トンネル電流の英語

強磁性トンネル接合素子及びその製造方法に関し、強磁性トンネル接合の電流路に簡単な改変を施すことで、トンネル抵抗値が低い強磁性トンネル接合素子を実現しようとする。例文帳に追加

To realize a ferromagnetic tunnel junction element, in which the tunnel resistance value is low by executing simple changes to the current passage of a ferromagnetic tunnel junction, regarding the ferromagnetic tunnel junction element, and to provide a method for manufacturing it. - 特許庁

トンネル電流計測回路８によりＤＮＡ３とＳＴＭ探針５の間に流れるトンネル電流を測定し、そのトンネルスペクトルの形状からＤＮＡ３を構成する各塩基の別を識別する。例文帳に追加

The tunnel current flowing between the DNA 3 and the STM stylet 5 is metered by a tunnel current metering circuit 8 and each base constituting the DNA 3 is discriminated from the shape of a tunnel spectrum. - 特許庁

低電界ではトンネル電流が流れ難く、かつ、高電界ではトンネル電流が流れ易いトンネル絶縁膜を有してなり、電気的特性の向上が図られた記憶素子を備える半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device equipped with a tunnel insulation film in which a tunneling current is hard to flow in a low electric field and is easy to flow in a high electric field, and equipped with a memory element in which an electrical property is improved. - 特許庁

ヘテロダインビートプローブ走査プローブトンネル顕微鏡およびこれによってトンネル電流に重畳された微小信号の計測方法例文帳に追加

HETERODYNE BEAT PROBE SCANNING PROBE TUNNEL MICROSCOPE AND METHOD OF MEASURING MICRO SIGNAL SUPERIMPOSED THEREBY ON TUNNEL CURRENT - 特許庁

精密なトンネル電流微細束線による露光を得ることができる走査型トンネル顕微鏡を用いたリソグラフィ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of lithography using a scanning tunneling microscope by which exposure can be executed by accurate tunneling current fine flux. - 特許庁

強磁性トンネル接合を用いた磁気抵抗素子において、高いＭＲ比を有し、しかも安定したトンネル電流を得ることのできる素子の提供。例文帳に追加

To provide an element having a high MR ratio and capable of obtaining stable tunnel current in a magneto-resistive element utilizing ferromagnetic tunnel junction. - 特許庁

第1のトンネル接合１８に接続される第1の電極１６から流れる検出電流は、第1のトンネル接合１８、磁化自由層１０、及びと第2のトンネル接合１９を通って第2の電極１７に流れる。例文帳に追加

The detection current flowing from a 1st electrode 16 connected with the 1st tunnel junction 18 flows to a 2nd electrode 17 through the 1st tunnel junction 18, the magnetic free layer 10, and the 2nd tunnel junction 19. - 特許庁

該メモリセルをプログラムするバイアス条件下及び消去するバイアス条件下で、該第２トンネル障壁構造体は該第１トンネル障壁構造体より効率的なトンネル電流の導体である。例文帳に追加

The second tunnel barrier structure is an efficient conductor for the tunnel current than the first tunnel barrier structure under the bias condition for programming the memory cell and the bias condition for deleting the memory. - 特許庁