silicidizedとは 意味・読み方・使い方

Next, the metal film is silicidized by a primary anneal process (step 3).例文帳に追加

次に、第１次アニール工程で金属膜をシリサイド化する（ステップ３）。 - 特許庁

Then, the metal film is silicidized by a primary anneal process (step 3).例文帳に追加

次に、第１次アニール工程で金属膜をシリサイド化する（ステップ３）。 - 特許庁

The first full-silicidized gate electrode 24a has an upper surface height lower than the upper surface height of the second full-silicidized gate electrode 24b.例文帳に追加

第１のフルシリサイド化ゲート電極２４ａの上面高さは、第２のフルシリサイド化ゲート電極２４ｂの上面高さよりも低い。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can improve an off-leak characteristic with a simple arrangement and can form both a silicidized transistor and a non-silicidized transistor simultaneously on the same substrate, and also a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

簡易な構成でオフリーク特性の向上が図れ、しかもシリサイド化トランジスタと非シリサイド化トランジスタとを同一基板上に同時に形成できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then a first fully silicidized gate electrode 27A is formed of the first gate electrode forming section 20A, and a second fully silicidized gate electrode 27B is formed of the second gate electrode forming section 20B.例文帳に追加

次に、第１のゲート電極形成部２０Ａから第１のフルシリサイド化ゲート電極２７Ａを形成し、第２のゲート電極形成部２０Ｂから第２のフルシリサイド化ゲート電極２７Ｂを形成する。 - 特許庁

Further, the electrodes 108, 109 are silicidized by heat treatment, and then the film on the interlayer film 116 is removed.例文帳に追加

さらに、加熱処理により電極１０８，１０９をシリサイド化した後、層間膜１１６上の膜を除去する。 - 特許庁

To realize a manufacturing method of a semiconductor device capable of highly accurately forming a fully silicidized gate electrode having a predetermined silicide composition.例文帳に追加

所定のシリサイド組成を有するフルシリサイド化ゲート電極を精度良く形成可能な半導体装置の製造方法を実現できるようにする。 - 特許庁