ファーネスアニールの英語

ボトムゲート型の多結晶シリコンＴＦＴで、少なくともチャネル形成領域の上に絶縁膜がある状態で、ファーネスアニール法を用いて５００℃〜７００℃で熱処理を行い、さらにその絶縁膜を除去しないことを特徴とする。例文帳に追加

A polycrystalline silicon TFT of bottom gate type is thermally treated at 500 to 700°C through a furnace annealing method, in a state in which at least an insulating film is formed on a channel forming region, and furthermore the insulating film is not removed. - 特許庁

素子パターンがより微細な固体撮像装置と、ゲート酸化膜の窒化処理と、主要熱処理工程における急速熱処理とを行うことなく、ファーネスアニール処理を採用する固体撮像装置の製造方法とを実現する。例文帳に追加

To provide a solid state imaging device whose element pattern is finer, and to provide a manufacturing method of the solid state imaging device which employs a furnace annealing process with no nitriding process of a gate oxide film nor rapid thermal process in a main thermal treating process. - 特許庁

ゲルマニウムを含む半導体膜に対して熱アニールを行い結晶を含む半導体膜を形成する工程と、結晶を含む半導体膜に対して酸化処理を行う工程と、酸化処理を行った半導体膜に対してレーザーアニール処理を行う工程と、レーザーアニール後の半導体膜に対してファーネスアニール処理を行う工程とを有する。例文帳に追加

In this manufacture, following steps are provided in a first step, heat annealing is performed for the semiconductor film including germanium; in a next step, laser annealing is performed for the oxidized semiconductor film; in the next step, furnce annealing is performed for the semiconductor film after the laser annealing; and in the last step, oxidizing is performed for the semiconductor film including the crystal. - 特許庁