reduced, and the high frequency characteristics of the bipolar transistor can be improved.例文帳に追加

このような構成とすることにより、ベース・コレクタ接合容量C_BCおよびベース・エミッタ接合容量C_BEが大幅に低減され、バイポーラトランジスタの高周波特性を向上させることが可能となる。 - 特許庁

A pressure distribution becomes uniform by dispersing the pressure applied to the junction by the spacer to be transmitted to the junction, so that the real contact area of the interface between the electrolyte and a current collector is increased.例文帳に追加

締結部に加えられた圧力をスペーサによって分散して接合体に伝えることにより圧力分布が均一なものになり、電解質と集電体の界面の真実接触面積が増加する。 - 特許庁

In a bipolar transistor using an SiGe mixed crystal layer as a base, the Ge compsns. of an emitter-base junction region and base-collector junction region which is adjacent the base layer are made higher than the Ge compsn. of the base layer.例文帳に追加

SiGe混晶層をベースに用いたバイポーラトランジスタにおいて、ベース層に隣接するエミッタ-ベース接合領域とベース−コレクタ接合領域のGe組成を、ベース層のGe組成よりも高くした構造。 - 特許庁

The band gap of a first single crystalline semiconductor layer a base region is fixed in an area near a junction with a second single crystalline semiconductor layer of an emitter region, and reduces toward a junction with a third single crystalline semiconductor layer of a collector region.例文帳に追加

本願発明の一例は、ベース領域のバンドギャップが、エミッタ、コレクタのバンドギャップより小さく、かつエミッタとの接合部近傍で一定で、コレクタとの接合部に向かって減少する分布を有する。 - 特許庁

The present method includes ion implantation of carbon C into one of the following element regions i.e. a collector region, subcollector region, external base region, and collector-base junction region.例文帳に追加

本発明の方法は、以下の素子領域、すなわちコレクタ領域、サブコレクタ領域、外部ベース領域、およびコレクタ−ベース接合領域の１つへの、炭素、Ｃのイオン打込みを含む。 - 特許庁

In the hetero junction bipolar transistor, an InGaP layer 10 is provided between a collector layer 4 and a base layer 5, so that a hetero barrier is formed between the collector layer 4 and the base layer 5 to reduce the offset voltage.例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、コレクタ層４とベース層５との間にＩｎＧａＰ層１０を有するので、ヘテロ障壁がコレクタ層４とベース層５との間に形成されてオフセット電圧が低下する。 - 特許庁

When an applied voltage between the collector electrode and the emitter and base electrode rises, a current flows through the PN junction composed of a collector region and a part of the base region of the elctrostatic discharge damage before the internal circuit.例文帳に追加

コレクタ電極とエミッタ及びベース電極間の印加電位が上昇したとき、内部回路より先に、静電破壊保護素子のコレクタ領域とベース領域の一部とで構成されるＰＮ接合に電流が流れる。 - 特許庁

To provide a current collector for bipolar secondary battery which is light in weight compared with a metallic foil current collector, and prevents liquid junction between a positive electrode layer and a negative electrode layer in the bipolar electrode.例文帳に追加

金属箔集電体に較べて軽量であるとともに、双極型電極内の正極層と負極層との間の液絡を防ぐことができる双極型二次電池用の集電体を提供する。 - 特許庁

The PN junction between the base region and the collector region is terminated by an oxide film reaching the collector region through the base region.例文帳に追加

本発明は、全面に設けたベース領域とコレクタ領域のＰＮ接合を、ベース領域を貫通しコレクタ領域に達する酸化膜により終端させるものである。 - 特許庁

The hetero-junction bipolar transistor (HBT) comprising a collector formed on a substrate, a base formed on the collector, an emitter formed on the base and a tunneling suppression layer between the collector and the base is obtained.例文帳に追加

本発明によれば、基板上に形成されたコレクタと、コレクタ上に形成されたベースと、ベース上に形成されたエミッタと、コレクタとベースの間のトンネリング抑制層を含む、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ）が得られる。 - 特許庁

In this hetero-junction bipolar transistor, an n+-type AlGaAs emitter layer 5, a p+-type GaAs base layer 6, an n-type GaAs collector layer 7, an n+-type GaAs collector cap layer 8, and a collector electrode 11 made of an alloy of AuGe and Ni sequentially formed on an n+-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、n^+型GaAs基板１上にｎ^+型AlGaAsエミッタ層５、ｐ^+型GaAsベース層６、ｎ型GaAsコレクタ層７、ｎ^^+型GaAsコレクタキャップ層８、AuGeとNiの合金から成るコレクタ電極１１を順次形成している。 - 特許庁

The thickness Dc of the low-concentration collector region 12 is set less than the width Wc of a depletion layer in the collector region 12 by forming a p-n junction with the collector region 12 and the base region 13 in a usual operation.例文帳に追加

そして低濃度のコレクタ領域１２の膜厚Ｄcは、通常動作時にコレクト領域１２とベース領域１３とのｐｎ接合によりコレクタ領域１２に発生する空乏層幅Ｗcより小さく設定されていることを特徴としている。 - 特許庁

The variable capacitor 30 is realized with a capacitive component of a diode (b) formed by pn junction between an emitter layer and a base layer in a bipolar transistor, and a capacitive component of a diode (a) formed by PN junction between the base layer and its collector layer.例文帳に追加

