コレクタ飽和電圧の英語

このとき、トランジスタＴ１のベースには、トランジスタＴ２のコレクタ・エミッタ間飽和電圧と電圧負担回路１０の端子間電圧との加算電圧が与えられる。例文帳に追加

In this case, the added voltage of an inter-collector/emitter saturation voltage of the transistor T2 and the inter-terminal voltage of the voltage load circuit 10 is applied to the base of the transistor T1. - 特許庁

これにより、抵抗７に印加される電圧は、非常に小さい電圧であるトランジスタ１３のエミッタ・コレクタ間の飽和電圧Ｖｃｅｓａｔになり、ＬＥＤ９、９、…に流れる電流は非常に小さくなる。例文帳に追加

Since the extremely small saturation voltage Vcesat between the emitter and the collector of the transistor 13 is applied to a resistor 7, a current flowing through the LEDs 9, 9, ... becomes extremely small. - 特許庁

温度が上昇し、サーミスタＮＴＣ２の抵抗値が減少すると、抵抗Ｒ６による電源電圧ＶCC2の分圧電圧が減少し、トランジスタＱ２のベース電位が低下し、コレクタ電位は上昇するが飽和するようになる。例文帳に追加

When the temperature rises and the resistance of a thermister NTC2 decreases, a divided voltage of a power supply voltage Vcc2 by a resistor R6 is decreased, a base level of transistor(TR) Q2 is decreased and its collector level rises but the TR Q2 is saturated. - 特許庁

そのことで、Ｎ^+型拡散領域４９とＮ^+型付加埋め込み層４５とは確実に連結され、ＮＰＮトランジスタ３１におけるコレクタ−エミッタ間飽和電圧が低減される。例文帳に追加

Consequently, the N+ diffusion region 49 and N+ additional embedded layer 45 are connected surely together to lower the collector-emitter saturation voltage of the NPN transistor 31. - 特許庁

これにより、出力トランジスタ３６のコレクタ・エミッタ間電圧は常にＶＦ（約０．７Ｖ）以上となり、出力トランジスタ３６は能動領域でのみ動作し、飽和に伴う波形歪みの発生を抑える。例文帳に追加

Thus, a collector- emitter voltage of the output TR 36 is always a VF (about 0.7 V) or over and the output TR 36 is active only in an active region so as to suppress production of waveform distortion accompanying saturation. - 特許庁

ＮＰＮトランジスタ１０のベース領域１３を囲むようにして、コレクタ−エミッタ間飽和電圧ＶCE（ｓａｔ）を低減させるための高濃度領域１５を形成した。例文帳に追加

A high-concentration region 15 for reducing the saturation voltage VCE (sat) between the collector and emitter is formed so that a base region 13 of an NPN transistor 10 is surrounded. - 特許庁

コレクタ電流を受けたデータ処理部１３は、進行波管２の増幅出力Ｐｏを飽和出力から一定量，好ましくは５ｄＢバックオフさせるように進行波管２のアノード電圧Ｖａを制御する。例文帳に追加

A data processing part 13 which receives the collector currents controls an anode voltage Va of the traveling wave tube 2 so that the amplified output Po of the traveling wave tube 2 can be backed off by fixed quantity, preferentially 5dB from a saturated output. - 特許庁

したがって、バイポーラトランジスタでは、安定動作のために、飽和しないように、コレクタ−エミッタ間電圧にマージンを必要とするのに対して、ＭＯＳトランジスタでは、そのようなマージンが不要となり、該トランジスタでの電圧降下を小さくし、低電源電圧化を図ることができる。例文帳に追加

Therefore, a bipolar transistor requires a margin for a collector-emitter voltage so as not to be saturated for stable operation but the MOS transistor eliminate the need for such a margin and the voltage drop of this transistor is reduced so that the reduction in a power supply voltage can be attained. - 特許庁