silicide interfaceとは 意味・読み方・使い方

The silicide, having variable inner metal concentration which is adjusted to the surface condition in an interface between the silicide and an adjacent layer, is used in an integrated circuit.例文帳に追加

本発明によれば、シリサイドと隣接する層との間の界面における表面条件に対して調節した可変内部金属濃度を有するシリサイドが集積回路において使用される。 - 特許庁

To realize a method of forming a titanium polycide gate which has satisfactory interface roughness between a polysilicon film and a titanium silicide film.例文帳に追加

ポリシリコン膜とチタンシリサイド膜の間の良好な界面粗さを持つチタンポリサイドゲートの形成方法を提供する。 - 特許庁

To solve a problem of the generation of a low-permittivity interface layer at the interface between a high-permittivity gate insulating layer and a gate electrode, a problem of reduction in permittivity of the entire insulating layer, and a problem of the shifting of a threshold caused by silicide reaction.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁層と、ゲート電極界面において、低誘電率界面層が生成し、絶縁層全体の誘電率を低下させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having good silicide/silicon interface in which a crystal defect or roughness of the interface is improved and having stable characteristics, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

結晶欠陥や界面の荒れが改善された良好なシリサイド／シリコン界面を有し、安定した特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The film thickness of the metal silicide film 11 can be formed to be thick, such that a distance between an interface A comprising the metal silicide film 11 and the semiconductor substrate 1 and an interface B comprising a source-drain diffusion layer 8 and the semiconductor substrate 1 can be secured satisfactorily.例文帳に追加

金属シリサイド膜１１と半導体基板１からなる界面Ａと、ソースドレイン拡散層８と半導体基板１からなる界面Ｂとの距離が十分確保できるように、金属シリサイド膜１１の膜厚を厚く形成できる。 - 特許庁

A metal silicide layer or a metal oxide layer may be formed on an interface between the core and the cover layer as a tightly adhered layer.例文帳に追加

芯材と被覆層との界面に密着層として金属シリサイド層あるいは金属酸化物層を形成してもよい。 - 特許庁

To stably produce a NiSi layer which is a low resistance layer and to reduce a silicon-silicide interface resistance when forming a Ni silicide layer required for a semiconductor device capable of miniaturization and high speed.例文帳に追加

微細化・高速化可能な半導体装置に必要なＮｉシリサイド層を形成する際に、低抵抗層であるＮｉＳｉ層を安定して形成すると共にシリコン−シリサイド界面抵抗を低減する。 - 特許庁

As a result, the silicide layer 380 having an uniform interface can be formed, metal agglomeration phenomenon of the silicide structure of a semiconductor device is prevented, and thermal stability can be improved.例文帳に追加

これにより、均一な界面を有するシリサイド層３８０を形成することができ、半導体装置のシリサイド構造の金属集塊現象を防止して熱的安定性を改善することができる。 - 特許庁