シリサイド技術の英語

基板がシリコン基板の場合に全体的にシリサイド化されるゲート（即ち、金属シリサイドから形成されるゲート）を得ることが可能な技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology that obtains a gate (i.e., the gate formed by a metal silicide) whose entire portion is silicided if a substrate is comprised of silicon. - 特許庁

従来技術では２層のポリシリコン（またはシリサイド）を交差させて作っていた電極を１層のポリシリコンで作る。例文帳に追加

An electrode which is made by crossing two layers of polysilicon (or silicide) in prior art is made of one layer of polysilicon. - 特許庁

高温スパッタリング法を用いたコバルト等のシリサイド化あるいはサリサイド化技術の量産レベルでの確立を図る。例文帳に追加

To establish a technique which is capable of turning cobalt or the like to silicide or salicide at mass production level, through high-temperature sputtering method. - 特許庁

半導体装置の製造技術において、同一基板上に金属シリサイド膜厚の異なる領域を作り分ける。例文帳に追加

To separately form regions of different film thickness in metal silicide on the same substrate concerning technique for manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

それから、サリサイド技術によりゲート電極６ａ，６ｂおよびソース・ドレイン領域上に金属シリサイド層１３を形成する。例文帳に追加

Then, the metal silicide layer 13 is formed on the gate electrodes 6a, 6b and the source/drain region with salicide technology. - 特許庁

シリサイド技術を用いなくても抵抗を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which can reduce a resistance without using a silicide technique, and also a method of manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

本発明の目的は、ソース・ドレイン領域を形成するＳｉＧｅ層のシリサイド形成法に係り、Ｇｅによる被シリサイド層の凝集を抑制し、低抵抗のＳｉＧｅ−シリサイドを簡便に形成する技術を提供することにある。例文帳に追加

To restrain a Ge silicide layer from flocculating and to form a low-resistance SiGe-silicide layer easily in a silicide forming method of forming a SiGe layer that constitutes source/drain regions. - 特許庁

金属シリサイド膜からなるゲート電極を有するＭＩＳＦＥＴの製造工程において、歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique capable of enhancing a production yield in a production process of a MISFET (Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor) having a gate electrode composed of a metal silicide film. - 特許庁