tunnel currentsとは 意味・読み方・使い方

To provide a gate oxide film tunnel current model of an MOSFET capable of simulating tunnel currents between the gate/drain and gate/drain of the MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのゲート−ドレイン間、ゲート−ソース間のトンネル電流をシミュレートすることが可能なＭＯＳＦＥＴのゲート酸化膜トンネル電流モデルを提供する。 - 特許庁

In order to achieve higher on-currents, a nanowire-based TFET with a germanium (Ge) tunnel barrier in another silicon (Si) channel is used.例文帳に追加

より高いオン電流を達成するために、他のシリコン（Ｓｉ）チャネル中にゲルマニウム（Ｇｅ）トンネルバリアを備えたナノワイヤベースのＴＦＥＴが用いられる。 - 特許庁

To solve a problem that tunnel field-effect transistors (TFETs) are regarded as successors of metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs), but silicon-based TFETs generally have defects on low on-currents and large resistance of a tunnel barrier.例文帳に追加

トンネル電界効果トランジスタ（ＴＦＥＴ）は、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の後継者と考えられるが、シリコンベースのＴＦＥＴは一般に低いオン電流、トンネルバリアの大きな抵抗に関する欠点を有する。 - 特許庁

The currents are amplified by respective preamplifiers 4, 8, a tunnel voltage corresponding to the tunnel current is outputted from a differential amplifier 7, and a secondary electron voltage corresponding to the secondary electron current is outputted from the differential amplifier 10.例文帳に追加

これらの電流はそれぞれプリアンプ４、８により増幅され、差動増幅器７からはトンネル電流に対応したトンネル電圧が出力され、差動増幅器１０からは二次電子電流に対応した二次電子電圧が出力される。 - 特許庁

As a result, from the electric fields of the corner portions of the irregularities being are intensified by the quality of charges are apt to concentrate therein, and since tunnel currents are so generated therein easily that sufficient currents flow therethrough, the electrical resistance component of the barrier layer 37 can be reduced to make high the operating speeds of the transistors.例文帳に追加

この結果、その凹凸のコーナー部は電荷が集中しやすいという性質から電界が強くなり、トンネル電流が起こり易くなって十分が電流が流れるので、バリア層３７の電気的な抵抗成分を小さくでき、トランジスタの高速化が図れる。 - 特許庁

When a negative bias voltage is applied to the probe 1 by the bias power supply 6 and the distance between the probe 1 and the sample 3 is reduced, a tunnel current flows to the probe 1, and tunnel currents in opposite directions and a secondary electron current based on secondary electron emission flow to the sample 3.例文帳に追加

バイアス電源６により探針１に負のバイアス電圧を印加して探針１と試料３との距離を近づけると、探針１にはトンネル電流が流れ、試料３には、互いに逆向きのトンネル電流と、二次電子放出に基づく二次電子電流が流れる。 - 特許庁

In other words, a sufficient current difference is secured between through currents IBL and Iref flowing through a memory cell MC by setting a high value of a voltage Vbias applied to the tunnel magneto-resistive element TMR of the memory cell MC.例文帳に追加

すなわち、メモリセルＭＣのトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲに印加される電圧Ｖｂｉａｓの値を高くすることにより、メモリセルＭＣに流れる通過電流ＩＢＬと通過電流Ｉｒｅｆとの電流差を十分に確保する。 - 特許庁