シマ板の英語

本発明のＫｒＦエキシマレーザリソグラフィ用フォトマスクは、石英ガラス基板１０上にＫｒＦエキシマレーザ光（波長：約２４８ｎｍ）を効率的に吸収するレジストパターン１８を直接形成したものである。例文帳に追加

This photomask for the KrF excimer laser lithography is obtained by directly forming on a quartz glass substrate 10 a resist pattern 18 which absorbs a KrF excimer laser light (wavelength; about 248 nm) efficiently. - 特許庁

そして、そのスキージ面がエキシマレーザ装置側に対向するように、プラスチック板をセットしたら、エキシマレーザを照射してアブレーション加工により所望の深さまで掘り下げ、貫通孔の周囲に凹部を形成する。例文帳に追加

The plastic sheet is set so that the squeegeeing surface is opposed to the excimer laser device side, and then the sheet is dug to a desired depth by an ablation processing by exposure to an excimer laser, so as to form the recess around the perforation. - 特許庁

長時間の使用により，エキシマＵＶランプの照度が低下し，基板の処理に必要な最低限の照度（照度限界Ｎ）になった時に，再びエキシマＵＶランプへの供給電力を増大させる。例文帳に追加

The illumination of the excimer UV lamp is lowered by using for a long time, and when coming to the minimum illumination (illumination limit N) necessary for a processing of a substrate, the power to be supplied to the excimer UV lamp is again increased. - 特許庁

レーザ発振機１からエキシマレーザ光が光学系２を介し照射されるプロセスチャンバ３と、このプロセスチャンバ３内の絶縁性基板５にエキシマレーザ光を導くウインド４とを備える。例文帳に追加

A process chamber 3 to which an excimer laser light is projected from a laser oscillator 1 through an optical system 2, and a window 4 for guiding the excimer laser light to an insulating substrate 5 in the process chamber 3, are provided. - 特許庁

ガラス基板11を設置した基板ステージ28を、エキシマレーザビームＢの長尺方向に直交する方向に沿って移動させるだけで、ガラス基板11上のアモルファスシリコン薄膜12全体にエキシマレーザビームＢを照射できる。例文帳に追加

The eximer laser beam B is irradiated on the whole of amorphous silicon thin film 12 on the glass substrate 11 by only moving a substrate stage 28, installed on the glass substrate 11, along a direction orthogonal to the long picture direction of the excimer laser beam B. - 特許庁

次に、基板１０に対して半導体層１１の反対側の面からＫｒＦエキシマレーザ光を照射する。例文帳に追加

Then, KrF excimer laser is irradiated to a substrate 10 from the opposite surface of the semiconductor layer 11. - 特許庁

チャンバ１外に配置されたエキシマレーザ出射装置４が、窓２を通して基板Ｗに処理用レーザ光Ｌを入射させる。例文帳に追加

An excimer laser emitting apparatus 4 located outside the chamber 1 inputs a processing laser beam L to the substrate W via the window 2. - 特許庁

結晶化装置において、エキシマ・レーザーの高繰り返し連続照射におけるレンズの熱膨張および基板の熱膨張を低減する。例文帳に追加

To reduce thermal expansion of a lens and thermal expansion of a substrate during highly repetitive, continuous irradiation of excimer laser in crystallization equipment. - 特許庁