ポリサイド構造の英語

ポリサイド構造に窒化膜スペーサＳＡＣ構造を適用でき、ＤＲＡＭのメモリセルの微細化を進め、高集積化を実現できる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology for applying a nitride film spacer SAC structure to a polycide structure, making a memory cell of a DRAM fine and obtaining high integration. - 特許庁

本発明は、発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタのゲート電極をポリサイド構造又はメタルゲート構造により形成する。例文帳に追加

The gate electrode of a metal oxide field effect transistor for driving a heating element is formed of a polycide structure or a metal gate structure. - 特許庁

ポリサイド−デュアルゲート構造を採用するｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴとｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴの境界付近におけるゲート電極中の不純物の相互拡散を抑制する。例文帳に追加

To restrain the interdiffusion of dopant in gate electrodes near the border of an n-channel MISFET and a p-channel MISFET which adopt polycide-dual gate structure. - 特許庁

さらにポリサイド構造の上部電極が形成されており、多結晶シリコン抵抗体６、容量絶縁膜１０とともに容量素子を形成している。例文帳に追加

Further, an upper electrode of a polycide structure is formed to form the capacitive element together with the polysilicon resistor 6 and a capacitive insulating film 10. - 特許庁

この結果、ポリシリコン膜２１１及びシリサイド膜２１２がポリサイド構造をもつゲート電極２１を形成し、ポリシリコン膜２１１の側面等はシリコン窒化膜で被覆される。例文帳に追加

As a result, a gate electrode 21 having a polycide structure is formed of the polysilicon film 211 and the silicide film 212, and the side face of the polysilicon film 211 is coated with the silicon nitride film. - 特許庁

ポリサイドゲート構造を有しながら、ゲート酸化膜の膜厚増大現象や、電気特性の劣化のない半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To realize a polycide gate structure, while eliminating the phenomenon of increase in the film thickness of a gate oxide film or the deterioration of electrical characteristics. - 特許庁

多結晶シリコンと金属または金属シリサイドとの積層構造、たとえばポリサイドからなる電極において、自然酸化膜のような高抵抗層を除去し、電極の抵抗値の低減を図ること。例文帳に追加

To reduce the resistance value of an electrode constituted of, for example, in a laminated structure of polycrystalline silicon and a metal or with a metal silicide a polycide by removing a high-resistance layer such as the natural oxide film. - 特許庁

第１導電型（Ｐ型またはＮ型）の半導体層１１のチャネル領域１２上にゲート絶縁膜１３及びこのゲート絶縁膜１３上にシリサイド層１９を含むポリサイド構造のゲート電極１４が構成されている。例文帳に追加

A gate insulation film 13 is formed on the channel region 12 of a first conductivity (P type or N type) semiconductor layer 11, and a gate electrode 14 of polycide structure including a silicide layer 19 is formed on the gate insulation film 13. - 特許庁