「トンネル障壁高さ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ＰＡＤＯＸのような工程を用いず、トンネル障壁の高さ及び幅を人為的に調節することができる上、電流駆動能力をさらに向上させることができるショットキー障壁貫通単電子トランジスタ及びその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a Schottky barrier penetration single electronic transistor capable of artificially adjusting a height and a width of a tunnel barrier without using any process like PADOX, and capable of further raising a current driving ability; and to provide a method of manufacturing the transistor. - 特許庁

熱電材料表面あるいは熱電材料に対向する表面を改質したり、表面に尖塔を施したりすると、尖塔先端から作業物質が空間に飛出る際の熱励起障壁高さの低減乃至トンネル障壁幅の低減が可能にする。例文帳に追加

If a thermoelectric material surface or a surface confronted to the thermoelectric material is modified or the surface is steepled, a thermal excitation barrier height or a tunnel barrier width can be reduced in emitting the working material from the distal end of steeples to the space. - 特許庁

強磁性トンネル接合を有する磁気センサ及びその製造方法に関し、絶縁障壁高さが酸化アルミニウムより低く、且つ、高いＭＲ比が得られる絶縁膜を形成する。例文帳に追加

To form an insulation film whose insulation barrier level is lower than that of an aluminum oxide and which obtains a high MR (magnetoresistive) ratio, in a magnetic sensor having a ferromagnetic tunnel junction and its manufacture. - 特許庁

量子井戸構造を単一の半導体構造として結晶構造の作製を簡便にし、かつ、高ＪＰ、低ＶＰ、高ＶＲ−ＶＰを同時に実現可能にする共鳴トンネル障壁構造を提供する。例文帳に追加

To provide a resonance tunnel barrier structure, in which the manufac turing of crystal structure is simplified by allowing a quantum well structure to be a single semiconductor structure, while high-GP, low-VP, and high VR-VP can be realized simultaneously. - 特許庁

シリコン基板に高純度イオンを注入した後、熱処理工程で形成された金属−シリサイドを含むショットキー障壁トンネルトランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a schottky barrier tunnel transistor comprising a metal-silicide formed in an annealing process after implanting high-purity ions into a silicon substrate, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

低温における熱処理が可能であり、得られた絶縁層のバリア障壁の高さが十分高く、その結果、高ＭＲを実現することができるトンネル型磁気抵抗素子とそれを用いた磁気式デバイス及びその製造方法並びに製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a tunneling magnetoresistive element which can be heat- treated at low temperature, so that the barrier of an obtained insulating layer is sufficiently high and then realizes high MR, a magnetic device using it, and to provide a method and a device for manufacturing the device. - 特許庁

窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界とＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層による共鳴トンネル効果を利用し、高密度電子を効率的に放出させる電子放出素子に関するもので、ｎ型ＧａＮ上へＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層と数十ナノメートルのＧａＮ表面層を作製し、電子取出用の表面電極を取り付けたものである。例文帳に追加

This is the electron emitting element which efficiently emits high density electrons by utilizing a large internal electric field by a spontaneous polarization and a piezo polarization generated in the nitride semiconductor and a resonance tunnel effect by an AIN/GaN multiplex barrier layer, and the AIN/GaN multiplex barrier layer and a GaN surface layer of dozens of nanometers are formed on the n-type GaN, and a surface electrode for electron extraction is fitted. - 特許庁

本発明はトンネル障壁層に半導体膜を用いるが、添加される不純物の量を調節して電気伝導度を調節することにより、素子の収率、生産性、特性及び信頼性を向上させ、それに伴う素子の高集積化を可能にする。例文帳に追加

To enhance the yield, productivity, characteristics, and reliability of an element while using a semiconductor film as a tunnel barrier layer by adjusting the amount of added impurities for controlling electric conductivity, thereby obtaining the high integration of elements. - 特許庁

マグネタイト電極と、該マグネタイト電極上に成膜温度６０℃〜１３０℃で酸化マグネシウム層を成膜し、前記成膜温度より０〜６０℃高い温度でアニールされた障壁層と、からなることを特徴とするトンネル磁気抵抗素子である。例文帳に追加

The tunnel magnetoresistance element comprises a magnetite electrode and a barrier layer having an magnesium oxide layer formed at 60°C-130°C film forming temperature on the magnetite electrode and annealed at a temperature higher by 0-60°C than the film forming temperature. - 特許庁

