トンネル電流の英語

トンネル電流評価装置、デバイス・シミュレーション装置及びデバイス・シミュレーション方法例文帳に追加

TUNNEL CURRENT EVALUATION DEVICE, DEVICE SIMULATION APPARATUS AND DEVICE SIMULATION METHOD - 特許庁

また、磁気トンネル抵抗ＭＲの磁化の方向を変える電流は、電流源ＩＰを介して供給される。例文帳に追加

An electric current for changing the magnetizing direction of the magnetic tunnel resistor MR is supplied through an electric current source IP. - 特許庁

トンネル電流を流すトンネル領域に２重のトンネル絶縁膜層を形成し、フローティングゲートへの電荷の注入あるいは引き抜きにおいて、従来のＦＮトンネル効果のかわりに共鳴トンネル効果を用いることとした。例文帳に追加

A double tunnel insulating layer is formed in a tunnel region to flow tunnel current, and a resonance tunnel effect, instead of FN tunnel effect, is used when charging and discharging electricity. - 特許庁

第１の膜厚は、電圧の印加によりトンネル電流が流れる厚さであり、第２の膜厚は、前記電圧の印加によりトンネル電流が流れない厚さである。例文帳に追加

The 1st film thickness is such that a tunnel current flows by voltage application, and the 2nd film thickness is such that the tunnel current does not flow by voltage application. - 特許庁

ここで、バリア絶縁層６の膜中の電子の流れは、Ｆｏｗｌｅｒ Ｎｏｒｄｈｅｉｍ（Ｆ−Ｎ）トンネル電流あるいは直接トンネル電流機構となる。例文帳に追加

Hereupon, the flow of the electrons in the film of the barrier insulation layer 6 is subjected to a Fowler-Nordheim(F-N) tunnel-current mechanism or a direct tunnel-current mechanism. - 特許庁

浮遊ゲート・メモリ装置にトンネル電流を導入するために調節された電圧源例文帳に追加

VOLTAGE SOURCE ADJUSTED FOR INTRODUCING TUNNEL CURRENT TO FLOAT GATE MEMORY DEVICE - 特許庁

トンネル磁気抵抗効果素子１０の下部電極１７にバイアス電流Ｉｂを流す。例文帳に追加

A bias current Ib flows to a lower electrode 17 of a tunnel magnetoresistive effect element 10. - 特許庁

ＭＯＳキャパシタを表面に多数形成したウェーハ６からトンネル電流を測定しその電流−電圧特性データを得る。例文帳に追加

A tunnel current is measured from a plurality of wafers 6 formed on a surface of a MOS capacitor to obtain the current-voltage characteristic data. - 特許庁