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コンオンの英語
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「コンオン」を含む例文一覧
該当件数 : 34件
シリコン−オン−絶縁物MOSFETトランジスタを有するCMOSメモリ素子。例文帳に追加
A CMOS memory element comprises silicon-on-insulator MOSFET transistors. - 特許庁
パソコンオンラインレンタルシステム及びその使用方法例文帳に追加
PERSONAL COMPUTER ON-LINE RENTAL SYSTEM AND METHOD FOR USING THE SAME - 特許庁
シリコンオンインシュレータ(SOI)ウエハの電気特性決定方法例文帳に追加
METHOD OF ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF SILICON ON INSULATOR (SOI) WAFER - 特許庁
垂直シリコン−オン−インシュレータ構造の円筒形トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加
CYLINDRICAL TRANSISTOR OF VERTICAL SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURE AND ITS FABRICATING METHOD - 特許庁
プログラマブルロジックデバイス内のシリコンオンインシュレータートランジスターのための装置と方法例文帳に追加
DEVICE AND METHOD FOR SILICON-ON-INSULATOR TRANSISTOR IN PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE - 特許庁
シリコンオンナッシング金属酸化物半導体電界效果トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加
SILICON-ON-NOTHING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
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「コンオン」を含む例文一覧
該当件数 : 34件
シリコン−オン−インシュレーター構造及びバルク基板に対するSiGeの堆積例文帳に追加
DEPOSITION OF SILICON GERMANIUM ON SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURES AND BULK SUBSTRATES - 特許庁
選択デバイスは、シリコン−オン−絶縁物(SOI)相補型金属酸化物半導体(CMOS)技術で実装される。例文帳に追加
The selection device may be implemented in silicon-on-insulator (SOI) complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technology. - 特許庁
シリコンオンインシュレータ・ボディコンタクトを形成する方法およびボディコンタクト構造例文帳に追加
FORMING METHOD OF SILICON-ON-INSULATOR BODY CONTACT AND BODY CONTACT STRUCTURE - 特許庁
液晶ガラス、SOS(シリコンオンサファイア)、SOI(シリコンオンインシュレータ)等の絶縁性をもつ被吸着物を高い吸着力で保持できる静電チャックを提供する。例文帳に追加
To provide an electrostatic chuck for attracting and firmly holding insulating objects, such as liquid glass, SOS (silicon on sapphire), or SOI (silicon on insulator). - 特許庁
イオン注入により作られるシリコンオンインシュレータ(SOI)基板である、SIMOXの転位密度を減少させる構造を提供する。例文帳に追加
To provide a structure for reducing the dislocation density of an SIMOX which is a silicon insulator SOI substrate produced by ion implantation. - 特許庁
Si1−xGex層の選択的エッチングを用いるシリコンオンナッシング(SON)MOSFETの製造例文帳に追加
MANUFACTURE OF SILICON-ON-NOTHING (SON) MOSFET USING SELECTIVE ETCHING OF Si1-xGex LAYER - 特許庁
そして、この段差を無くして表面を平坦にするために、シリコンオングラス60を塗布し、さらに、反射防止膜70を形成する。例文帳に追加
In order to eliminate the level difference and to flatten the surface, silicon on glass 60 is applied and an antireflection film 70 is formed. - 特許庁
発明の一態様は、複数のシリコンオンインシュレータ(SOI)論理ゲートによって形成された回路から構成される。例文帳に追加
A variable delay circuit is formed by a plurality of silicon-on-insulator (SOI) logic gates. - 特許庁
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