| 例文 (999件) |
シリサイド形成の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1271件
このシリサイド層７ｄは、シリサイド層７ａ及びシリサイド層７ｂと一体的に形成されている。例文帳に追加
The silicide layer 7d is formed integrally with the silicide layer 7a and the silicide layer 7b. - 特許庁
シリサイド領域と非シリサイド領域が混在する半導体装置において、シリサイド領域の狭ゲート電極間にシリサイドプロテクション膜残りによるシリサイド形成不良を防止し、非シリサイド領域において確実にシリサイド化反応を防止する製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a silicide region and a non-silicide region are mixed such that poor silicide forming due to remaining silicide protection film between narrow gate electrodes of the silicide region, is prevented, and silicidation reaction in the non-silicide region is also surely prevented. - 特許庁
ゲルマニウムシリサイドの形成方法及びゲルマニウムシリサイドが形成された半導体デバイス例文帳に追加
METHOD FOR FORMING GERMANIUM SILICIDE AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GERMANIUM SILICIDE - 特許庁
リング状ゲート電極１５は、ゲート酸化膜１４を介してポリシリコン層１５ａと、Ｗシリサイド、Ｔｉシリサイド、Ｃｏシリサイド、Ｎｉシリサイドなどの金属シリサイド１５ｂの２層構造で形成される。例文帳に追加
A ring shaped gate electrode 15 has a double-layer structure wherein a polysilicon layer 15a and a metallic silicide 15b such as W silicide, Ti silicide, Co silicide, Ni silicide, etc. are provided on a gate oxide film 14. - 特許庁
第１回目のシリサイド工程で、拡散層上シリサイド膜１１２ａと、ゲート上のダミーシリサイド膜１１２ｂとを形成する。例文帳に追加
A silicide film 112a on a diffusion layer and a dummy silicide film 112b on the gate are formed by a first time silicide process. - 特許庁
また、前記半透光膜のパターン６を酸化モリブデンシリサイド又は酸化窒化モリブデンシリサイド又は窒化モリブデンシリサイドで形成する。例文帳に追加
The patterns 6 of the translucent film is made by oxidized molybdenum silicide, oxide nitride molybdenum silicide or nitrided molybdenum silicide. - 特許庁
次に、基板上の半導体領域にシリサイド化反応によりニッケルシリサイド８を形成する。例文帳に追加
Then, a nickel silicide 8 is formed by siliciding reaction in a semiconductor region on the substrate. - 特許庁
シリサイド層を形成する場合に、そのシリサイド層の膜厚の制御性を高める。例文帳に追加
To improve the controllability of the film thickness of a silicide layer when forming the silicide layer. - 特許庁
シリサイド層２７ａ上の形成されたタングステン層２５はシリサイド層３９ａに覆われる。例文帳に追加
The tungsten layer 25 formed on the silicide layer 27a is covered with the silicide layer 39a. - 特許庁
シリサイド膜１５の形成後は、金属層５０Ｃはシリサイド膜１５で保護される。例文帳に追加
After the silicide film 15 is formed, the metal layer 50C is protected by the silicide film 15. - 特許庁
そして、エッチングされた多結晶シリコン膜をシリサイド化して、シリサイド膜１２を形成する。例文帳に追加
Then, the etched multicrystalline silicon film is made into silicide, so as to form a silicide film 12. - 特許庁
この第２シリサイド層１５２は、第１シリサイド層１４２とは異なる金属を用いて形成されている。例文帳に追加
The second silicide layer 152 is formed using different metal from the first silicide layer 142. - 特許庁
更に、不純物注入層の一部をシリサイド化し、シリサイド層を形成する。例文帳に追加
Further, one part of the impurities implanted layer is silicified to form the silicide layer. - 特許庁
その後、Ｈｆシリサイド層１１１上にＮｉシリサイド層１１３を形成する。例文帳に追加
Then, Ni silicide layers 113 are formed on the Hf silicide layers 111. - 特許庁
非シリサイド形成領域にシリサイド化防止膜を選択的に形成することによって、シリサイド形成領域に所望のシリサイド膜を確実に形成する。例文帳に追加
To surely form a desired silicide film to a silicide forming region by selectively forming a silicide preventing film to a non-silicide forming region. - 特許庁