本発明は、自由に整列させることができる磁化を有する軟強磁性層と、第１の高温しきい値では固定され、第１の低温しきい値では自由に整列可能な磁化を有する第１の硬強磁性層との間に第１のトンネル障壁層を備えるマルチレベル磁気素子に関する。例文帳に追加

The present disclosure concerns a multilevel magnetic element comprising a first tunnel barrier layer between a soft ferromagnetic layer having a magnetization that can be freely aligned and a first hard ferromagnetic layer having a magnetization that is fixed at a first high temperature threshold and can be freely aligned at a first low temperature threshold. - 特許庁

このことにより、基板１０１とフローティングゲート１０４の間のフローティングゲート絶縁膜１０３のポテンシャル障壁が従来のものより高くなり、フローティングゲート絶縁膜１０３を薄くしても、トンネル効果による電荷の漏洩を低減できる。例文帳に追加

Thus, the potential barrier of a floating gate insulation film 103 between a substrate 101 and the floating gate 104 becomes higher than the conventional one, and even when the floating gate insulation film 103 is thinned, the leakage of charge due to a tunnel effect can be reduced. - 特許庁

これにより、イオン注入法を用いてシリコン層にイオンを注入し、熱処理して、金属−シリサイドを形成することによって、特性が安定で且つ高性能を有するショットキー障壁トンネルトランジスタを製造することができる。例文帳に追加

Thereby the ions are implanted into the silicon layer by using an ion implantation method, and the metal-silicide is formed by annealing, so that the schottky barrier tunnel transistor having stable characteristics and high performance can be manufactured. - 特許庁

ULSIに有用なショットキー・トンネル接合を利用した電界効果型トランジスタ（ショットキー障壁型MOS FET ）の製造において、ゲート電極やゲート絶縁膜の金属及び金属酸化物が高温プロセスにより劣化するのを防止する。例文帳に追加

To prevent a deterioration of a metal and a metal oxide of a gate electrode or a gate insulating film due to a high temperature process, in manufacturing a field effect transistor (Schottky barrier MOSFET) utilizing a Schottky tunnel junction useful for an ULSI. - 特許庁

特に、絶縁障壁層をＴｉ−Ｏで形成した際のＶＣＲ（Voltage Coefficience of Resistivity）の絶対値の低減、ならびに、低ＲＡと高抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を確保することが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a tunnel-type magnetic detecting element that can make the absolute value of a VCR (Voltage Coefficient of Resistivity) reduced, in particular, when an insulation barrier layer formed of Ti-O can be reduced, and in particular, low RA and high resistance change rate (ΔR/R) can be secured, and to provide a manufacturing method therefor. - 特許庁

少なくとも一つのビットラインに接続された第１及び第２電極のうち少なくとも一つの電極とワードラインに接続されたゲート電極間の高電界によって発生するホットホールがトンネル酸化膜エネルギー障壁を越えて窒化膜に注入されることによってデータが消去されることを特徴とするＳＯＮＯＳメモリ素子のデータ消去方法である。例文帳に追加

The method of erasing data of the SONOS memory device is characterised in that the data are erased by injecting hot holes that are generated by high electric field between at least one of the first electrode and the second electrode both connected with at least one bit line and a gate electrode connected with a wordline, into a nitride film through a tunnel oxide film energy barrier. - 特許庁

または、マグネタイト電極と、該マグネタイト電極上に成膜温度６０℃〜１３０℃で酸化マグネシウム層と２ｎｍ以下の厚さの酸化アルミニウム非晶質層を成膜し、前記成膜温度より０〜６０℃高い温度でアニールされた障壁層と、からなることを特徴とするトンネル磁気抵抗素子である。例文帳に追加

Alternatively, the tunnel magnetoresistance element comprises a magnetite electrode and a barrier layer in which a magnesium oxide layer and an aluminum oxide amorphous layer of ≤2 nm in film thickness are formed at 60°C-130°C film forming temperature on the magnetite electrode and then annealed at a temperature higher by 0-60°C than the film forming temperature. - 特許庁

また、電流分散層１１、１２の透明導電性膜側の界面近傍の電流分散層１２に、ドーパントを注入することにより、電流分散層１２が一様に高ドーパント濃度になるので、透明導電性膜６と電流分散層１２との界面のエネルギー障壁の厚さが薄くなってトンネル電流が流れるようになる。例文帳に追加

By injecting dopant in a current dispersion layer 12 in the vicinity of an interface on the transparent conductive film side between current dispersion layers 11 and 12, the thickness of the energy barrier of an interface between the transparent conductive film 6 and the current dispersion layer 12 is thinned and a tunnel current flows therethrough. - 特許庁