トンネル障壁高さの英語

強磁性トンネル接合を有する磁気センサ及びその製造方法に関し、絶縁障壁高さが酸化アルミニウムより低く、且つ、高いＭＲ比が得られる絶縁膜を形成する。例文帳に追加

To form an insulation film whose insulation barrier level is lower than that of an aluminum oxide and which obtains a high MR (magnetoresistive) ratio, in a magnetic sensor having a ferromagnetic tunnel junction and its manufacture. - 特許庁

量子井戸構造を単一の半導体構造として結晶構造の作製を簡便にし、かつ、高ＪＰ、低ＶＰ、高ＶＲ−ＶＰを同時に実現可能にする共鳴トンネル障壁構造を提供する。例文帳に追加

To provide a resonance tunnel barrier structure, in which the manufac turing of crystal structure is simplified by allowing a quantum well structure to be a single semiconductor structure, while high-GP, low-VP, and high VR-VP can be realized simultaneously. - 特許庁

シリコン基板に高純度イオンを注入した後、熱処理工程で形成された金属−シリサイドを含むショットキー障壁トンネルトランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a schottky barrier tunnel transistor comprising a metal-silicide formed in an annealing process after implanting high-purity ions into a silicon substrate, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

低温における熱処理が可能であり、得られた絶縁層のバリア障壁の高さが十分高く、その結果、高ＭＲを実現することができるトンネル型磁気抵抗素子とそれを用いた磁気式デバイス及びその製造方法並びに製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a tunneling magnetoresistive element which can be heat- treated at low temperature, so that the barrier of an obtained insulating layer is sufficiently high and then realizes high MR, a magnetic device using it, and to provide a method and a device for manufacturing the device. - 特許庁

窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界とＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層による共鳴トンネル効果を利用し、高密度電子を効率的に放出させる電子放出素子に関するもので、ｎ型ＧａＮ上へＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層と数十ナノメートルのＧａＮ表面層を作製し、電子取出用の表面電極を取り付けたものである。例文帳に追加

This is the electron emitting element which efficiently emits high density electrons by utilizing a large internal electric field by a spontaneous polarization and a piezo polarization generated in the nitride semiconductor and a resonance tunnel effect by an AIN/GaN multiplex barrier layer, and the AIN/GaN multiplex barrier layer and a GaN surface layer of dozens of nanometers are formed on the n-type GaN, and a surface electrode for electron extraction is fitted. - 特許庁

本発明はトンネル障壁層に半導体膜を用いるが、添加される不純物の量を調節して電気伝導度を調節することにより、素子の収率、生産性、特性及び信頼性を向上させ、それに伴う素子の高集積化を可能にする。例文帳に追加

To enhance the yield, productivity, characteristics, and reliability of an element while using a semiconductor film as a tunnel barrier layer by adjusting the amount of added impurities for controlling electric conductivity, thereby obtaining the high integration of elements. - 特許庁

マグネタイト電極と、該マグネタイト電極上に成膜温度６０℃〜１３０℃で酸化マグネシウム層を成膜し、前記成膜温度より０〜６０℃高い温度でアニールされた障壁層と、からなることを特徴とするトンネル磁気抵抗素子である。例文帳に追加

The tunnel magnetoresistance element comprises a magnetite electrode and a barrier layer having an magnesium oxide layer formed at 60°C-130°C film forming temperature on the magnetite electrode and annealed at a temperature higher by 0-60°C than the film forming temperature. - 特許庁

本発明は、自由に整列させることができる磁化を有する軟強磁性層と、第１の高温しきい値では固定され、第１の低温しきい値では自由に整列可能な磁化を有する第１の硬強磁性層との間に第１のトンネル障壁層を備えるマルチレベル磁気素子に関する。例文帳に追加

The present disclosure concerns a multilevel magnetic element comprising a first tunnel barrier layer between a soft ferromagnetic layer having a magnetization that can be freely aligned and a first hard ferromagnetic layer having a magnetization that is fixed at a first high temperature threshold and can be freely aligned at a first low temperature threshold. - 特許庁