半導体装置及びそのメタルシリサイド層形成方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING ITS METAL SILICIDE LAYER - 特許庁
半導体装置のセルフアラインシリサイドの形成方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED SILICIDE IN SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
シリサイド層表面の酸化物形成を抑える。例文帳に追加
To suppress the formation of an oxide on the surface of a silicide layer. - 特許庁
そしてその上に、シリサイド層４１０を形成する。例文帳に追加
Furthermore, a silicide layer 410 is formed thereon. - 特許庁
完全にシリサイド化されたシリサイド領域を一部に有する配線を形成する際、シリサイド領域と非シリサイド領域の境界に発生する空隙による断線のない半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device without any disconnection due to gaps generated at the boundary between a silicide region and a non-silicide region, when forming wiring having a completely silicified region partially. - 特許庁
シリサイド膜の形成方法、その形成装置および膜厚制御方法例文帳に追加
METHOD OF FORMING SILICIDE FILM, FORMING DEVICE THEREFOR AND METHOD OF CONTROLLING FILM THICKNESS - 特許庁
ＮｉＳｉ膜の形成方法、シリサイド膜の形成方法、シリサイドアニール用金属膜の形成方法、真空処理装置、及び成膜装置例文帳に追加
METHOD OF FORMING NiSi FILM, METHOD OF FORMING SILICIDE FILM, METHOD OF FORMING METAL FILM FOR SILICIDE ANNEAL, VACUUM PROCESSING APPARATUS, AND DEPOSITION APPARATUS - 特許庁
不純物層１０３上にシリサイド層１０６Ｂが形成されており、シリサイド層１０６Ｂ上に形成されたコンタクト１０９が形成されている。例文帳に追加
A silicide layer 106B is formed on the impurity layer 103, and a contact 109 formed on the silicide layer 106B is formed. - 特許庁
フルシリサイド化されたゲート電極（フルシリサイドゲート電極）を有する半導体装置であっても、接合リーク電流増大の問題なく、ソースドレイン領域に形成された金属シリサイド膜の膜厚を厚く形成することが可能であり、かつ一回のシリサイド形成工程でフルシリサイドゲート電極及び金属シリサイド膜を形成可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of forming the film thickness of a metal silicide film formed in a source drain region to be thick without suffering from an increase of a junction leakage current even in the semiconductor device having a fully silicided gate electrode (full silicide gate electrode), and capable of forming the full silicide gate electrode and the metal silicide film in a one time silicide formation process. - 特許庁
その後、コバルト膜１９を形成した後、シリサイド技術を用いて、コバルトシリサイド膜２０を形成する。例文帳に追加
A cobalt film 19 is formed and a cobalt silicide film 20 is formed by using silicide technology. - 特許庁
これにより、フルシリサイド化したゲート電極３ａが形成され、ソース・ドレイン領域６中には浅いシリサイド層７ａが形成される。例文帳に追加
Thus, a full silicide gate electrode 3a is formed, and a shallow silicide layer 7a is formed in the drain layer 6. - 特許庁
コバルトシリサイド膜の厚さを均一に形成することができるシリサイド膜の形成方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of forming a silicide film capable of uniformly forming the thickness of a cobalt silicide film. - 特許庁
シリサイドの形成時にシリコンに損傷層を有していても安定したシリサイド層を形成できるようにする。例文帳に追加
To form a stable silicide layer even though silicon has a damaged layer at the time of the formation of the silicide. - 特許庁
Ｂ_4Ｃは、シリサイド形成に対する優れたバリアであり、Ｓｉ境界に形成されるシリサイド層は充分に制御される。例文帳に追加
B_4C is an excellent barrier against silicide formation while the silicide layer formed at the Si boundary is well controlled. - 特許庁
シリサイドプロテクション膜１１ｃは、シリサイドプロテクション膜１１ａを形成する工程において併せて形成される。例文帳に追加
The film 11c is formed together with a silicide protection film 11a in a step of forming the protection film 11a. - 特許庁
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