シリサイド形成の英語

シリサイド領域と非シリサイド領域が混在する半導体装置において、シリサイド領域の狭ゲート電極間にシリサイドプロテクション膜残りによるシリサイド形成不良を防止し、非シリサイド領域において確実にシリサイド化反応を防止する製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a silicide region and a non-silicide region are mixed such that poor silicide forming due to remaining silicide protection film between narrow gate electrodes of the silicide region, is prevented, and silicidation reaction in the non-silicide region is also surely prevented. - 特許庁

ゲルマニウムシリサイドの形成方法及びゲルマニウムシリサイドが形成された半導体デバイス例文帳に追加

METHOD FOR FORMING GERMANIUM SILICIDE AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GERMANIUM SILICIDE - 特許庁

ゲルマニウムシリサイドの形成方法及びゲルマニウムシリサイドが形成されたデバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a method for depositing germanium silicide and a device having germanium silicide. - 特許庁

リング状ゲート電極１５は、ゲート酸化膜１４を介してポリシリコン層１５ａと、Ｗシリサイド、Ｔｉシリサイド、Ｃｏシリサイド、Ｎｉシリサイドなどの金属シリサイド１５ｂの２層構造で形成される。例文帳に追加

A ring shaped gate electrode 15 has a double-layer structure wherein a polysilicon layer 15a and a metallic silicide 15b such as W silicide, Ti silicide, Co silicide, Ni silicide, etc. are provided on a gate oxide film 14. - 特許庁

第１回目のシリサイド工程で、拡散層上シリサイド膜１１２ａと、ゲート上のダミーシリサイド膜１１２ｂとを形成する。例文帳に追加

A silicide film 112a on a diffusion layer and a dummy silicide film 112b on the gate are formed by a first time silicide process. - 特許庁

また、前記半透光膜のパターン６を酸化モリブデンシリサイド又は酸化窒化モリブデンシリサイド又は窒化モリブデンシリサイドで形成する。例文帳に追加

The patterns 6 of the translucent film is made by oxidized molybdenum silicide, oxide nitride molybdenum silicide or nitrided molybdenum silicide. - 特許庁

次に、基板上の半導体領域にシリサイド化反応によりニッケルシリサイド８を形成する。例文帳に追加

Then, a nickel silicide 8 is formed by siliciding reaction in a semiconductor region on the substrate. - 特許庁

シリサイド層を形成する場合に、そのシリサイド層の膜厚の制御性を高める。例文帳に追加

To improve the controllability of the film thickness of a silicide layer when forming the silicide layer. - 特許庁