silicide technologyとは 意味・読み方・使い方

A cobalt film 19 is formed and a cobalt silicide film 20 is formed by using silicide technology.例文帳に追加

その後、コバルト膜１９を形成した後、シリサイド技術を用いて、コバルトシリサイド膜２０を形成する。 - 特許庁

To provide a technology by which a silicide film usable for a next-generation transistor can be formed through CVD.例文帳に追加

次世代トランジスタに使用可能なシリサイト膜をＣＶＤで作成できる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for forming a polysilicon resistor having high resistance in a semiconductor device employing a silicide process.例文帳に追加

シリサイドプロセスを用いた半導体装置において、高抵抗値を有したポリシリコン抵抗を形成する技術に関する。 - 特許庁

Then, the metal silicide layer 13 is formed on the gate electrodes 6a, 6b and the source/drain region with salicide technology.例文帳に追加

それから、サリサイド技術によりゲート電極６ａ，６ｂおよびソース・ドレイン領域上に金属シリサイド層１３を形成する。 - 特許庁

To provide a technology for preventing a short circuit of an MOS transistor on a sidewall at the time of forming a titanium silicide film on an SOI substrate and forming a titanium silicide film having low resistivity even in an N type silicon region.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上にチタンシリサイド膜を形成する場合に発生するＭＯＳトランジスタのサイドウォール上での短絡不良を防止し、かつＮ型シリコン領域でも比抵抗の小さいチタンシリサイド膜を形成する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a technology that obtains a gate (i.e., the gate formed by a metal silicide) whose entire portion is silicided if a substrate is comprised of silicon.例文帳に追加

基板がシリコン基板の場合に全体的にシリサイド化されるゲート（即ち、金属シリサイドから形成されるゲート）を得ることが可能な技術を提供する。 - 特許庁

To provide a technology which ensures removal of a silicide protection film (SP film) on a semiconductor substrate in a region for forming a silicide film, while reducing deterioration in the performance of a semiconductor device even when a distance between gate structures is reduced.例文帳に追加

ゲート構造間の距離が小さくなった場合であっても、半導体装置の性能の劣化を低減しつつ、シリサイド膜が形成される領域における半導体基板上のシリサイドプロテクション膜（ＳＰ膜）を確実に除去することが可能な技術を提供する。 - 特許庁