可変容量素子３０はバイポーラトランジスタにおけるエミッタ層とベース層間のＰＮ接合により形成されるダイオードｂの容量成分と、ベース層とコレクタ層間のＰＮ接合により形成されるダイオードａの容量成分とにより実現される。 - 特許庁

The gas sensors are each formed by forming FET using a semiconductor substrate, a gate-control-type p-n junction diode, or the gate area of a Schottky diode or a conductive oxyacid salt and collector or a solid electrolyte, conductive oxyacid salt, and collector on a rectification barrier electrode.例文帳に追加

本発明のガスセンサは、半導体基板を用いたFET、ゲート制御型ｐｎ接合ダイオード、あるいはショットキーダイオードのゲート領域あるいは整流障壁電極上に導電性酸素酸塩と集電体、あるいは固体電解質と導電性酸素酸塩と集電体を形成することからなる。 - 特許庁

To provide a resin current collector for a bipolar lithium secondary battery, which can be manufactured by a simple process and develops sufficient strength while preventing a liquid junction, and to provide a laminated electrode for a bipolar lithium secondary battery including the current collector.例文帳に追加

簡易な工程で作成することが可能で、液絡を防ぐと共に十分な強度を発現する双極型リチウム二次電池用樹脂集電体、及び当該集電体を有する双極型リチウム二次電池用積層電極に関する。 - 特許庁

The junction bipolar transistor 100 includes a collector layer 130, a base layer 140 jointed with the collector layer 130, the base electrodes 142 formed on the base layer 140, an emitter layer 150 jointed with the base layer 140, and an emitter electrode 152 formed on the emitter layer 150.例文帳に追加

接合型バイポーラトランジスタ１００は、コレクタ層１３０と、コレクタ層１３０に接合されるベース層１４０と、ベース層１４０に形成されるベース電極１４２と、ベース層１４０に接合されるエミッタ層１５０と、エミッタ層１５０に形成されるエミッタ電極１５２とを有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the hetero junction bipolar transistor comprises a step of sequentially laminating semiconductor layers to become a sub-collector layer 2, a collector layer 3, a base layer 4, an emitter layer 5, and an emitter cap layer 6 on a semi-insulating substrate 1, and a step of forming an electrode layer 10 an the emitter cap layer 6.例文帳に追加

半絶縁性基板１上に、サブコレクタ層２、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５、およびエミッタキャップ層６となる各半導体層を順次積層して形成する工程と、エミッタキャップ層６上に、電極層１０を形成する工程とを有する。 - 特許庁

For increase of Vbase_bias, and V_LVDO due to control of Vapc, a base-to-collector voltage of a transistor Q1 in the final stage is set lower than turn-on voltage in the forward direction of an equivalent diode D1 of the PN junction between the base and collector.例文帳に追加

Ｖａｐｃの制御によるＶｂａｓｅ＿ｂｉａｓ、Ｖ_ＬＶＤＯの増大に際して、最終段トランジスタＱ１のベース・コレクタ間電圧がベース・コレクタ間ＰＮ接合の等価的ダイオードＤ１の順方向ターンオン電圧よりも低く設定されている。 - 特許庁

By the amendment, "diode" before amendment is amended to "an equivalent diode shorted between a transistor base and collector." Herein, "diode" specifically includes both the p-n junction diodes shown in Fig. 1 and the equivalent diode shown in Fig. 2. 例文帳に追加

補正により、補正前の「ダイオード」が「トランジスタのベースとコレクタを短絡した等価ダイオード」となった。ここで「ダイオード」とは、図に示されるp-n接合ダイオードと図に示される等価ダイオードの両者を具体的に含むものである。 - 特許庁

To improve the maximum oscillation frequency fmax by reducing the parasitic capacity Cbc between a base and collector in the hetero-junction bipolar transistor having a mesa of emitter.例文帳に追加

エミッタメサを有するヘテロ接合型バイポーラトランジスタにおいて、ベース−コレクタ間の寄生容量Ｃｂｃを低減させ、最大発振周波数ｆｍａｘを向上させること。 - 特許庁

Even if crystal defects occur, the crystal defects are kept away from the passage of the base current and thereby the junction leakage current can be reduced between the collector and the base.例文帳に追加

そして、結晶欠陥が発生した場合でも、ベース電流の通過経路から結晶欠陥を離間させることで、コレクタ−ベース間の接合リーク電流を低減させることができる。 - 特許庁

Also, the junction of the emitter of the transistor T1 and the collector of the transistor T2 is connected to an external output terminal 9 through a conducting wire where a parasitic inductance L2 exists such as a bonding wire.例文帳に追加

また、トランジスタＴ１のエミッタとトランジスタＴ２のコレクタとの接続点は、ボンディングワイヤ等の寄生インダクタンスＬ２が存在する導線により外部出力端子９に接続されている。 - 特許庁

Thus, the insulating region 4 is provided under the exterior base region without ion implantation, and thereby the junction capacity Cbc between the base and collector is reduced and the maximum oscillation frequency fmax can be improved.例文帳に追加

このようにして、イオン注入をおこなわずに、外部ベース領域の下に絶縁領域４を設けることによって、ベース−コレクタ間の接合容量Ｃｂｃを低減させ、最大発振周波数ｆｍａｘを向上させる。 - 特許庁