シリサイド技術の英語

STI により囲まれた素子領域にサリサイド技術を用いてシリサイド反応時におけるシリコン中の拡散係数が大きい金属を用いてシリサイドを形成した際、大きなSTI 領域中に素子領域が孤立して存在する場合でもシリサイドプロセス時に接合領域での過剰なシリサイド反応を抑制し、接合リークを伴わない低抵抗シリサイド領域を形成し得る半導体装置を提供する。例文帳に追加

When a reaction product with Ni is formed on an impurity diffusion layer or a polycrystalline-Si layer formed on an Si substrate, a reaction region is defined while taking account of the diffusion coefficient of Ni in Si during reaction. - 特許庁

STI により囲まれた素子領域にサリサイド技術を用いてシリサイド反応時におけるシリコン中の拡散係数が大きい金属を用いてシリサイドを形成した際、大きなSTI 領域中に素子領域が孤立して存在する場合でもシリサイドプロセス時に接合領域での過剰なシリサイド反応を抑制し、接合リークを伴わない低抵抗シリサイド領域を形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

When a reaction product with Ni is formed on the impurity diffusion layer or polycrystalline Si formed on Si substrate, a reaction region is specified in consideration of the diffusion coefficient of Ni inside Si during reaction. - 特許庁

基板がシリコン基板の場合に全体的にシリサイド化されるゲート（即ち、金属シリサイドから形成されるゲート）を得ることが可能な技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology that obtains a gate (i.e., the gate formed by a metal silicide) whose entire portion is silicided if a substrate is comprised of silicon. - 特許庁

それから、サリサイド技術によりゲート電極６ａ，６ｂおよびソース・ドレイン領域上に金属シリサイド層１３を形成する。例文帳に追加

Then, the metal silicide layer 13 is formed on the gate electrodes 6a, 6b and the source/drain region with salicide technology. - 特許庁

シリサイドプロセスを用いた半導体装置において、高抵抗値を有したポリシリコン抵抗を形成する技術に関する。例文帳に追加

To provide a technology for forming a polysilicon resistor having high resistance in a semiconductor device employing a silicide process. - 特許庁

シリサイド技術を用いなくても抵抗を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which can reduce a resistance without using a silicide technique, and also a method of manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

半導体装置の製造技術において、同一基板上に金属シリサイド膜厚の異なる領域を作り分ける。例文帳に追加

To separately form regions of different film thickness in metal silicide on the same substrate concerning technique for manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

高温スパッタリング法を用いたコバルト等のシリサイド化あるいはサリサイド化技術の量産レベルでの確立を図る。例文帳に追加

To establish a technique which is capable of turning cobalt or the like to silicide or salicide at mass production level, through high-temperature sputtering method. - 特許庁