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英訳・英語 common source; grounded source


日英・英日専門用語辞書での「ソース接地」の英訳

ソース接地


「ソース接地」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 321



例文

FET1のソースは、ソースインダクタ6を介して接地されている。例文帳に追加

The source of the FET 1 is grounded through the source inductor 6. - 特許庁

また、ソースソースバイアス回路34を介して接地されている。例文帳に追加

A source is grounded via a source bias circuit 34. - 特許庁

スイッチトランジスタのソース/ドレインは接地される。例文帳に追加

The source/drain of the switch transistor are grounded. - 特許庁

FET30のドレイン(またはソース)は接地されている。例文帳に追加

The drain or source of the FET 30 is grounded. - 特許庁

第1のトランジスタのソース接地される。例文帳に追加

The source of the first transistor is grounded. - 特許庁

ソース接地段9は入力3aに接続されている。例文帳に追加

A source ground stage 9 is connected to the input 3a. - 特許庁

例文

電力増幅装置は、接地のためのビアホールと接続する接地部と、接地部を接続するソース電極接地導体と、ソース電極接地導体に連結したソース電極と、ソース電極接地導体に接触しない内側ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、内側ソース電極と接地部とを直接接続する接地ブリッジと、を備える。例文帳に追加

The power amplification device comprises: grounding parts connected to via holes for grounding; a source electrode grounding conductor which connects grounding parts; a source electrode coupled to the source electrode grounding conductor; an inner source electrode which is not in contact with the source electrode grounding conductor; a drain electrode; a gate electrode; and a grounding bridge directly connecting the inner source electrode and the grounding parts. - 特許庁

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「ソース接地」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 321



例文

低雑音増幅回路11はNMOSソース接地アンプ1A及びPMOSソース接地アンプ2Aの直列接続により構成される。例文帳に追加

The low-noise amplifying circuit 11 is constituted by connecting an NMOS source-grounded amplifier 1A and a PMOS source-grounded amplifier 2A in series. - 特許庁

半導体支持基板10は、ソース電極8に接続され接地されている。例文帳に追加

The semiconductor base substrate 10 is grounded by being connected to the source electrode 8. - 特許庁

高周波電力FET装置22はソース接地構成を含む。例文帳に追加

The high-frequency power FET device 22 includes a source grounding structure. - 特許庁

また、MOSトランジスタMN21のソースが電源線SAN(接地線)と接続されている。例文帳に追加

Moreover, the source of the MOS transistor MN21 is connected to a power source line SAN (grounding line). - 特許庁

SRAMセルは、ソース接地されたNMOSトランジスタQ7を有する。例文帳に追加

The SRAM has a source-earthed NMOS transistor Q7. - 特許庁

論理回路およびメモリ回路の接地ソース電極線を動作時には、接地電位に保ち、選択されない待機時には接地ソース電極線を接地電位より高い電圧に保つ。例文帳に追加

A ground source electrode wire of a logic circuit and a memory circuit is kept at a ground potential at the time of an operation, and the ground source electrode wire is kept at a voltage higher than the ground potential at the time of standby during which it is not selected. - 特許庁

ソース接地トランジスタM_1、ゲート接地トランジスタM_2、および負荷抵抗R_Lからカスコード接続回路11を構成し、ソース接地トランジスタM_1のドレイン端子とゲート接地トランジスタM_2のソース端子と間に第1のインダクタL_1を設ける。例文帳に追加

A cascode-connected circuit 11 is composed of a source-grounded transistor M_1, a gate-grounded transistor M_2 and a load resistance R_L, and a first inductor L_1 is disposed between a drain terminal of the source-grounded transistor M_1 and a source terminal of the gate-grounded transistor M_2. - 特許庁

例文

カスコード接続トランジスタは、入力信号を受けるソース接地トランジスタと、このソース接地トランジスタのドレイン端子と接続し、出力信号を出力するゲート接地トランジスタとを含む。例文帳に追加

A cascode-connected transistor has a source-grounded transistor receiving an input signal, and a gate-grounded transistor connected to a drain terminal of the source-grounded transistor to output an output signal. - 特許庁

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